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Tier A ロジック / デバイス / プロセス統合

SISPAD 2026International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices

今の状態

現在
会期終了
段階
  1. 投稿受付前
  2. 投稿受付中
  3. 投稿終了
  4. 採否通知
  5. プログラム公開
  6. 開催中
  7. 終了
直近の会期
9月28日〜30日開催日本・熊本Kumamoto-Jo Hall
次の一手
次回の日程は公式サイトで発表されます。公式サイト
日程
  1. 要旨締切
  2. 最終原稿締切
  3. 開催

近い学会との違い

どんな学会?

半導体のプロセスシミュレーションとデバイスモデリングを主題とする、長く続くTCAD分野の国際会議。採択論文の最終稿で技術プログラムを組む。

位置づけ
Tier A サブ分野トップ級・地域主要国際会議 Tierの基準
向いている人
トランジスタ構造、プロセスインテグレーション、新材料の研究開発者。テーマが合う研究の有力な発表先です。
主なテーマ
  • TCAD
  • GAA
  • quantum transport
  • reliability modeling
  • process/device/circuit co-simulation
発表者の所属
2025年 プログラムの筆頭著者の所属(98件) 企業28%大学40%研究機関33% 主な企業:Samsung Electronics、STMicroelectronics、DB HiTek、Global TCAD Solutions、Synopsys
投稿形式
要旨+論文・査読/投稿審査あり
主催
The Japan Society of Applied Physics / IEEE Electron Devices Society
開始年
1996年
公式情報の目次13項目

会期・会場

本会議は2026年9月28日〜30日に熊本城ホール、Workshopは前日の9月27日に熊本市国際交流会館と、2か所に分かれて開かれました。開催形式はin-personです。

詳しく(公式資料5項目)

組織委員会は2026年8月10日付で「SISPAD 2026 Will Be Held as Scheduled in Kumamoto」と告知しました。次回のSISPADは米国ユタ州Salt Lake Cityで開かれます。

2026 本会議
2026-09-28〜30 / Kumamoto-Jo Hall(熊本城ホール) SISPAD2026 Venue
2026 Workshop
2026-09-27 / Kumamoto City International Center SISPAD2026 Venue
2026 開催形式
in-person SISPAD2026 公式トップ
2026 地震後の開催告知
2026-08-10付で予定どおり開催と告知 SISPAD2026 公式トップ
次回の開催地
Salt Lake City, Utah, USA SISPAD シリーズ公式 Home

投稿・締切

投稿は英語の2ページabstract(A4縦、図表込み、10MB未満)です。2026年のabstract締切は当初4月10日で、4月22日(AoE)に延長されました。

詳しく(公式資料7項目)

採否通知は6月3日までで、採択者は4ページのfinal paperを6月30日までに出し、出さない場合は発表がプログラムから外されます。final paperの受付は8月14日17:00(JST)まで再開されました。

2026 abstract締切
2026-04-10 → 2026-04-22(23:59 AoE)に延長 SISPAD2026 Abstract Submission
2026 採否通知
2026-06-03まで SISPAD2026 Abstract Submission
abstractの形式
2ページ、A4縦、図表込み、10MB未満、10〜12pt推奨 SISPAD2026 Abstract Submission
2026 final paper締切
2026-06-30(AoE)、のち2026-08-14 17:00 JSTまで再受付 SISPAD2026 Final Paper Submission
final paperのページ数
4ページ(図表込み、足りない場合は空白ページを追加) SISPAD2026 Final Paper Submission
final paper未提出時
発表をプログラムから取り下げ SISPAD2026 Abstract Submission
2026 early-bird登録締切
2026-07-31 → 2026-08-14に延長 SISPAD2026 公式トップ

査読・選考

カテゴリ分類と発表形式(oral/poster)の最終決定はProgram Committeeが行います。投稿案内は、既存研究との明確な差別化(Novelty and Contribution)、実験データ・解析モデル・他のシミュレーションとの比較による検証(Validation)、数値結果を超えて物理機構を論じるPhysical Insightを望ましい要素として挙げています。

