Tier A ロジック / デバイス / プロセス統合
SISPAD 2026International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
今の状態
- 現在
- 会期終了
- 段階
- 投稿受付前
- 投稿受付中
- 投稿終了
- 採否通知
- プログラム公開
- 開催中
- 終了
- 直近の会期
- 9月28日〜30日開催日本・熊本Kumamoto-Jo Hall
- 次の一手
- 次回の日程は公式サイトで発表されます。公式サイト
- 日程
- 要旨締切
- 最終原稿締切
- 開催
近い学会との違い
どんな学会?
半導体のプロセスシミュレーションとデバイスモデリングを主題とする、長く続くTCAD分野の国際会議。採択論文の最終稿で技術プログラムを組む。
- 位置づけ
- Tier A サブ分野トップ級・地域主要国際会議 Tierの基準
- 向いている人
- トランジスタ構造、プロセスインテグレーション、新材料の研究開発者。テーマが合う研究の有力な発表先です。
- 主なテーマ
-
- TCAD
- GAA
- quantum transport
- reliability modeling
- process/device/circuit co-simulation
- 発表者の所属
- 2025年 プログラムの筆頭著者の所属(98件) 企業28%大学40%研究機関33% 主な企業:Samsung Electronics、STMicroelectronics、DB HiTek、Global TCAD Solutions、Synopsys
公式情報の目次13項目
会期・会場
本会議は2026年9月28日〜30日に熊本城ホール、Workshopは前日の9月27日に熊本市国際交流会館と、2か所に分かれて開かれました。開催形式はin-personです。
詳しく(公式資料5項目)
組織委員会は2026年8月10日付で「SISPAD 2026 Will Be Held as Scheduled in Kumamoto」と告知しました。次回のSISPADは米国ユタ州Salt Lake Cityで開かれます。
- 2026 本会議
- 2026-09-28〜30 / Kumamoto-Jo Hall(熊本城ホール) SISPAD2026 Venue
- 2026 Workshop
- 2026-09-27 / Kumamoto City International Center SISPAD2026 Venue
- 2026 開催形式
- in-person SISPAD2026 公式トップ
- 2026 地震後の開催告知
- 2026-08-10付で予定どおり開催と告知 SISPAD2026 公式トップ
- 次回の開催地
- Salt Lake City, Utah, USA SISPAD シリーズ公式 Home
投稿・締切
投稿は英語の2ページabstract(A4縦、図表込み、10MB未満)です。2026年のabstract締切は当初4月10日で、4月22日(AoE)に延長されました。
詳しく(公式資料7項目)
採否通知は6月3日までで、採択者は4ページのfinal paperを6月30日までに出し、出さない場合は発表がプログラムから外されます。final paperの受付は8月14日17:00(JST)まで再開されました。
- 2026 abstract締切
- 2026-04-10 → 2026-04-22(23:59 AoE)に延長 SISPAD2026 Abstract Submission
- 2026 採否通知
- 2026-06-03まで SISPAD2026 Abstract Submission
- abstractの形式
- 2ページ、A4縦、図表込み、10MB未満、10〜12pt推奨 SISPAD2026 Abstract Submission
- 2026 final paper締切
- 2026-06-30(AoE)、のち2026-08-14 17:00 JSTまで再受付 SISPAD2026 Final Paper Submission
- final paperのページ数
- 4ページ(図表込み、足りない場合は空白ページを追加) SISPAD2026 Final Paper Submission
- final paper未提出時
- 発表をプログラムから取り下げ SISPAD2026 Abstract Submission
- 2026 early-bird登録締切
- 2026-07-31 → 2026-08-14に延長 SISPAD2026 公式トップ
査読・選考
カテゴリ分類と発表形式(oral/poster)の最終決定はProgram Committeeが行います。投稿案内は、既存研究との明確な差別化(Novelty and Contribution)、実験データ・解析モデル・他のシミュレーションとの比較による検証(Validation)、数値結果を超えて物理機構を論じるPhysical Insightを望ましい要素として挙げています。
詳しく(公式資料4項目)
- 発表形式の決定
- Program Committee が最終決定 SISPAD2026 Abstract Submission
- 推奨される観点(検証)
- 実験データ・解析モデル・他のシミュレーションとの比較 SISPAD2026 Abstract Submission
- 推奨される観点(物理的洞察)
- 数値結果を超えて物理機構を議論 SISPAD2026 Abstract Submission
