単結晶育成｜ウェーハ・基板製造

単結晶育成は、多結晶シリコンなどの原料を融かし、原子の並びが全体でそろった一つの結晶の塊（インゴット）に育てる工程である。結晶粒の境界があると電気特性がばらつき、素子の性能がそろわないため、ウェーハの材料には単結晶が必要になる。シリコンでの主な方法は、融液から種結晶を引き上げるCZ法（チョクラルスキー法）と、多結晶棒の一部だけを融かして融けた帯を動かすFZ法（浮遊帯域溶融法）である。

分類上の位置

工程の分類›ウェーハ・基板製造› 単結晶育成

ウェーハ・基板製造の下にある工程で、同じ分類にはほかに6工程がある。

下位の工程

• CZ法（チョクラルスキー法）：CZ法（チョクラルスキー法）は、石英るつぼで融かしたシリコンの表面に種結晶を浸し、回しながら少しずつ引き上げることで、種結晶の原子の並びを引き継いだ単結晶を成長させる方法である。
• FZ法（浮遊帯域溶融法）：FZ法（浮遊帯域溶融法）は、多結晶シリコンの棒を立てたまま一部だけを加熱して融かし、その融けた帯を棒に沿って動かすことで単結晶に変える方法である。

使う装置

• 単結晶製造装置
• PVT単結晶成長装置（昇華法）

関連ページ

• 用語集単結晶育成の詳しい解説
• 前工程シリコンウェーハの作り方と受入検査

同じ分類の工程

ウェーハスライス、ラッピング・鏡面研磨、SOI（シリコン・オン・インシュレータ）・化合物・エンジニアド基板、ウェーハ加工損傷エッチング、インゴット外周研削、ベベリング（ウェーハ外周面取り）