SOI（シリコン・オン・インシュレータ）・化合物・エンジニアド基板｜ウェーハ・基板製造

SOI（シリコン・オン・インシュレータ）・化合物・エンジニアド基板は、通常のシリコン単結晶ウェーハとは異なる構造や材料を持つ基板をまとめた分類である。SOIは絶縁膜の上に薄いシリコン層を載せた基板で、素子と下地の間の寄生容量やリーク電流を減らせる。SiCやGaAsなどの化合物半導体の基板は、パワー素子や高周波素子に使われる。高周波用SOIのためのトラップリッチ層形成もここに含まれる。

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• トラップリッチ層形成：トラップリッチ層形成は、高周波用のSOI基板で、埋め込み絶縁膜の下にキャリアを捕まえる準位の多い層を作る工程で、一般に多結晶シリコンの層が使われる。

関連ページ

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同じ分類の工程

単結晶育成、ウェーハスライス、ラッピング・鏡面研磨、ウェーハ加工損傷エッチング、インゴット外周研削、ベベリング（ウェーハ外周面取り）