Tier S ロジック / デバイス / プロセス統合
IWN 2026International Workshop on Nitride Semiconductors
今の状態
- 現在
- 投稿受付終了・開催準備段階通常投稿・Late News投稿は終了
- 段階
- 投稿受付前
- 投稿受付中
- 投稿終了
- 採否通知
- プログラム公開
- 開催中
- 終了
- 次
- 11月8日〜13日開催開幕まであと24日日本・熊本Kumamoto-jo Hall
- 次の一手
- 投稿は締め切られました。聴講は参加登録から申し込めます。公式サイト
- 日程
- 要旨締切
- Late News締切
- 開催
近い学会との違い
どんな学会?
窒化物半導体の国際会議で、2000年に名古屋で始まり隔年で世界を巡回する。ICNSと年を交互にし、結晶成長と物性からパワー用GaN、光・高周波デバイスまでの発表が集まる。
- 位置づけ
- Tier S 特定大分野の世界旗艦級 Tierの基準
- 向いている人
- パワー半導体や化合物半導体のデバイス技術者。この分野の主要な成果が毎回発表される会議です。
- 主なテーマ
-
- GaN
- AlN
- epitaxy
- RF devices
- power devices
- optoelectronics
- nitride processing
- 発表者の所属
- 2026年 講演者の所属(61件) 企業16%大学74%研究機関8%公的機関2% 主な企業:NTT Basic Research Laboratories、Crystal IS, Inc.、Nichia Corporation、onsemi (ON Semiconductor Corporation)、Sony Semiconductor Solutions Corporation
公式情報の目次13項目
会期・会場
IWN2026の会期は2026年11月8日〜13日で、会場はKumamoto Castle Hallです。公式サイトは予定どおり開催すると案内しています。
詳しく(公式資料6項目)
programは11月9日のOpeningから13日のClosingまで組まれ、11月12日夜のBanquetはHotel Nikko Kumamotoで開かれます。参加登録はEarly-birdが8月1日〜9月30日、Normalが10月1日〜10月29日です。
- 2026 会期
- 2026-11-08〜13 / Kumamoto IWN2026 home
- 2026 会場
- Kumamoto Castle Hall IWN2026 home
- 2026 Opening
- 11月9日(月)8:45、Main Hall IWN2026 Advance Program (Program Only, PDF)
- 2026 Closing
- 11月13日 17:05〜17:35、Main Hall IWN2026 Advance Program (Program Only, PDF)
- 2026 参加登録期間
- Early-bird 8月1日〜9月30日、Normal 10月1日〜10月29日 IWN2026 home
- 2026 Final Program公開予定
- 2026年10月上旬 IWN2026 home
投稿・締切
投稿はA4・余白25 mmのcamera-ready abstractをPDFで出す形式で、abstract本体は1ページに収め、2ページ目に査読用の補足情報を任意で付けられます。通常abstractの締切は6月14日から6月28日(JST)に延長され、Late Newsの締切は8月30日(JST)でした。
詳しく(公式資料6項目)
採否は8月中旬に通知される予定でした。
- 書式
- A4、四辺25 mm余白、PDF、1段組、Times New Roman IWN2026 Abstract Submission
- ページ数
- abstractは1ページ、2ページ目は補足情報(任意) IWN2026 Abstract Submission
- 2026 abstract締切(延長後)
- 2026-06-28 23:59 JST(当初6月14日) IWN2026 Abstract Submission
- 2026 Late News締切
- 2026-08-30 23:59 JST IWN2026 Abstract Submission
- 2026 採否通知
- 2026年8月中旬 IWN2026 home
- Plenary/Invited講演者の投稿
- 別途メールで案内された手順で提出 IWN2026 Abstract Submission
査読・選考
査読には補足ページを含む2ページ全体が使われ、公開されるのは1ページ目だけです。abstractはProgram Committeeが評点します。
詳しく(公式資料4項目)
2026年の賞はBest Paper Award、Best Student Award、Outstanding Student Award、Young Researcher Poster Awardの4つで、Best Paper Awardは一般口頭発表(invitedへ格上げされたものを含む)が対象です。
- 査読に使う範囲
- 補足ページを含む2ページ全体 IWN2026 Abstract Submission
- 評価者
- Program Committeeによるabstractの評点 IWN2026 Award
- 2026 賞の種類
- Best Paper Award / Best Student Award / Outstanding Student Award / Young Researcher Poster Award IWN2026 Award