- 推奨される観点(新規性)
- 既存研究との明確な差別化 SISPAD2026 Abstract Submission
対象分野
対象は半導体デバイスとプロセスのモデリング・シミュレーションです。FinFET、GAA FET、ultra-thin SOI、TFT、memories、power electronic devicesなどの既存デバイス、tunnel FETやcryogenic CMOS、neuromorphic devices、量子計算デバイスなどの新規デバイスを含みます。
主なトピック
- GAA / CFET のデバイスシミュレーションScopeが既存デバイスとしてGAA FETsを挙げ、2026年のinvited講演にはmonolithic CFETのDCシミュレーションがあります。
- 量子輸送2026年のplenaryの1件(Nobuya Mori)が量子輸送を題目にしています。
- Cryogenic CMOSScopeの新規デバイスに含まれ、EPFLのplenaryが極低温MOSFETモデルを扱います。
- プロセスシミュレーション(プラズマ・エッチング)2026年のWorkshopで、University of MichiganのMark J. Kushnerがプラズマ反応器と形状スケールの統合モデリング、cryogenic etchingへの応用を講演しました。
- 先端パッケージのモデリングScopeがinterconnectと先端パッケージへの応用を挙げ、Synopsysのplenaryが熱・機械・信頼性のマルチスケールモデリングを題目にしています。
詳しく(公式資料6項目)
interconnectのノイズ・寄生効果と先端パッケージへの応用、multi-physics・multi-scaleの手法、AIや量子計算の利用も範囲に入ります。投稿時のカテゴリにはDTCO/STCO、Machine Learning、Benchmarking/Calibration of Simulatorsなどがあります。
- 2026 Scope
- 半導体デバイス・プロセスのモデリングとシミュレーション SISPAD2026 Scope and Topics
- 2026 既存デバイス
- FinFETs, GAA FETs, ultra-thin SOI, TFTs, memories, power electronic devices など SISPAD2026 Scope and Topics
- 2026 新規デバイス
- tunnel FETs、cryogenic CMOS、neuromorphic devices、quantum computing devices など SISPAD2026 Scope and Topics
- 2026 配線・パッケージ
- interconnect のノイズ・寄生効果と先端パッケージへの応用 SISPAD2026 Scope and Topics
- 2026 手法
- multi-physics、multi-scale、AIと量子計算の利用 SISPAD2026 Scope and Topics
- 2026 投稿カテゴリの例
- DTCO/STCO、Machine Learning、Benchmarking/Calibration of Simulators SISPAD2026 Abstract Submission
プログラム
2026年のplenaryは大阪大学のNobuya Mori、EPFLのFarzan Jazaeri、SynopsysのXi-Wei Linの3件で、量子輸送、極低温MOSFETモデル、AI向け先端パッケージの熱・機械・信頼性モデリングを題目にしています。前日のWorkshopは"Back to Fundamentals: Semiconductor Process and Transport Simulation"と題して9:30〜17:10に開かれ、University of MichiganのMark J. Kushnerがプラズマ反応器と形状スケールの統合モデリングを講演しました。
詳しく(公式資料7項目)
Invited講演にはGISTのSung-Min Hongによるmonolithic CFETのDCシミュレーションがあります。展示にはAdvanceSoft、Google Cloud Japan、Hitachi High-Tech、Nihon Synopsys、Silvaco Japan、STR Japanが出展しています。
- 2026 Plenary(Synopsys)
- Xi-Wei Lin "From Atom to System: Multi-scale Thermal, Mechanical, and Reliability Modeling of Advanced Packages for AI" SISPAD2026 Plenary Speakers
- 2026 Plenary(EPFL)
- Farzan Jazaeri "The EPFL Cryogenic MOSFET Model" SISPAD2026 Plenary Speakers
- 2026 Plenary(大阪大学)
- Nobuya Mori "Bridging Semiconductor Physics and Device Engineering: From Crystal Anisotropy to Efficient Quantum Transport" SISPAD2026 Plenary Speakers