詳しく(公式資料4項目)
発表形式の決定
Program Committee が最終決定 SISPAD2026 Abstract Submission
推奨される観点(検証)
実験データ・解析モデル・他のシミュレーションとの比較 SISPAD2026 Abstract Submission
推奨される観点(物理的洞察)
数値結果を超えて物理機構を議論 SISPAD2026 Abstract Submission
推奨される観点(新規性)
既存研究との明確な差別化 SISPAD2026 Abstract Submission

対象分野

対象は半導体デバイスとプロセスのモデリング・シミュレーションです。FinFET、GAA FET、ultra-thin SOI、TFT、memories、power electronic devicesなどの既存デバイス、tunnel FETやcryogenic CMOS、neuromorphic devices、量子計算デバイスなどの新規デバイスを含みます。

主なトピック

  • GAA / CFET のデバイスシミュレーションScopeが既存デバイスとしてGAA FETsを挙げ、2026年のinvited講演にはmonolithic CFETのDCシミュレーションがあります。
  • 量子輸送2026年のplenaryの1件(Nobuya Mori)が量子輸送を題目にしています。
  • Cryogenic CMOSScopeの新規デバイスに含まれ、EPFLのplenaryが極低温MOSFETモデルを扱います。
  • プロセスシミュレーション(プラズマ・エッチング)2026年のWorkshopで、University of MichiganのMark J. Kushnerがプラズマ反応器と形状スケールの統合モデリング、cryogenic etchingへの応用を講演しました。
  • 先端パッケージのモデリングScopeがinterconnectと先端パッケージへの応用を挙げ、Synopsysのplenaryが熱・機械・信頼性のマルチスケールモデリングを題目にしています。
詳しく(公式資料6項目)

interconnectのノイズ・寄生効果と先端パッケージへの応用、multi-physics・multi-scaleの手法、AIや量子計算の利用も範囲に入ります。投稿時のカテゴリにはDTCO/STCO、Machine Learning、Benchmarking/Calibration of Simulatorsなどがあります。

2026 Scope
半導体デバイス・プロセスのモデリングとシミュレーション SISPAD2026 Scope and Topics
2026 既存デバイス
FinFETs, GAA FETs, ultra-thin SOI, TFTs, memories, power electronic devices など SISPAD2026 Scope and Topics
2026 新規デバイス
tunnel FETs、cryogenic CMOS、neuromorphic devices、quantum computing devices など SISPAD2026 Scope and Topics
2026 配線・パッケージ
interconnect のノイズ・寄生効果と先端パッケージへの応用 SISPAD2026 Scope and Topics
2026 手法
multi-physics、multi-scale、AIと量子計算の利用 SISPAD2026 Scope and Topics
2026 投稿カテゴリの例
DTCO/STCO、Machine Learning、Benchmarking/Calibration of Simulators SISPAD2026 Abstract Submission

プログラム

2026年のplenaryは大阪大学のNobuya Mori、EPFLのFarzan Jazaeri、SynopsysのXi-Wei Linの3件で、量子輸送、極低温MOSFETモデル、AI向け先端パッケージの熱・機械・信頼性モデリングを題目にしています。前日のWorkshopは"Back to Fundamentals: Semiconductor Process and Transport Simulation"と題して9:30〜17:10に開かれ、University of MichiganのMark J. Kushnerがプラズマ反応器と形状スケールの統合モデリングを講演しました。

詳しく(公式資料7項目)

Invited講演にはGISTのSung-Min Hongによるmonolithic CFETのDCシミュレーションがあります。展示にはAdvanceSoft、Google Cloud Japan、Hitachi High-Tech、Nihon Synopsys、Silvaco Japan、STR Japanが出展しています。

2026 Plenary(Synopsys)
Xi-Wei Lin "From Atom to System: Multi-scale Thermal, Mechanical, and Reliability Modeling of Advanced Packages for AI" SISPAD2026 Plenary Speakers
2026 Plenary(EPFL)
Farzan Jazaeri "The EPFL Cryogenic MOSFET Model" SISPAD2026 Plenary Speakers
2026 Plenary(大阪大学)
Nobuya Mori "Bridging Semiconductor Physics and Device Engineering: From Crystal Anisotropy to Efficient Quantum Transport" SISPAD2026 Plenary Speakers
2026 Workshop
"Back to Fundamentals: Semiconductor Process and Transport Simulation"(9:30-17:10) SISPAD2026 Workshop
2026 Workshop 講演例
Mark J. Kushner(University of Michigan): プラズマ反応器と形状スケールの統合モデリング、cryogenic etching SISPAD2026 Workshop
2026 Invited 講演例
Sung-Min Hong(GIST)"Efficient DC Simulation of Monolithic CFETs Using a Quasi-1D Approach" SISPAD2026 Invited Speakers
2026 Exhibitors
AdvanceSoft / Google Cloud Japan / Hitachi High-Tech / Nihon Synopsys / Silvaco Japan / STR Japan SISPAD2026 Sponsors