- Best Paper Awardの対象
- 一般口頭発表(invitedへ格上げされたものを含む) IWN2026 Award
対象分野
IWN2026はIII族窒化物半導体の材料とデバイスを対象にし、Topicsページは領域をGrowth、Characterization、Optical devices、Electronic devicesの4つに分けています。Growthはエピタキシャル成長からバルク成長、ドーピングと点欠陥まで、Electronic devicesはpowerとRFの用途、プロセス、信頼性までを含みます。
主なトピック
- GaN power device(縦型・高耐圧)2026年はED3「Vertical GaN Power Devices for Converter …」のsessionがあり、PlenaryでもInfineonのOliver HäberlenがGaN Power Devices: From R&D to Industrializationを講演します。
- トラップ物理と信頼性合同sessionのJT1は、GaNエレクトロニクスのトラップ物理、信頼性、デバイス工学を取り上げます。
- 発光デバイス(LED・レーザー・Micro LED)Optical devicesのTopicsにUV/VIS-LED、レーザー、mLEDが入り、PlenaryではNichia CorporationのKunimichi OmaeがGaN系発光デバイスの最近の進展を講演します。
- III族窒化物の過去・現在・未来Plenaryで、Nagoya UniversityのHiroshi Amanoが青色LEDから持続可能なエレクトロニクスのプラットフォームまでを講演します。
- Women in NitridesICNS-13〜15とIWN2022・IWN2024に続く6回目のnetworking eventが、火曜の昼に開かれます。
詳しく(公式資料7項目)
2026年のprogramには、JT1: Trap Physics, Reliability and Device Engineering in GaN ElectronicsやED3: Vertical GaN Power Devices for Converter …などのsessionがあります。
- 対象
- group-III nitride semiconductorsの材料とデバイス IWN2026 home
- 2026 Topics:Growth
- Epitaxial growth; bulk growth; doping and point defects; alloys ほか IWN2026 Topics
- 2026 Topics:Characterization
- 光学・電気特性、構造解析、欠陥評価、理論とシミュレーションなど IWN2026 Topics
- 2026 Topics:Optical devices
- UV/VIS-LED、レーザー、micro LED、太陽電池、受光素子、センサなど IWN2026 Topics
- 2026 Topics:Electronic devices
- トランジスタ、ダイオード、power・RF用途、プロセス、コンタクト、信頼性 IWN2026 Topics
- 2026 program:合同session(例)
- JT1: Trap Physics, Reliability and Device Engineering in GaN Electronics IWN2026 Advance Program (Program Only, PDF)
- 2026 program:session(例)
- ED3: Vertical GaN Power Devices for Converter … IWN2026 Advance Program (Program Only, PDF)
プログラム
PlenaryにはHiroshi Amano(Nagoya University)、Oliver Häberlen(Infineon Technologies AG)、Kunimichi Omae(Nichia Corporation)らが並びます。Poster Session Iは11月9日15:00〜17:00にCivic Hallで開かれます。
詳しく(公式資料7項目)
11月10日19:10〜21:00にはRoom A1-A3でRump Session(R-ED、R-E&O、R-AI)が開かれ、R-AIの題は「How will AI transform III-Nitrides research?」です。火曜の昼にはnetworking eventのWomen in Nitridesがあります。
- 2026 Plenary(例)
- Hiroshi Amano, Nagoya University「Past, Present, and Future of III-Nitride Semiconductors: From Blue LEDs to a Sustainable Electronics Platform」 IWN2026 Plenary & Invited speakers
- 2026 Plenary(企業)
- Oliver Häberlen, Infineon Technologies AG「GaN Power Devices: From R&D to Industrialization」 IWN2026 Plenary & Invited speakers
- 2026 Plenary(企業)
- Kunimichi Omae, Nichia Corporation, Japan IWN2026 Plenary & Invited speakers
- 2026 Poster Session I
