トラップリッチ層形成｜ウェーハ・基板製造 › SOI（シリコン・オン・インシュレータ）・化合物・エンジニアド基板

トラップリッチ層形成は、高周波用のSOI基板で、埋め込み絶縁膜の下にキャリアを捕まえる準位の多い層を作る工程で、一般に多結晶シリコンの層が使われる。高抵抗のシリコン基板でも、絶縁膜との界面には電荷が集まって導電層ができ、高周波信号の損失やひずみの原因になる。その界面に捕獲準位の多い層を挟むことで電荷を動けなくし、基板を高抵抗のまま保つ。主にRFスイッチなどの高周波素子向けの基板に使われる。