発表と委員会の顔ぶれ

2025年 プログラムの筆頭著者の所属(98件)

プログラム

  • 企業27.6%
  • 大学39.8%
  • 研究機関32.7%

企業

  1. Samsung Electronics8
  2. STMicroelectronics4
  3. DB HiTek2
  4. Global TCAD Solutions2
  5. Synopsys2
  6. TSMC2
  7. Applied Materials1
  8. Dassault Systemes1
  9. Lynred1
  10. Micron Technology1
ほか3社
  1. Nanoacademic Technologies1
  2. Quobly1
  3. Silvaco1

国・地域

  1. フランス23
  2. 韓国15
  3. オーストリア9
  4. 米国8
  5. ベルギー7
  6. 中国7
  7. スイス6
  8. ドイツ6
  9. インド4
  10. 英国4
ほか5か国・地域
  1. 日本3
  2. イタリア2
  3. 台湾2
  4. カナダ1
  5. スペイン1

2026年 委員会の所属(57名)

委員会名簿

  • 企業40.4%
  • 大学54.4%
  • 研究機関5.3%

企業

  1. Sony4
  2. Kioxia3
  3. Renesas Electronics3
  4. Applied Materials2
  5. Samsung Electronics2
  6. STMicroelectronics2
  7. TSMC2
  8. Fuji Electric1
  9. Global TCAD Solutions1
  10. Intel1
ほか2社
  1. Rapidus1
  2. Toshiba Electronic Devices & Storage1

2026年 スポンサー・出展(2団体)

スポンサー一覧

学会・団体100%

  • The Japan Society of Applied Physics
  • IEEE Electron Devices Society

委員会・展示

International Steering Committeeは欧州・米国・日本の3地域から委員を出しています。2026年のSteering Chairは大阪大学(The Univ. of Osaka)のNobuya Mori、Conference ChairはソニーのHideki Minari、Program Chairは関西学院大学のHajime Tanakaです。

詳しく(公式資料6項目)

組織委員にはKioxia、Rapidus、Renesas、Fuji Electric、Toshibaなどの企業所属者が入り、支援企業としてKIOXIA、Silvaco、Sony Semiconductor Solutionsが挙がっています。

International Steering Committee の地域
Europe / USA / Japan SISPAD2026 Committees
2026 Steering Chair
Nobuya Mori(The Univ. of Osaka) SISPAD2026 Committees
2026 Conference Chair
Hideki Minari(Sony) SISPAD2026 Committees
2026 Program Chair / Vice-Chairs
Hajime Tanaka(Kwansei Gakuin Univ.)/ Shingo Sato(Kansai Univ.), Kai Tak Lam(TSMC) SISPAD2026 Committees
2026 General Affairs の企業所属例
Kioxia / Rapidus / Fuji Electric / Toshiba / Renesas SISPAD2026 Committees
2026 Supported by
KIOXIA / Silvaco / Sony Semiconductor Solutions SISPAD2026 Sponsors

論文の公開

採択論文は4ページのcamera-ready原稿としてConference Proceedingsに収録されます。final paperはIEEE Xplore互換のPDFで提出する決まりです。

詳しく(公式資料4項目)

SISPAD 2026 ProceedingsのISBNは978-4-86348-817-5で、sispad.infoにはSISPAD 2025(Grenoble、2025年9月24〜26日)の論文一覧もあります。

収録
Conference Proceedings(4ページのcamera-ready) SISPAD2026 Abstract Submission
PDF形式
IEEE Xplore compatible PDF(IEEE PDF eXpress、Conference ID 69526X) SISPAD2026 Final Paper Submission
2026 Proceedings の ISBN
978-4-86348-817-5 SISPAD 2026 Proceedings 一覧
2025 Proceedings 一覧
SISPAD 2025(Grenoble, France, 2025-09-24〜26)の論文一覧 SISPAD 2025 Proceedings 一覧