- 2026 Workshop
- "Back to Fundamentals: Semiconductor Process and Transport Simulation"(9:30-17:10) SISPAD2026 Workshop
- 2026 Workshop 講演例
- Mark J. Kushner(University of Michigan): プラズマ反応器と形状スケールの統合モデリング、cryogenic etching SISPAD2026 Workshop
- 2026 Invited 講演例
- Sung-Min Hong(GIST)"Efficient DC Simulation of Monolithic CFETs Using a Quasi-1D Approach" SISPAD2026 Invited Speakers
- 2026 Exhibitors
- AdvanceSoft / Google Cloud Japan / Hitachi High-Tech / Nihon Synopsys / Silvaco Japan / STR Japan SISPAD2026 Sponsors
発表と委員会の顔ぶれ
2025年 プログラムの筆頭著者の所属(98件)
- 企業27.6%
- 大学39.8%
- 研究機関32.7%
企業
- Samsung Electronics8
- STMicroelectronics4
- DB HiTek2
- Global TCAD Solutions2
- Synopsys2
- TSMC2
- Applied Materials1
- Dassault Systemes1
- Lynred1
- Micron Technology1
ほか3社
- Nanoacademic Technologies1
- Quobly1
- Silvaco1
国・地域
- フランス23
- 韓国15
- オーストリア9
- 米国8
- ベルギー7
- 中国7
- スイス6
- ドイツ6
- インド4
- 英国4
ほか5か国・地域
- 日本3
- イタリア2
- 台湾2
- カナダ1
- スペイン1
2026年 委員会の所属(57名)
- 企業40.4%
- 大学54.4%
- 研究機関5.3%
企業
- Sony4
- Kioxia3
- Renesas Electronics3
- Applied Materials2
- Samsung Electronics2
- STMicroelectronics2
- TSMC2
- Fuji Electric1
- Global TCAD Solutions1
- Intel1
ほか2社
- Rapidus1
- Toshiba Electronic Devices & Storage1
2026年 スポンサー・出展(2団体)
学会・団体100%
- The Japan Society of Applied Physics
- IEEE Electron Devices Society
委員会・展示
International Steering Committeeは欧州・米国・日本の3地域から委員を出しています。2026年のSteering Chairは大阪大学(The Univ. of Osaka)のNobuya Mori、Conference ChairはソニーのHideki Minari、Program Chairは関西学院大学のHajime Tanakaです。
詳しく(公式資料6項目)
組織委員にはKioxia、Rapidus、Renesas、Fuji Electric、Toshibaなどの企業所属者が入り、支援企業としてKIOXIA、Silvaco、Sony Semiconductor Solutionsが挙がっています。
- International Steering Committee の地域
- Europe / USA / Japan SISPAD2026 Committees
- 2026 Steering Chair
- Nobuya Mori(The Univ. of Osaka) SISPAD2026 Committees
- 2026 Conference Chair
- Hideki Minari(Sony) SISPAD2026 Committees
- 2026 Program Chair / Vice-Chairs
- Hajime Tanaka(Kwansei Gakuin Univ.)/ Shingo Sato(Kansai Univ.), Kai Tak Lam(TSMC) SISPAD2026 Committees
- 2026 General Affairs の企業所属例
- Kioxia / Rapidus / Fuji Electric / Toshiba / Renesas SISPAD2026 Committees
- 2026 Supported by
- KIOXIA / Silvaco / Sony Semiconductor Solutions SISPAD2026 Sponsors
論文の公開
採択論文は4ページのcamera-ready原稿としてConference Proceedingsに収録されます。final paperはIEEE Xplore互換のPDFで提出する決まりです。
詳しく(公式資料4項目)
SISPAD 2026 ProceedingsのISBNは978-4-86348-817-5で、sispad.infoにはSISPAD 2025(Grenoble、2025年9月24〜26日)の論文一覧もあります。
