Tier B ロジック / デバイス / プロセス統合
ISCSI 2025International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
今の状態
- 現在
- 会期終了
- 段階
- 投稿受付前
- 投稿受付中
- 投稿終了
- 採否通知
- プログラム公開
- 開催中
- 終了
- 直近の会期
- 2025年11月10日〜13日開催日本・横浜Institute of Science Tokyo, Suzukakedai Campus, SUZUKAKE Hall
- 次の一手
- 発表論文は論文集で読めます。次回の日程は公式サイトで発表されます。論文集を開く
- 日程
- 要旨締切
- 開催
- 最終原稿締切
近い学会との違い
どんな学会？
1993年に軽井沢で始まった半導体界面制御の国際シンポジウム。シリコンエピタキシー、SiGe、IV族材料、ワイドバンドギャップ半導体の界面とプロセスの発表を2ページ要旨で募る。
- 位置づけ
- Tier B 国内主要・地域専門・実務主要イベント Tierの基準
- 向いている人
- トランジスタ構造、プロセスインテグレーション、新材料の研究開発者、パワー半導体や化合物半導体のデバイス技術者。国内・地域の大会やテーマを絞った会議で、発表と交流の場です。
- 主なテーマ
-
- ICSI
- ISTDM
- semiconductor interfaces
- silicon epitaxy
- SiGe
- GeSn
- SiC
- diamond
- 発表者の所属
- プログラムの筆頭著者の所属（147件） 企業8%大学67%研究機関21%学会・団体1% 主な企業：Applied Materials、STMicroelectronics、ASM International、GlobalWafers Japan、Semiconductor Technology Research d.o.o. Beograd
公式情報の目次14項目
会期・会場
2025年の会期は11月10日（月）の午後から11月13日（木）までの4日間で、会場はInstitute of Science Tokyo Suzukakedai CampusのSUZUKAKE Hallでした。11日と12日にポスターセッションが組まれています。
詳しく（公式資料5項目）
- 2025 開始日
- 2025-11-10（Opening 13:00） ISCSI-X & ICSI/ISTDM 2025 Technical Program
- 2025 最終日
- 2025-11-13（Closing 17:30） ISCSI-X & ICSI/ISTDM 2025 Technical Program
- 2025 会場
- Institute of Science Tokyo, Suzukakedai Campus, SUZUKAKE Hall（Bldg. H1/H2） ISCSI10 Venue
- 2025 会場住所
- 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama, Kanagawa 226-8501 Japan ISCSI10 Venue
- 2025 参加登録費（Early, 2025-10-10まで）
- General JPY 40,000 / Student JPY 20,000 ISCSI10 Registration
投稿・締切
2025年の投稿は、図表込み2ページの英文abstractをPDFで提出する方式でした。締切は当初2025年7月10日、延長後は7月31日で、ISCSI-Xのポスターセッションに限り9月30日まで受け付けました。
詳しく（公式資料6項目）
1ページ目の冒頭には題目、著者、所属、住所、電話番号、corresponding authorのe-mailを書きます。
- 2025 投稿書式
- 図表を含む2ページのabstract、PDFのみ、英文、8.5 x 11 inchまたはA4 ISCSI10 Abstract Submission
- 2025 abstract締切
- 2025-07-10、延長後 2025-07-31 ISCSI10 Abstract Submission
- 2025 ISCSI-Xポスター限定の締切
- 2025-09-30 ISCSI10 Abstract Submission
- 2025 投稿条件
- 未発表のオリジナルな研究 ISCSI10 Abstract Submission
- 2025 1ページ目の記載事項
- 題目、著者、所属、住所、電話番号、corresponding authorのe-mail ISCSI10 Abstract Submission
- 2025 MSSP特集号の論文締切
- 2025-12-31、延長後 2026-02-28 ISCSI10 Special Issue of MSSP
査読・選考
会議での採否はabstractの審査で決まり、abstractには研究の具体的な結果と独自性を示すことが求められます。International Technical Program CommitteeのChairはKatsunori Makihara（Nagoya Univ.）とTatsuro Maeda（AIST）です。
詳しく（公式資料4項目）
MSSP特集号の論文は、学術誌MSSPの通常の査読を経て掲載されます。
- 2025 採否の判断材料
- abstract投稿に基づいて採否を決定 ISCSI10 Abstract Submission
- 2025 abstractで示す内容
- 研究の具体的な結果と独自性 ISCSI10 Abstract Submission
- 2025 International Technical Program Committee Chair
- Katsunori Makihara（Nagoya Univ.）、Tatsuro Maeda（AIST） ISCSI10 Committee
- 2025 MSSP特集号の査読
- MSSPの通常の査読を経て掲載 ISCSI10 Special Issue of MSSP
対象分野
2025年のTopic Areasは、薄膜成長と評価、表面・界面制御、ナノ構造の形成と評価、プロセス・デバイス技術の4分野です。材料ではSi、SiGe(C)、GeSn、SiC、ダイヤモンド、III族窒化物、酸化物半導体、high-k／low-k絶縁膜までを含み、デバイスではFin FET/GAAFETや量子技術まで並びます。
主なトピック
- Surface and Interface Control表面パッシベーション、Schottky／ohmic contact、表面・界面の原子スケール評価、先端デバイスの界面課題を含む分野です。
- Thin Film Growth and CharacterizationSi、SiGe(C)、GeSn、SiC、ダイヤモンド、III族窒化物、酸化物半導体などの薄膜成長と評価を扱う分野です。
- Formation and Characterization of Nanostructures2025年のTopic Areasのうち、ナノ構造の形成と評価を扱う分野です。