- 11月9日 15:00〜17:00、Civic Hall IWN2026 Advance Program (Program Only, PDF)
- 2026 Rump Session
- 11月10日 19:10〜21:00、Room A1-A3(R-ED、R-E&O、R-AI) IWN2026 Advance Program (Program Only, PDF)
- 2026 Banquet
- 11月12日 19:00〜21:00、Hotel Nikko Kumamoto IWN2026 Advance Program (Program Only, PDF)
- 2026 Women in Nitrides
- 火曜昼のnetworking event(シリーズ6回目) IWN2026 Women in Nitrides
発表と委員会の顔ぶれ
2026年 講演者の所属(61件)
- 企業16.4%
- 大学73.8%
- 研究機関8.2%
- 公的機関1.6%
企業
- NTT Basic Research Laboratories2
- Crystal IS, Inc.1
- Nichia Corporation1
- onsemi (ON Semiconductor Corporation)1
- Sony Semiconductor Solutions Corporation1
- Sumitomo Chemical Co., Ltd.1
- Teledyne Scientific & Imaging, LLC1
- Texas Instruments Incorporated1
- Toyota Central R&D Labs., Inc.1
国・地域
- 米国16
- 日本15
- ドイツ7
- フランス3
- シンガポール2
- スイス2
- スウェーデン2
- ポーランド2
- 英国2
- 韓国2
ほか5か国・地域
- 香港2
- 台湾2
- 中国2
- イタリア1
- フィンランド1
2026年 委員会の所属(152件)
- 企業10.5%
- 大学77.6%
- 研究機関10.5%
- 公的機関1.3%
企業
- ams OSRAM1
- ARKESSO1
- EXALOS AG1
- Fuji Electric1
- Google1
- Intel Corporation1
- Lumileds LLC1
- NEXPERIA1
- Nichia Corporation1
- Panasonic1
ほか5社
- PlayNitride1
- Sumitomo Chemical Co., Ltd.1
- Sumitomo Electric1
- Teledyne1
- Texas Instruments Inc.1
2026年 スポンサー・出展(21社)
企業100%
- Nippon Sanso MOCVD
- Wavelord
- Mitsubishi Chemical
- Panasonic Holdings
- ADVANCE RIKO
- EpiQuest
- Mitsubishi Electric
- Attolight
- Dock Chemicals
- MBE-Komponenten
- Edinburgh Instruments
- JSW AFTY
ほか9社
- Kanematsu
- LayTec
- NuFlare Technology
- R-DEC
- Rigaku
- Samco
- Malvern Panalytical
- STR
- Sunric
委員会・展示
Organizing committeeはMie UniversityのHideto MiyakeがChair、The University of TokyoのHiroshi FujiokaがCo-Chairを務め、Program committeeのChairはNagoya UniversityのJun Sudaです。Program committeeの委員には、GoogleのAurelien DavidやSumitomo ElectricのJunji Kotaniなど企業所属者も入っています。
詳しく(公式資料5項目)
Sponsors & Exhibitorsページは、Conference Sponsors・Session Sponsors・Exhibitors・Advertisersに分けて出展・協賛企業をロゴで掲載しています。
- 2026 Organizing committee Co-Chair
- Hiroshi Fujioka, The University of Tokyo IWN2026 Organizing committee
- 2026 Program committee Chair
- Jun Suda, Nagoya University IWN2026 Program / Publication committee
- 2026 Program committee(企業所属の例)
- Aurelien David, Google IWN2026 Program / Publication committee
- 2026 Program committee(企業所属の例)
- Junji Kotani, Sumitomo Electric IWN2026 Program / Publication committee
- 2026 Sponsors & Exhibitorsの区分
- Conference Sponsors / Session Sponsors / Exhibitors / Advertisers IWN2026 Sponsors & Exhibitors
論文の公開
