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Tier A ロジック / デバイス / プロセス統合

SISC 2026IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference

今の状態

現在
採否通知後・開催準備段階投稿受付は終了
段階
  1. 投稿受付前
  2. 投稿受付中
  3. 投稿終了
  4. 採否通知
  5. プログラム公開
  6. 開催中
  7. 終了
次
12月9日〜12日開催開幕まであと55日米国・サンディエゴCatamaran Resort Hotel, San Diego, CA
次の一手
聴講する人は参加登録と渡航の準備を進める時期です。公式サイト
日程
  1. 要旨締切
  2. 採否通知
  3. 開催

近い学会との違い

どんな学会?

1965年に始まったIEEE EDSの半導体界面の会議。誘電体と界面の研究をSiC・SiGeまで広げ、招待・一般・ポスター発表で専門家どうしが深く討論する。

位置づけ
Tier A サブ分野トップ級・地域主要国際会議 Tierの基準
向いている人
トランジスタ構造、プロセスインテグレーション、新材料の研究開発者、メモリ、信頼性、故障解析の技術者。テーマが合う研究の有力な発表先です。
主なテーマ
  • semiconductor interfaces
  • gate dielectrics
  • high-k
  • ferroelectric devices
  • reliability
  • SiC
  • GaN
  • 2D channels
発表者の所属
2025年 プログラムの筆頭著者の所属(100件) 企業9%大学74%研究機関17% 主な企業:Applied Research & Photonics、ASML、Hitachi、IBM、Micron Technology Inc.
投稿形式
拡張要旨(2ページ以内)
開始年
1965年
公式情報の目次14項目

会期・会場

2026年の会期は12月9日〜12日で、初日の9日はTutorialの日です。会場は米国カリフォルニア州San DiegoのCatamaran Resort Hotelで、Call for papersは2026年を完全な現地開催と書いています。

詳しく(公式資料6項目)

preliminary programと参加登録はすでに公開されており、early registrationは11月4日に締め切られます。

2026 会期
2026-12-09〜12(Tutorialは12月9日) IEEE SISC home
2026 会場
Catamaran Resort Hotel, San Diego, CA, USA IEEE SISC home
2026 開催形式
現地開催(fully in-person) SISC Call for papers
2026 preliminary program
公開済み(参加登録・ホテル予約と同時に案内) IEEE SISC home
2026 early registration締切
11月4日 IEEE SISC home
2026 IEDMとの日程関係(Call for papersの表記)
IEDMの直前に開催 home pageには「right after the IEDM」という表記も残っています。 SISC Call for papers

投稿・締切

投稿は図と参考文献を含めて2ページ以内のextended abstractです。書式はTimes New RomanとSymbolのみ、本文11pt以上、図は12枚までと決まっています。

詳しく(公式資料5項目)

2026年の締切は2026年8月21日(PST)に延長されました。オンライン投稿は現在閉じています。

投稿区分
extended abstract(図・参考文献込みで2ページ以内) SISC Abstract submission
書式:フォント
Times New RomanとSymbolのみ、本文11pt以上 SISC Abstract submission
書式:図の数
12枚まで SISC Abstract submission
2026 abstract締切(延長後)
2026-08-21(PST) SISC Call for papers
投稿受付の状態
オンライン投稿は終了 SISC Abstract submission

査読・選考

abstractは新規性と先行研究との差で一部評価されると投稿案内は書いています。結果や図の大半が既発表のabstractは採択されにくく、今後得られる予定の結果だけを書いたものは審査の対象になりません。

詳しく(公式資料4項目)

学生賞の受賞者はtechnical program committeeの委員が会期末に選びます。

審査観点:新規性
novelty と先行研究との差(differentiation from prior work) SISC Abstract submission
審査観点:既発表の扱い
結果と図の大半が既発表のabstractは採択されにくい SISC Abstract submission
審査観点:予定の結果
今後の結果の予告だけでは審査対象にならない SISC Abstract submission
学生賞の選考
technical program committeeの委員が会期末に選ぶ SISC 2026 preliminary Conference Program (PDF)