- Process and Device TechnologyFin FET/GAAFET、Semiconductor-superconductor integration、Photonic devices、Quantum technologyなどを含むプロセス・デバイス技術の分野です。
- Quantum Device Fabrication2025年最終日のThA4セッション名で、トピック一覧にもQuantum technologyとSemiconductor-superconductor integrationが入っています。
詳しく（公式資料5項目）
採択論文はテーマに応じてISCSI、ICSI/ISTDM、Jointの各セッションに割り当てられました。
- 2025 Topic Areas
- Thin Film Growth and Characterization / Surface and Interface Control / Formation and Characterization of Nanostructures / Process and Device Technology ISCSI10 top page
- 2025 対象材料
- Si、Strained Si、Ge、SiGe(C)、GeSn、SiC、Diamond、Silicide、化合物半導体、III-nitrides、酸化物半導体、high-k／low-k絶縁膜 ISCSI10 top page
- 2025 表面・界面制御の項目
- 表面パッシベーション、Schottky／ohmic contact、表面・界面の原子スケール評価、先端デバイスの界面課題 ISCSI10 top page
- 2025 デバイス技術の項目
- Fin FET/GAAFET、Semiconductor-superconductor integration、Photonic devices、Quantum technology ほか ISCSI10 top page
- 2025 セッション割り当て
- テーマに応じてISCSI、ICSI/ISTDM、Joint sessionsのいずれかに優先的に配置 ISCSI10 top page
プログラム
11月10日にはISCSI-X 10th Anniversary Sessionがあり、Keynoteは東京大学のShinichi Takagiらによる極薄nano-sheet MOSFETのチャネル工学、PlenaryはAISTのKazuya MasuとApplied MaterialsのSaurabh Chopraらが登壇しました。13日にはThA4 Quantum Device FabricationやThB2 Emerging Technologiesのセッションがありました。
詳しく（公式資料7項目）
ポスターセッションは11月11日17:20〜18:40のTuP Poster 1と12日16:40〜18:00のWeP Poster 2で、展示も行われました。
- 2025 Keynote
- Shinichi Takagi ほか（Univ. of Tokyo）「Channel engineering for extremely-thin nano-sheet MOSFETs」 ISCSI-X & ICSI/ISTDM 2025 Technical Program
- 2025 Plenary（Applied Materials）
- Saurabh Chopra ほか「Epitaxial Processes for Advanced CMOS Logic and Memory Applications」 ISCSI-X & ICSI/ISTDM 2025 Technical Program
- 2025 Plenary（AIST）
- Kazuya Masu「Semiconductors in the Agile Dynamic Era: From Process Innovation to System Integration」 ISCSI-X & ICSI/ISTDM 2025 Technical Program
- 2025 記念セッション
- MoM ISCSI-X 10th Anniversary Session（11月10日 13:40〜15:00） ISCSI-X & ICSI/ISTDM 2025 Technical Program
- 2025 ポスターセッション
- TuP Poster 1（11月11日 17:20〜18:40）、WeP Poster 2（11月12日 16:40〜18:00） ISCSI-X & ICSI/ISTDM 2025 Technical Program
- 2025 Thursday セッション例
- ThA4 Quantum Device Fabrication、ThB2 Emerging Technologies ISCSI-X & ICSI/ISTDM 2025 Technical Program
- 2025 招待講演者（企業所属の例）
- Tomoyuki Horikawa（GlobalWafers Japan）、Stefan Kubicek（imec）、Lutz Muehlenbein（ASM）、Tamás Sipőcz（Semilab） ISCSI10 Plenary/Keynote/Invited Speakers
発表と委員会の顔ぶれ
プログラムの筆頭著者の所属（147件）
- 企業8.2%
- 大学66.7%
- 研究機関21.1%
- 学会・団体0.7%
企業
- Applied Materials6
- STMicroelectronics3
- ASM International1
- GlobalWafers Japan1
- Semiconductor Technology Research d.o.o. Beograd1
国・地域
- 日本60
- ドイツ25
- 米国10
- イタリア9
- 台湾9
- フランス7
- オランダ6
- カナダ5
- インド4
- ベルギー4
ほか6か国・地域
- セルビア2
- 韓国2
- スロベニア1
- ハンガリー1
- ブルガリア1
- 英国1
委員会の所属（132件）
- 企業12.1%
- 大学65.9%
- 研究機関22%
企業
- GlobalWafers Japan3
- Applied Materials2
- IBM1
- IntelliEPI1
- KOKUSAI ELECTRIC1
- Mattson Technology1
- Nippon Telegraph and Telephone1
- NTT Advanced Technology1
- Renesas Electronics1
- SCIOCS1
ほか3社
- Thermo Fisher Scientific1
- Tower Partners Semiconductor1
- Toyota Central R&D Labs.1
スポンサー・出展（17団体）
- 企業64.7%
- 学会・団体35.3%
- Applied Materials
- Samco
- KIOXIA
- Seinan Industries Co., Ltd
- R-DEC Co., Ltd
- J. A. Woollam, Japan
- Eiko Corporation
- MeiwaForsis Co., Ltd.
