SiC材料・パワー半導体メーカー
Wolfspeed
SiC基板からパワーデバイスまで作る米国メーカー
SiCウエハーからSiCパワー半導体までを自社で作る米国メーカー。
第4四半期の粗利益率は−25%で、新しい工場を埋められるかが再建の分かれ目です。
Wolfspeedは SiC基板とエピタキシー から SiC MOSFET とパワーモジュールまでを作る米国の会社です。 2025年9月29日に連邦破産法の再建手続きを終え、再建後の会社として決算を出しています。
- FY2026 Q4 売上高 236億円 Power Products168億円、Materials Products68億円
- FY2026 Q4 営業利益 −182億円 営業利益率−77%。 粗利益率−25%、Non-GAAP粗利益率−20%
- FY2027 Q1 会社予想 売上高 221億円〜253億円 会社はNon-GAAP粗利益率のマイナスが続くと見込んでいます
FY2026第4四半期 製品別売上高決算発表
- Power Products168億円
- Materials Products68億円
この会社の要点
01立ち位置
何の会社として比べるか
WolfspeedはSiCの基板とエピウエハーを売る材料事業と、SiC MOSFET・ダイオード・モジュールを売るパワー事業を持ちます。 FY2026第4四半期の売上高236億円のうち、Power Productsが168億円、Materials Productsが68億円でした。
再建後の製品別売上高
Successor期間の製品別売上高
合計は740億円、営業損失は613億円です。
直近四半期の製品構成
製品別売上高
SiC材料
導電性SiC基板とSiCエピタキシー、RFデバイス向けのGaN on SiC、半絶縁SiC基板とGaNエピタキシーを供給します。 会社は200mmのn型ウエハーへの移行で業界を先導しているとしています。
- Conductive SiC Substrates and SiC Epitaxy
- GaN on SiC for RF Devices
- Semi-insulating SiC Substrates and GaN Epitaxy
ディスクリートSiC MOSFET
業界標準のパッケージ外形で揃えたディスクリートSiC MOSFETです。 システム設計を見直す時に、同じ外形のまま品種を選び直せるようにしています。
- Discrete Silicon Carbide MOSFETs
SiCパワーモジュール
業界標準とSiC向けに最適化した外形のパワーモジュールで、高電圧の過酷な環境向けに開発しています。 システムの効率を上げ、装置を小さく軽くするための製品です。
- Silicon Carbide Power Modules
02収益
どこで、どれくらい儲けているか
FY2026第4四半期は売上高236億円に対し、粗損失が58億円、営業損失が182億円でした。 売上原価が売上を上回る状態で、会社はFY2027第1四半期もNon-GAAP粗利益率がマイナスのままと見込んでいます。
740億円
2025年9月30日からFY2026末までの再建後の期間です。 Power Products513億円、Materials Products227億円で、営業損失は613億円、研究開発費は126億円でした。
03強みとリスク
強みと、リスク・検討点
強みはSiCを基板から自社で作れることです。 デバイス生産は200mmへ移り、AIデータセンター向けの売上が伸びています。
強み
- 基板からデバイスまで自社で作る
SiC基板、SiC MOSFETとショットキーダイオード、パワーモジュールを米国の自社工場で作り、組立と検査はアジアの委託先を使います。 デバイスの生産能力はFY2025に150mmから200mmへ移し終えました。
FY2026年次報告書 - AIデータセンター向けが伸びている
AIデータセンター向けの売上高はFY2026に前年の倍以上になり、第4四半期は前四半期から約20%増えました。 会社はシリコンバレーにデータセンター向けの専任チームを立ち上げ、LITEON Technologyとの戦略的協業も始めました。
FY2026第4四半期決算 - 高耐圧の新製品
第五世代のSiC MOSFETを発売しました。 10kV MOSFETは2026年のPCIM（Power Conversion and Intelligent Motion）で「Top Innovation」に選ばれ、会社はGE Aerospaceとの覚書（MOU）も発表しました。
FY2026第4四半期決算
リスク・検討点
- 赤字が続いている
FY2026第4四半期の粗利益率は−25%、営業利益率は−77%でした。 会社はFY2027第1四半期もNon-GAAP粗利益率がマイナスのままと見込んでいます。
FY2026第4四半期決算 - 新工場の稼働率
会社は、Mohawk ValleyとSiler Cityの立ち上げが続く間、工場がフル稼働に達するまで利益率への圧力が続くとしています。 稼働率が低い時期の費用は大きいとも説明しています。
FY2026年次報告書 - 少数の大口顧客に頼る