沿革

SISPADの第1回は1996年に東京で開かれ、米国のNUPAD、日本のVPAD、欧州のSISDEPという3つの先行会議を引き継いでいます。開催地は米国・日本・欧州を順に回り、2024年はSan Jose、2025年はGrenoble、2026年は熊本、次回はSalt Lake Cityです。

詳しく(公式資料5項目)
初回
1996年 / 東京 SISPAD シリーズ公式 Home
先行会議
NUPAD(米国)/ VPAD(日本)/ SISDEP(欧州) SISPAD シリーズ公式 Home
開催地ローテーション
米国・日本・欧州の持ち回り SISPAD シリーズ公式 Home
2025 開催地
Grenoble, France(第30回) SISPAD シリーズ公式 Past Events
2024 開催地
San Jose, CA, USA(第29回) SISPAD シリーズ公式 Past Events

近い学会との違い

SISPADの公式説明は、自らをprocess and device simulationの研究開発成果を発表する国際フォーラムとし、TCADを扱う長く続く会議の1つと位置づけています。投稿案内はsemiconductor process, device, and materials simulationへの直接の関連を求め、実験データ・解析モデル・他のシミュレーションとの比較による検証や物理機構の議論も求めています。

詳しく(公式資料2項目)
公式の自己定義
process and device simulation の国際フォーラム SISPAD2026 公式トップ
論文に求める関連性
semiconductor process, device, and materials simulation への直接の関連 SISPAD2026 Abstract Submission

名称・主催

詳しく(公式資料5項目)
2026 正式名称
2026 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD2026) SISPAD2026 公式トップ
2026 主催
The Japan Society of Applied Physics SISPAD2026 Sponsors
2026 技術協賛
IEEE Electron Devices Society SISPAD2026 Sponsors
開催頻度
毎年9月 SISPAD シリーズ公式 Home
公式サイトによる説明
TCADと新規半導体デバイス・ナノ構造のモデリングを扱う、長く続く会議の1つ SISPAD2026 公式トップ

よくある質問

SISPAD2026はいつ、どこで開かれましたか?

本会議は2026年9月28日〜30日に熊本城ホールで、Workshopは9月27日に熊本市国際交流会館で開かれました。開催形式は現地開催です。

主催はどこですか?

2026年は応用物理学会(The Japan Society of Applied Physics)が主催し、IEEE Electron Devices Societyが技術協賛しました。

投稿には何ページの原稿が必要ですか?

最初に英語の2ページabstractを投稿し、採択されたら図表込み4ページのfinal paperをIEEE Xplore互換のPDFで提出します。

SISPADはいつから開かれていますか?

第1回は1996年に東京で開かれ、NUPAD、VPAD、SISDEPの3つの先行会議を引き継いでいます。2026年は第31回です。

開催地はどのように決まっていますか?

毎年9月に開かれ、米国・日本・欧州を順に回ります。次回は米国ユタ州Salt Lake Cityです。

論文一覧はどこで読めますか?

シリーズの公式サイトsispad.infoにProceedingsの論文一覧があります。2026年のProceedingsにはISBN 978-4-86348-817-5が付いています。

公式資料

  1. SISPAD2026 公式トップ 公式サイト
  2. SISPAD2026 Venue 会場
  3. SISPAD2026 Scope and Topics 募集要項
  4. SISPAD2026 Abstract Submission 募集要項
  5. SISPAD2026 Final Paper Submission 募集要項
  6. SISPAD2026 Committees 委員会
  7. SISPAD2026 Sponsors スポンサー・展示
  8. SISPAD2026 Plenary Speakers プログラム
ほか6件
  1. SISPAD2026 Invited Speakers プログラム
  2. SISPAD2026 Workshop プログラム
  3. SISPAD シリーズ公式 Home 沿革
  4. SISPAD シリーズ公式 Past Events 沿革
  5. SISPAD 2026 Proceedings 一覧 論文集
  6. SISPAD 2025 Proceedings 一覧 論文集