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インゴット外周研削|ウェーハ・基板製造

インゴット外周研削は、育成した単結晶インゴットの外周を砥石で削り、直径を規定の値にそろえた真円の円柱に整える工程である。引き上げたままのインゴットは太さにむらがあるため、ここで径をそろえておくと、切り出すウェーハの直径が一定になる。結晶方位を示すノッチやオリエンテーションフラットもこの段で加工するのが一般的である。加工の流れでは単結晶育成の後、ウェーハスライスの前に置かれる1。

工程の分類›ウェーハ・基板製造› インゴット外周研削

ウェーハ・基板製造の下にある工程で、同じ分類にはほかに6工程がある。

この工程は、ウェーハ・基板製造の「シリコンウェーハの加工プロセス」の手順の一部として出てくる。

単結晶育成、ウェーハスライス、ラッピング・鏡面研磨、SOI(シリコン・オン・インシュレータ)・化合物・エンジニアド基板、ウェーハ加工損傷エッチング、ベベリング(ウェーハ外周面取り)

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