対象分野

SISCの中心は半導体と絶縁膜の界面、絶縁薄膜の物理、材料科学とデバイス物理と最先端技術の相互作用です。2026年のCall for papersは、logic、AI向け不揮発メモリ、wide bandgapのpower device、強誘電体デバイス、BEOL oxide transistorなどの領域を募りました。

主なトピック

  • 強誘電体(HZO、FeFET、FeRAM)2026年はFerroelectric Memory I・IIの2 sessionが組まれ、Call for papersもFeFETやFeRAMなどの強誘電体デバイスを対象に挙げています。
  • 2D channel2026年は2D Channel I・IIの2 sessionが組まれ、Tutorialの題目にも2D Materialsの信頼性が入っています。
  • BEOL oxide transistor / 3D DRAMCFPはBEOL oxide transistorを対象に挙げ、2026年にはBEOL FETのsessionとKioxiaの3D OCTRAMの招待講演があります。
  • wide bandgap power deviceのgate絶縁膜2026年はWide Bandgapのsessionがあり、Call for papersもSiC、GaN、β-Ga2O3などのWide Bandgap semiconductor power devicesを対象に挙げています。
  • 信頼性2026年のTutorialはSi、SiC、2D材料に共通する信頼性の課題を扱い、IntelのRahul RamamurthyもTransistor Reliabilityで招待講演します。
詳しく(公式資料7項目)

2026年のprogramはSilicon、Emerging Memories、2D Channel、BEOL FET、Ferroelectric Memory、Characterization、Wide Bandgap、Advanced Technologiesのsessionで組まれています。

主要テーマ
semiconductor/insulator interfaces、絶縁薄膜の物理、材料科学・デバイス物理・最先端技術の相互作用 IEEE SISC home
2026 CFP領域:logic
Logic Devices for future technology nodes (Nanosheet, CFET, VFET, etc.) SISC Call for papers
2026 CFP領域:メモリ
Non-Volatile Memory for AI / In-Memory / Neuromorphic Compute (ReRAM, PCM, ECRAM, etc.) SISC Call for papers
2026 CFP領域:wide bandgap
Wide Bandgap semiconductor power devices(SiC、GaN、β-Ga2O3など) SISC Call for papers
2026 CFP領域:強誘電体
Ferroelectric devices (FeFET, FeRAM, etc.) SISC Call for papers
2026 CFP領域:BEOL・実装
Monolithic and/or Heterogeneous ICs (BEOL oxide transistors, interconnects, packaging, etc.) SISC Call for papers
2026 program session構成
Session 1〜12(Silicon、Emerging Memories、2D Channel I/II、Poster Preview I/II、BEOL FET、Ferroelectric Memory I/II、Characterization、Wide Bandgap、Advanced Technologies) SISC 2026 preliminary Conference Program (PDF)

プログラム

2026年は12月9日夜に、TU ViennaのTibor Grasser教授によるTutorial「New Devices, Same Problems: Reliability Lessons from Si, SiC, and 2D Materials」で始まり、12のsessionが続きます。招待講演は企業と大学の双方から選ばれ、Kioxia、Intelなどの講演者が並びます。

詳しく(公式資料7項目)

10日夜はReception & Poster Session、11日夜はConference Banquet & Limerick Contestです。

2026 Tutorial
Prof. Tibor Grasser(TU Vienna, Austria)「New Devices, Same Problems: Reliability Lessons from Si, SiC, and 2D Materials」 SISC Call for papers
2026 招待講演の構成
企業と大学の双方からの招待講演 SISC Technical program
2026 招待講演(例)
Dr. Keiji Ikeda, Kioxia, Japan「Replacement-channel GAA Nanosheet FET for 3D Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM (3D OCTRAM)」 SISC Technical program
2026 招待講演(例)
Dr. Rahul Ramamurthy, Intel「Transistor Reliability in the Angstrom Era: Sustaining the Momentum of Moore's Law」 SISC Technical program
2026 poster
12月10日夜にReception & Poster Session SISC 2026 preliminary Conference Program (PDF)
2026 併催行事
Conference Banquet & Limerick Contest(12月11日夜) SISC 2026 preliminary Conference Program (PDF)
賞
E. H. Nicollianを記念したBest Student Presentation Award、T. P. Maを記念したBest Poster Award SISC Call for papers

