コンテンツにスキップ
SemiMapサイト内検索

RibbonFETページから移動しました

Intel は RibbonFET、Samsung は MBCFET、TSMC は nanosheet と、同じGAA系のトランジスタを別々の名前で呼びます。三つを別々の構造として比べ始めると、ゲートがチャネルをどの方向から囲むかという肝心の違いが、会社固有名の奥に隠れます。

RibbonFET とは、GAA（gate-all-around）系トランジスタを Intel が示すときの製品・技術名です。Intel 固有の対象名なので、この内容は一般名称の GAA ベースに分類し直しました。このページで読者が区別できるようになるのは、会社固有名と一般名称の対応と、構造の比較と量産移行の比較をどのページが受け持つかです。移動先は次の2ページです。

なぜ統合したか

Section titled “なぜ統合したか”

RibbonFET は、GAA nanosheet / nanoribbon 系トランジスタを Intel が示すときの製品・技術名です1。一方で、学習用に構造を比べるときは、会社ごとの製品名よりも GAA、nanosheet、nanoribbon のような一般名称で分類した方が、Samsung の MBCFET や TSMC の nanosheet 世代2とも同じ軸で比較可能です。

そのため、この旧ページは個別ブランド名の解説を増やさず、一般名称の比較ページへ案内する入口として残しています。

構造の違いを分解するときは、ブランド名よりも「ゲートがチャネルをどの方向から囲むか」を先に判定材料にします。プレーナMOSは上面から、FinFETは三方向から3、GAA系はチャネルを全周またはほぼ全周から制御する、という順で比較可能です。

図1ゲートがチャネルを囲む向き
プレーナMOS ゲート チャネル ゲートは上面の1方向 FinFET ゲート チャネル ゲートが3方向から囲む GAA ゲート チャネル ゲートが全周から囲む 一般名称で比べる軸: ゲートがチャネルに接する面の数 1方向 → 3方向 → 全周の順に右へ 同じGAA系の会社固有名 Intel: RibbonFET Samsung: MBCFET TSMC: nanosheet 世代
プレーナMOSはゲートが上面の1方向、FinFETは3方向、GAAは全周またはほぼ全周からチャネルを囲みます。Intel の RibbonFET、Samsung の MBCFET、TSMC の nanosheet 世代は、いずれも右端のGAA系に入る会社固有名です。

図1で三つの断面を分けるのは、ゲートがチャネルに接する面の数です。プレーナMOSは上面の1方向、FinFETは3方向、GAA系は全周またはほぼ全周で、Intel の RibbonFET、Samsung の MBCFET、TSMC の nanosheet 世代はいずれも右端のGAA系に入ります。

目的別の移動先

Section titled “目的別の移動先”

図1の断面比較から先は、比べたい対象ごとに続きのページが変わります。

対象名の対応

Section titled “対象名の対応”
対象名分解するときの位置づけ
GAAgate-all-around の一般名称4
nanosheetシート状チャネルを使うGAA系構造
nanoribbonリボン状チャネルを使うGAA系構造
RibbonFETIntel が使うGAA系トランジスタ名
MBCFETSamsung が使うGAA系トランジスタ名5

RibbonFET と GAA は同じ階層の語として混同されやすいのですが、実際には GAA が構造の一般名称で、RibbonFET はその構造を Intel が実装したときの名前です。表の上3行が一般名称、下2行が会社固有名で、下2行はどちらも上3行のどれかに入ります。

ブランド名を判定する場面

Section titled “ブランド名を判定する場面”

学習の最初は一般名称で十分ですが、量産ロードマップや企業発表を分解するときはブランド名も必要になります。同じGAA系でも、シート枚数、チャネル幅、inner spacer や contact、backside power delivery との組み合わせは会社ごとに異なります。そのため、ブランド名は「各社がどの世代で何を実装するか」を分解するためのラベルとして使います。ブランド名から読み始めた場合は、知りたい内容によって先に開くページが変わります。

読みたいこと優先するページ
構造の基本差GAA、FinFET、プレーナMOSの比較ページ
量産移行の判断FinFETからGAAへの移行判断ページ
各社呼称この旧URL案内と各社発表資料
次の上限GAAロードマップ、inner spacer、contact resistance、backside power delivery

旧URLを残しているのは、検索や外部リンクから来た読者を一般名称のページへ案内するためです。このページ自体の役割は、ブランド名と一般名称の橋渡しです。

旧URLで読み取れること

Section titled “旧URLで読み取れること”

このページで読み取れるのは、RibbonFET という語がGAA系トランジスタの分類のどこに入るかです。性能比較、量産時期、各社の優劣は、構造比較、移行判断、ロードマップのページを組み合わせて読んでください。会社固有名は、一般名称と対応させてから比較すると混乱しにくくなります。

設計担当が各社のプロセス世代を比べるときも、プロセス担当が装置メーカーの技術資料を読み解くときも、会社固有名を一般名称へ置き換えてから断面の比較に入ると、名前の差と構造の差を切り分けられます。次に比べる軸は、ゲートがチャネルを囲む方向を断面で追うプレーナMOS、FinFET、GAAの違いと、FinFET から GAA へ移るときの採否条件をまとめた移行判断ページです。

出典

Section titled “出典”
5件を表示
  1. 1
    Intel「Intel 18A」intel.com ・ 確認日 2026-09-09 ↩
  2. 2
    TSMC「2nm Technology」tsmc.com ・ 確認日 2026-09-09 ↩
  3. 3
  4. 4
    Samsung Semiconductor「GAA Structure Transistors」semiconductor.samsung.com ・ 確認日 2026-09-09 ↩
  5. 5