abstract bookは電子版で、載るのは各abstractの1ページ目だけです。2026年のabstractは2026年11月6日正午(JST)に公開される予定で、2ページ目の補足はどの段階でも公開されません。
詳しく(公式資料5項目)
会議後の論文はApplied Physics LettersまたはJournal of Applied Physicsの特集号として検討されており、通常の査読を経ます。
- abstract bookの収録範囲
- 電子版abstract bookに1ページ目のみ IWN2026 Abstract Submission
- 2026 abstract公開日時
- 2026-11-06(金)12:00 JST IWN2026 Abstract Submission
- 補足ページの扱い
- 参加者にも一般にも公開しない IWN2026 Abstract Submission
- 2026 特集号
- Applied Physics Letters または Journal of Applied Physics で検討中 IWN2026 Publication
- 特集号の査読
- 各誌の通常のpeer-review IWN2026 Publication
沿革
IWNは2000年にNagoyaで始まり、以後2年ごとに開かれています。公式サイトは過去の開催地としてAachen、Pittsburgh、Kyoto、Montreux、Tampa、Sapporo、Wrocław、Orlando、Kanazawa、Berlin、Hawaiiを挙げています。
詳しく(公式資料3項目)
Women in NitridesはICNS-13〜15とIWN2022・IWN2024に続く6回目です。
- 初回
- 2000年、Nagoya IWN2026 home
- 過去の開催地
- Aachen, Pittsburgh, Kyoto, Montreux, Tampa, Sapporo, Wrocław, Orlando, Kanazawa, Berlin, Hawaii など IWN2026 home
- Women in Nitridesの系譜
- ICNS-13・14・15、IWN2022、IWN2024に続く6回目 IWN2026 Women in Nitrides
参加・活用
大学院生は学生賞の対象で、申請時に指導教員の情報を提出します。40歳未満の著者は、Young Researcher Poster Awardの対象です。
詳しく(公式資料4項目)
Women in Nitridesは追加費用なしで参加できます。Advance ProgramはProgramsページで公開されています(Program Only版は2026-09-29付)。
- 学生賞の対象
- 大学院生(指導教員の情報を提出) IWN2026 Award
- Young Researcher Poster Awardの対象
- 40歳未満 IWN2026 Award
- Women in Nitridesの参加費
- 追加費用なし IWN2026 Women in Nitrides
- 2026 Advance Program
- Programsページで公開(Program Only版は2026-09-29付) IWN2026 Programs
名称・主催
詳しく(公式資料4項目)
- 正式名称
- International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN2026) IWN2026 home
- 2026 主催
- The Japanese Association for Crystal Growth IWN2026 home
- 開催頻度
- 隔年(biennially) IWN2026 home
- 2026 Organizing committee Chair
- Hideto Miyake, Mie University IWN2026 Organizing committee
よくある質問
IWN2026はいつ、どこで開かれますか?
2026年11月8日〜13日にKumamoto Castle Hallで開かれます。公式サイトは予定どおり開催すると案内しています。
IWNはどのくらいの頻度で開かれますか?
2000年のNagoyaを初回に、2年ごとに開かれています。
abstractの形式は?
A4・余白25 mmのPDFで、abstract本体は1ページに収めます。2ページ目に査読用の補足情報を付けられ、査読には2ページ全体が使われますが、公開されるのは1ページ目だけです。
abstractはいつ公開されますか?
2026年11月6日(金)正午(JST)に公開される予定です。2ページ目の補足はどの段階でも公開されません。
論文誌への掲載はありますか?
Applied Physics LettersまたはJournal of Applied Physicsでの特集号が検討されており、投稿論文は各誌の通常の査読を受けます。
誰が主催していますか?
The Japanese Association for Crystal Growthが主催し、Organizing committeeのChairはMie UniversityのHideto Miyakeです。
公式資料
- IWN2026 home 公式サイト
- IWN2026 Topics 募集要項
- IWN2026 Abstract Submission 募集要項
- IWN2026 Award 募集要項
- IWN2026 Publication 論文集
- IWN2026 Plenary & Invited speakers プログラム
- IWN2026 Programs プログラム
- IWN2026 Advance Program (Program Only, PDF) プログラム