発表と委員会の顔ぶれ

2025年 プログラムの筆頭著者の所属(100件)

プログラム

  • 企業9%
  • 大学74%
  • 研究機関17%

企業

  1. Applied Research & Photonics1
  2. ASML1
  3. Hitachi1
  4. IBM1
  5. Micron Technology Inc.1
  6. onsemi Korea1
  7. STMicroelectronics France1
  8. TEL Technology Center America1
  9. Toyota1

国・地域

  1. 米国41
  2. 中国20
  3. 台湾8
  4. 日本7
  5. 韓国6
  6. 英国4
  7. シンガポール3
  8. アイルランド2
  9. サウジアラビア2
  10. フランス2
ほか5か国・地域
  1. インド1
  2. オーストリア1
  3. オランダ1
  4. ドイツ1
  5. ベルギー1

2026年 委員会の所属(18名)

委員会名簿

  • 企業16.7%
  • 大学61.1%
  • 研究機関22.2%

企業

  1. IBM1
  2. Intel1
  3. TSMC1

スポンサー・出展(2団体)

スポンサー一覧

学会・団体100%

  • IEEE
  • IEEE Electron Devices Society

委員会・展示

2026年のGeneral ChairはNational University of SingaporeのXiao Gong、Program ChairはTSMCのMatthias Passlackです。Technical Program Committeeには日本からU. Tokyo、AIST、Institute of Science Tokyoの委員が入っています。

詳しく(公式資料6項目)

2026年programのAffiliation Indexには、Kioxia、SUMCO Corporation、Sony Semiconductor Solutions、SCREEN、Hitachiなど日本の企業が国名付きで印字されています。

2026 General Chair
Xiao Gong(National U. of Singapore) SISC 2026 preliminary Conference Program (PDF)
2026 Program Chair
Matthias Passlack(TSMC, CA, USA) SISC 2026 preliminary Conference Program (PDF)
2026 Technical Program Committee(日本の所属)
M. Kobayashi(U. Tokyo)、H. Oka(AIST)、H. Wakabayashi(Institute of Science Tokyo) SISC committees
2026 Technical Program Committee(企業の所属)
M. M. Frank(IBM, USA)、A. Penumatcha(Intel, USA)など SISC committees
2026 Affiliation Index(日本の企業)
Kioxia, Japan / SUMCO Corporation, Japan / Sony Semiconductor Solutions, Japan / SCREEN, Japan / Hitachi, Japan SISC 2026 preliminary Conference Program (PDF)
2026 Affiliation Index(所在国の表記例)
国名付きの所属にAustralia、Belgium、China、France、Germany、India、Ireland、Japan、Korea、Saudi Arabia、Singapore、Taiwan、The Netherlands、UKがあり、米国の所属は州名付きまたは国名なしで印字 SISC 2026 preliminary Conference Program (PDF)

論文の公開

programに掲載されたabstractは、SISC参加者向けの資料です。会議のポリシーとして、abstractそのものは参考文献に挙げず、発表を引用します。

詳しく(公式資料4項目)

この扱いは、新しい未発表の成果や議論のある成果の投稿を促すためです。著者は発表した内容を別の場で自由に公表できます。

過去のtechnical programは公式サイトのPast conferencesに年ごとのPDFで並び、2025年の第56回まであります。

2026 abstract集の位置づけ
SISC参加者向け SISC 2026 preliminary Conference Program (PDF)
引用ポリシー
abstractは参考文献に挙げない(発表は引用可) SISC 2026 preliminary Conference Program (PDF)
著者による論文化
発表内容は著者が自由に公表できる SISC 2026 preliminary Conference Program (PDF)
過去のtechnical program
Past conferencesページに年ごとのPDF(56th SISC 2025まで) SISC Past conferences

沿革

公式サイトによると最初のSISCは1965年に招待制で開かれ、現在は公開の会議です。Past conferencesページには2025年の第56回までのtechnical programが並び、1994年にまとめられた最初の25年の歴史資料も置かれています。

詳しく(公式資料6項目)