- 収録
- Conference Proceedings(4ページのcamera-ready) SISPAD2026 Abstract Submission
- PDF形式
- IEEE Xplore compatible PDF(IEEE PDF eXpress、Conference ID 69526X) SISPAD2026 Final Paper Submission
- 2026 Proceedings の ISBN
- 978-4-86348-817-5 SISPAD 2026 Proceedings 一覧
- 2025 Proceedings 一覧
- SISPAD 2025(Grenoble, France, 2025-09-24〜26)の論文一覧 SISPAD 2025 Proceedings 一覧
沿革
SISPADの第1回は1996年に東京で開かれ、米国のNUPAD、日本のVPAD、欧州のSISDEPという3つの先行会議を引き継いでいます。開催地は米国・日本・欧州を順に回り、2024年はSan Jose、2025年はGrenoble、2026年は熊本、次回はSalt Lake Cityです。
詳しく(公式資料5項目)
- 初回
- 1996年 / 東京 SISPAD シリーズ公式 Home
- 先行会議
- NUPAD(米国)/ VPAD(日本)/ SISDEP(欧州) SISPAD シリーズ公式 Home
- 開催地ローテーション
- 米国・日本・欧州の持ち回り SISPAD シリーズ公式 Home
- 2025 開催地
- Grenoble, France(第30回) SISPAD シリーズ公式 Past Events
- 2024 開催地
- San Jose, CA, USA(第29回) SISPAD シリーズ公式 Past Events
近い学会との違い
SISPADの公式説明は、自らをprocess and device simulationの研究開発成果を発表する国際フォーラムとし、TCADを扱う長く続く会議の1つと位置づけています。投稿案内はsemiconductor process, device, and materials simulationへの直接の関連を求め、実験データ・解析モデル・他のシミュレーションとの比較による検証や物理機構の議論も求めています。
詳しく(公式資料2項目)
- 公式の自己定義
- process and device simulation の国際フォーラム SISPAD2026 公式トップ
- 論文に求める関連性
- semiconductor process, device, and materials simulation への直接の関連 SISPAD2026 Abstract Submission
名称・主催
詳しく(公式資料5項目)
- 2026 正式名称
- 2026 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD2026) SISPAD2026 公式トップ
- 2026 主催
- The Japan Society of Applied Physics SISPAD2026 Sponsors
- 2026 技術協賛
- IEEE Electron Devices Society SISPAD2026 Sponsors
- 開催頻度
- 毎年9月 SISPAD シリーズ公式 Home
- 公式サイトによる説明
- TCADと新規半導体デバイス・ナノ構造のモデリングを扱う、長く続く会議の1つ SISPAD2026 公式トップ
よくある質問
SISPAD2026はいつ、どこで開かれましたか?
本会議は2026年9月28日〜30日に熊本城ホールで、Workshopは9月27日に熊本市国際交流会館で開かれました。開催形式は現地開催です。
主催はどこですか?
2026年は応用物理学会(The Japan Society of Applied Physics)が主催し、IEEE Electron Devices Societyが技術協賛しました。
投稿には何ページの原稿が必要ですか?
最初に英語の2ページabstractを投稿し、採択されたら図表込み4ページのfinal paperをIEEE Xplore互換のPDFで提出します。
SISPADはいつから開かれていますか?
第1回は1996年に東京で開かれ、NUPAD、VPAD、SISDEPの3つの先行会議を引き継いでいます。2026年は第31回です。
開催地はどのように決まっていますか?
毎年9月に開かれ、米国・日本・欧州を順に回ります。次回は米国ユタ州Salt Lake Cityです。
論文一覧はどこで読めますか?
シリーズの公式サイトsispad.infoにProceedingsの論文一覧があります。2026年のProceedingsにはISBN 978-4-86348-817-5が付いています。
公式資料
- SISPAD2026 公式トップ 公式サイト
- SISPAD2026 Venue 会場
- SISPAD2026 Scope and Topics 募集要項
- SISPAD2026 Abstract Submission 募集要項
- SISPAD2026 Final Paper Submission 募集要項
- SISPAD2026 Committees 委員会
- SISPAD2026 Sponsors スポンサー・展示
- SISPAD2026 Plenary Speakers プログラム