Successor期間の売上高の38%は、それぞれ売上の一割超を占めた大口顧客二社向けでした。 注文の多くは長期契約のない発注書ベースです。
FY2026年次報告書 - 人員削減と150mmからの撤退
2025 Restructuring Planでは人員を累計で約28%削減し、Durhamの150mmデバイス工場はFY2026第2四半期に生産を止めました。 同じ四半期に、200mmへの移行と150mm基板の需要減を理由として、さらに約8%の人員を削減しました。
FY2026年次報告書
04待遇
給与、初任給、休日、手当
Process Engineer、Thin Films（Marcy）の年俸は1,281.6万円〜1,756.3万円です。
- 給与
- 年俸は1,281.6万円〜1,756.3万円で、実際の額は職務に関わる資格と経験などで決まります。 募集ページ から応募できます。
- 福利厚生
- 育児支援と有給の育児休暇があります。
05勤務地と職種
どこで、どんな仕事をするか
本社はDurhamです。 SiC基板はDurhamとSiler Cityの工場で作り、SiCデバイスはMarcyのMohawk Valley Fabで作ります。
主な勤務地・拠点
- Durham、North Carolina
- 本社（4600 Silicon Drive）
- Marcy、New York
- 米国拠点
- Siler City、North Carolina
- 米国拠点
- Research Triangle Park、North Carolina
- 米国拠点
- Fayetteville、Arkansas
- 米国拠点
公式拠点一覧
- Durham
- Marcy
- Siler City
- Research Triangle Park
- Fayetteville
米国内の会社拠点です。
06これから
会社が次に取りにいくもの
会社はFY2027第1四半期の売上高を221億円〜253億円と見込み、Non-GAAP粗利益率はマイナスが続く見込みです。
これからの材料
- 売上高予想
- FY2027第1四半期は221億円〜253億円です。 FY2026第4四半期決算 で示した会社予想です。
- 手元資金
- 2026年6月28日時点の現金・現金同等物・短期投資は1,740億円です。
FY2027第1四半期の会社予想
会社は売上高を221億円〜253億円、Non-GAAP営業費用を98億円〜104億円と見込んでいます。 Non-GAAP粗利益率はマイナスが続く見込みです。 会社の予想です。
設備投資は抑えた水準へ
Mohawk Valley FabとSiler Cityの拡張の初期段階はFY2025後半にほぼ終わりました。 会社は、FY2026に大きく減った投資の水準がFY2027も続くと見込んでいます。 投資水準は会社の見込みです。
07入口を選ぶ
専攻から、入口を1つに絞る
工程技術を目指すなら、MarcyのSiCウエハー工場のProcess Engineer、Thin Filmsが入口です。
Process Engineer、Thin Films
高度に自動化された新しいSiCウエハー工場で、薄膜プロセスの開発・認定・最適化を担うFull timeの職です。 Product EngineeringやR&Dと組み、新しい製品とプロセスを工場へ導入します。
Process Engineer、Thin Films求人面接で使う技術語
- Process Engineer
- Thin Films
- DoE
- Semiconductor Fabrication
半導体製造のプロセスと装置の知識、技術文書と発表の力が求められます。
他社との違いを一言で
- SiC MOSFETの電圧帯と材料
Infineon
InfineonのディスクリートCoolSiC MOSFETは400 Vから2000 Vまでの電圧クラスです。Wolfspeedは10kV MOSFETを出し、SiC基板とエピウエハーも自社で作って外部へ売ります。
- SiCパワーモジュール
三菱電機
三菱電機は2013年に第一世代のSiCモジュールの量産を始め、Full SiCとHybrid SiCのモジュールを持ちます。Wolfspeedのモジュールは業界標準とSiC最適化の外形で揃えています。
- 1200V SiC MOSFET
東芝
東芝は1200V SiC MOSFETを産業用電源、太陽光インバータ、UPS向けに出し、SiC MOSFETモジュールも作ります。WolfspeedはSiCウエハーから自社で作る点が違います。
出典13件
- 公式 公式拠点一覧
- IR FY2026第4四半期決算
- 公式 会社公式サイト
- 採用 公式採用ページ
- 採用 Process Engineer、Thin Films求人
- 公式 Discrete SiC MOSFETs
- 公式 SiC Power Modules
- 公式 SiC Materials
ほか5件
- 公式 Infineon CoolSiC
- 公式 三菱電機SiCモジュール
- 公式 東芝MOSFET
- IR FY2026第4四半期決算（SEC提出版）
- IR FY2026年次報告書