- Dr. Eberl MBE Komponenten GmbH
- STR Japan K.K.
- KEISOKU ENGINEERING SYSTEM CO., LTD.
- Japan Society of Newer Metals
ほか5団体
- The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers (IEICE)
- Ministry of Economy, Trade and Industry
- JSAP Thin Film and Surface Physics Division
- JSAP Silicon Technology Division
- IEEE EDS Japan Chapter
委員会・展示
ICSI/ISTDMのOrganizing Committee Vice-Chairはimec（Belgium）のRoger Looです。International Advisory CommitteeにはMattson Technology、IBM、Applied Materials（いずれもUSA）の所属委員が、TPCにはRenesas Electronics、KOKUSAI ELECTRIC、Toyota Central R&D Labs.、GlobalWafers Japanの所属委員がいます。
詳しく（公式資料6項目）
スポンサーはApplied Materials、Samco、KIOXIA、Seinan Industriesで、展示にはR-DEC、STR Japanなど7社が出展しました。
- 2025 ISCSI-X Sponsors
- Applied Materials / Samco / KIOXIA / Seinan Industries Co., Ltd ISCSI10 Sponsors
- 2025 Exhibitors
- R-DEC / J. A. Whoollam, Japan / Eiko / MeiwaForsis / Dr. Eberl MBE Komponenten / STR Japan / KEISOKU ENGINEERING SYSTEM ISCSI10 Exhibitors
- 2025 ICSI/ISTDM Organizing Committee Vice-Chair
- Roger Loo（IMEC, Belgium） ISCSI10 Committee
- 2025 TPC委員の企業所属（例）
- Renesas Electronics、KOKUSAI ELECTRIC、Toyota Central R&D Labs.、GlobalWafers Japan ISCSI10 Committee
- 2025 International Advisory Committee の企業所属（例）
- Mattson Technology、IBM、Applied Materials（いずれもUSA） ISCSI10 Committee
- 2025 プログラム所属の国表記（例）
- Belgium（imec）など、セッション座長・著者の所属に国名を併記 ISCSI-X & ICSI/ISTDM 2025 Technical Program
論文の公開
2025年の論文はElsevierの学術誌Materials Science in Semiconductor Processing（MSSP）の特集号として出版されます。掲載料は無料で、Open Accessは著者が有料で選ぶ方式です。
詳しく（公式資料5項目）
会議で発表していない関連分野の論文も特集号に投稿でき、abstract集は参加登録者向けにオンラインで配布されました。
- 2025 proceedings掲載先
- Elsevier, Materials Science in Semiconductor Processing の特集号 ISCSI10 Abstract Submission
- 2025 特集号の投稿区分名
- VSI: ISCSI & ICSI/ISTDM – Research Paper / Review Article ISCSI10 Special Issue of MSSP
- 2025 特集号の掲載料
- 無料（Open Accessは任意・有料） ISCSI10 Special Issue of MSSP
- 2025 特集号への非発表者の投稿
- 会議で発表していない関連分野の論文も投稿可 ISCSI10 Special Issue of MSSP
- 2025 abstract集の配布
- 11月10日10時以降、登録IDとパスワードでオンライン取得 ISCSI10 top page
沿革
公式サイトはISCSIシリーズの初回を1993年の軽井沢としています。その後は1996・1999・2002年に軽井沢、2007年に八王子、2013年に福岡、2016年と2022年に名古屋、2019年に仙台で開かれました。
詳しく（公式資料6項目）
合同相手のICSIは1999年に宮城・蔵王で、ISTDMは2003年に名古屋で始まり、合同のISTDM/ICSIとしては2018年にPotsdam、2023年にComoで開かれています。
- 初回開催
- 1993年、軽井沢 ISCSI10 top page
- 開催地の推移
- 1996・1999・2002 軽井沢 / 2007 八王子 / 2013 福岡 / 2016・2022 名古屋 / 2019 仙台 ISCSI10 top page
- ISCSI-IX
- 2022-09-07〜09、Nagoya University ISCSI10 top page
