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半導体求人・転職

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住友電工デバイス・イノベーション株式会社半導体デバイス

【山梨】GaN-HEMTデバイス開発スペシャリスト(UIターン歓迎)

年収 450万円〜800万円山梨県昭和町デバイス・プロセス・設計デバイス開発職種分類 暫定・要確認工程デバイス評価RF・高周波パワー半導体（SiC・GaN・IGBT）パワー半導体

中途正社員リモート 出社勤務掲載日 2026/06/25公式ページ 2026/10/22 時点

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住友電工デバイス・イノベーション株式会社半導体デバイス

【山梨】高周波パッケージ開発エンジニア(中核候補)

年収 450万円〜800万円山梨県昭和町デバイス・プロセス・設計パッケージ・実装技術職種分類 暫定・要確認工程ボンディング精密機構熱・温調設計RF・高周波半導体パッケージパワー半導体

中途正社員リモート 出社勤務掲載日 2026/06/25公式ページ 2026/10/22 時点

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住友電工デバイス・イノベーション株式会社半導体デバイス

【山梨】高周波パッケージ開発スペシャリスト(UIターン歓迎)

年収 450万円〜800万円山梨県昭和町デバイス・プロセス・設計パッケージ・実装技術職種分類 暫定・要確認工程ボンディング精密機構熱・温調設計RF・高周波半導体パッケージパワー半導体（SiC・GaN・IGBT）

中途正社員リモート 出社勤務掲載日 2026/06/25公式ページ 2026/10/22 時点

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住友電工デバイス・イノベーション株式会社半導体デバイス

【山梨】高周波増幅器設計エンジニア(中核候補)

年収 450万円〜800万円山梨県昭和町デバイス・プロセス・設計アナログ・ミックスドシグナル・RF回路設計職種分類 暫定・要確認電気・回路RF・高周波パワー半導体CAD / 3D CAD

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住友電工デバイス・イノベーション株式会社半導体デバイス

【山梨】高周波増幅器設計スペシャリスト(UIターン歓迎)

年収 450万円〜800万円山梨県昭和町デバイス・プロセス・設計アナログ・ミックスドシグナル・RF回路設計職種分類 暫定・要確認電気・回路RF・高周波パワー半導体（SiC・GaN・IGBT）パワー半導体

中途正社員リモート 出社勤務掲載日 2026/06/25公式ページ 2026/10/22 時点

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