学生向けの賞は1995年にNicollian賞、2021年にT. P. Ma賞が加わり、Wednesday Evening Tutorialは2008年に始まりました。

初回
1965年(招待制) IEEE SISC home
現在の参加形態
公開の会議 IEEE SISC home
歴史資料
A brief history of the first 25 years of SISC(1994) SISC Past conferences
Nicollian賞の開始
1995年(best student presentation) SISC 2026 preliminary Conference Program (PDF)
T. P. Ma賞の開始
2021年(best student poster) SISC 2026 preliminary Conference Program (PDF)
Wednesday Evening Tutorialの開始
SISC 2008 SISC 2026 preliminary Conference Program (PDF)

近い学会との違い

SISCの公式サイトは、自らを界面に関わる幅広いテーマを扱う会議と書き、従来のシリコンデバイス(SiC、SiGe系を含む)から高移動度半導体の界面、最先端の先の新領域までを範囲に挙げています。会期はIEDMに近接する12月に組まれ、abstractを参考文献に挙げないポリシーで未発表や議論途中の成果を出しやすくしています。

詳しく(公式資料2項目)

2026年のCall for papersは、logic、AI向け不揮発メモリ、強誘電体デバイス、wide bandgapのpower deviceなどを募っています。

対象の幅
シリコン系(SiC、SiGeを含む)から高移動度半導体界面、最先端の先の新領域まで IEEE SISC home
abstract集の目的
新しい未発表の成果や議論のある成果の投稿を促す SISC Past conferences

参加・活用

Wednesday Evening Tutorialは学生と分野に新しく入った人を特に想定した講義で、登録者は追加費用なしで参加できます。学生には口頭発表とposterの両方に賞があります。

詳しく(公式資料3項目)

Past conferencesには年ごとのtechnical programと過去のTutorialが並び、2025年のTutorialはASMLとUC BerkeleyのAnthony Yen教授によるフォトリソグラフィの講義でした。

Tutorialの対象
学生と分野の新規参入者 SISC Call for papers
Tutorialの参加費
SISC登録者は無料 SISC Past conferences
過去のTutorial(例)
2025: Prof. Anthony Yen(ASML and UC Berkeley)Photolithography for Semiconductor Manufacturing SISC Past conferences

名称・主催

詳しく(公式資料4項目)
正式名称
IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) IEEE SISC home
2026 回次
第57回(57th IEEE SISC) SISC 2026 preliminary Conference Program (PDF)
主催
IEEE Electron Device(s) Society Call for papersでは「Electron Device Society」、home pageでは「Electron Devices Society」と表記されています。 SISC Call for papers
会議の形式
workshop-style conference(招待講演・一般講演、posterとrump session) SISC Call for papers

よくある質問

SISC 2026はいつ、どこで開かれますか?

2026年12月9日〜12日に米国San DiegoのCatamaran Resort Hotelで開かれます。9日はTutorialの日で、Call for papersは2026年を完全な現地開催としています。

どんな形式で投稿しますか?

図と参考文献を含めて2ページ以内のextended abstractを出します。2026年の締切は8月21日(PST)に延長されました。

SISCのabstractは論文として引用できますか?

会議のポリシーではabstractを参考文献に挙げず、発表を引用します。著者は発表した内容を別途自由に論文化できます。

誰が主催していますか?

IEEEのElectron Devices Societyが主催しています。2026年のGeneral ChairはNational University of SingaporeのXiao Gong、Program ChairはTSMCのMatthias Passlackです。

いつから続いている会議ですか?

公式サイトによると最初のSISCは1965年に招待制で開かれました。2026年は第57回です。

学生向けの企画はありますか?

学生と新規参入者を想定したWednesday Evening Tutorialがあり、登録者は無料で参加できます。学生の口頭発表にはNicollian賞、posterにはT. P. Ma賞があります。

公式資料

  1. IEEE SISC home 公式サイト
  2. SISC Call for papers 募集要項
  3. SISC Abstract submission 募集要項
  4. SISC Technical program プログラム
  5. SISC 2026 preliminary Conference Program (PDF) プログラム
  6. SISC Past conferences 沿革
  7. SISC committees 委員会