- ICSIの初回
- 1999年、宮城・蔵王 ISCSI10 top page
- ISTDM/ICSI合同開催
- 2018 Potsdam、2023 Como ISCSI10 top page
- 過去の合同開催（ISCSIとICSI/ISTDM）
- ISCSI-VII / ISTDM2016（名古屋大学）、ICSI-8 / ISCSI-VI（2013、九州大学） ISCSI10 top page
近い学会との違い
ISCSIは公式サイトで半導体界面の研究結果を議論し情報交換する場と説明されています。合同相手のICSI/ISTDMは、IV族半導体工学を材料科学からデバイス応用まで議論する会議と書かれています。
詳しく（公式資料3項目）
- ISCSIの自己記述
- 半導体界面の研究結果を議論し情報交換する場 ISCSI10 top page
- ICSI/ISTDMの自己記述
- IV族半導体工学を材料科学からデバイス応用まで議論 ISCSI10 top page
- ISTDMの初回
- 2003年、名古屋 ISCSI10 top page
参加・活用
学生の参加登録費は一般の半額（早期JPY 20,000）です。MSSP特集号は掲載料が無料で、会議で発表していない関連論文も投稿できます。
詳しく（公式資料3項目）
同伴者登録はJPY 5,000で、レセプション・休憩・バンケットに参加でき、セッションには参加できません。
- 2025 学生登録費
- Early JPY 20,000 / 以降 JPY 25,000 ISCSI10 Registration
- 2025 同伴者登録
- JPY 5,000、レセプション・休憩・バンケットに参加可、セッションは不可 ISCSI10 Registration
- 2025 特集号論文の公開時期
- 査読完了・採択後すぐにオンライン公開 ISCSI10 Special Issue of MSSP
名称・主催
詳しく（公式資料4項目）
- 正式名称・第N回
- 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces（ISCSI-X） ISCSI10 top page
- 2025 合同開催の相手
- International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting（ICSI/ISTDM 2025） ISCSI10 top page
- ISCSI-X endorsement
- Japan Society of Newer Metals / IEICE / Ministry of Economy, Trade and Industry / JSAP Thin Film and Surface Physics Division / JSAP Silicon Technology Division / IEEE EDS Japan Chapter ISCSI10 Endorsement
- 2025 Organizing Committee Chairs
- Kenji Shiojima（Univ. of Fukui）、Osamu Nakatsuka（Nagoya Univ.） ISCSI10 Committee
よくある質問
ISCSIはいつから開かれていますか？
公式サイトはシリーズの初回を1993年の軽井沢としています。その後、軽井沢、八王子、福岡、名古屋、仙台で開かれ、2025年が第10回でした。
2025年の会期と会場は？
2025年11月10〜13日に、Institute of Science Tokyo Suzukakedai CampusのSUZUKAKE Hall（横浜市緑区長津田町）で開かれました。
ICSI/ISTDMとはどういう関係ですか？
2025年はISCSI-XとICSI/ISTDM 2025が同じ会場・会期で合同開催され、採択論文はテーマに応じてISCSI、ICSI/ISTDM、Jointの各セッションに割り当てられました。2013年と2016年にも合同で開かれています。
何を投稿しますか？
図表込み2ページの英文abstractをPDFで提出します。採否はabstractで決まり、未発表のオリジナルな研究であることが条件です。
論文はどこに載りますか？
Elsevierの学術誌Materials Science in Semiconductor Processing（MSSP）の特集号に投稿でき、MSSPの通常の査読を経て掲載されます。掲載料は無料で、Open Accessは任意・有料です。
どの企業が協賛・出展しましたか？
2025年のスポンサーはApplied Materials、Samco、KIOXIA、Seinan Industriesで、展示にはR-DEC、Eiko、STR Japanなど7社が出展しました。
公式資料
- ISCSI10 top page 公式サイト
- ISCSI10 Abstract Submission 募集要項
- ISCSI10 Special Issue of MSSP 論文集
- ISCSI-X & ICSI/ISTDM 2025 Technical Program プログラム
- ISCSI10 Plenary/Keynote/Invited Speakers プログラム
- ISCSI10 Committee 委員会
- ISCSI10 Venue 会場
- ISCSI10 Registration 参加登録
ほか3件
- ISCSI10 Sponsors スポンサー・展示
- ISCSI10 Exhibitors スポンサー・展示
- ISCSI10 Endorsement 主催学会