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半導体製造装置の新製品、採用の段階を比較｜最新のLam・IBM提携は5年の共同開発

東京エレクトロン（TEL）、Applied Materials（AMAT）、Lam Researchが2024年から2026年に出した8つの発表を、採用についての書き方で並べると、発表の新しさと書かれた段階はそろわない。最も新しい2026年3月のLamとIBMの提携は、5年間の共同開発だ。その1年前、2025年2月のLamのAkaraの発表文は、Akaraが複数の顧客の量産装置に選ばれていると書く。量産装置に選ばれるとは、顧客がその工程の標準の装置（ツール・オブ・レコード）として採用することを指す。

各段階は、装置メーカーか顧客が発表文で述べたことによる。本記事はその書き方を、量産装置に選ばれた、採用や使用が進んでいる、認定と立ち上げの途中にある、発売や提供を始めた、共同で開発する、の5つに分けた。旧機種と比べた改善率の有無は、この区分とは別に動く。3社の装置を層ごとに並べた全体像はTEL・AMAT・Lamの新装置の分類にまとめた。

本記事は、発表文の書き方で採用の段階を5つに分ける

Section titled “本記事は、発表文の書き方で採用の段階を5つに分ける”

8つの発表を、採用について書いている文で次の5つに分けた。

段階（本記事の区分）発表文の書き方該当する発表
量産装置に選定量産装置（tool of record）に選ばれたAkara
採用・使用が進む採用されつつある、使われている、生産に導入したViva・Sym3 Z Magnum・Spectral、Sculpta（2024年2月の発表）
認定と立ち上げ認定中で立ち上げている、初期の採用が始まったALTUS Halo
発売・提供開始発売した、提供を始めたCryo 3.0、Episode 1、LITHIUS Pro DICE
共同開発工程の流れを組んで確かめるLam・IBMの提携
横軸に発表の年月、縦軸に発表文が書く採用の段階をとった図。量産装置に選定の段にAkara（2025年2月）、採用・使用が進むの段にSculpta（2024年2月）とAMATのViva・Sym3 Z Magnum・Spectral（2026年2月）、認定と立ち上げの段にALTUS Halo（2025年2月）、発売・提供開始の段にCryo 3.0とEpisode 1（2024年7月）とLITHIUS Pro DICE（2025年12月）、共同開発の段にLam・IBMの提携（2026年3月）が並ぶ。
8つの発表を本記事の5段階に置くと、最も新しいLam・IBMの提携は共同開発の段に、2025年2月のAkaraは量産装置に選定の段に入る。2024年7月の2件は重ならないよう左右にずらした。

最も新しいLam・IBMの提携は、量産の手前の工程を組む段階だ

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LamとIBMは2026年3月、1 nm未満のロジックに向けた5年間の共同開発1を発表した。Albanyの研究拠点で、LamのドライレジストAether、エッチング装置KiyoとAkara、成膜装置StrikerとALTUS Haloを使い、ナノシートとその先のデバイス、裏面電源の工程の流れを組んで確かめる。両社は目標を、High-NA EUVのパターンを実際のデバイスの層へ歩留まりよく移すことと、将来のロジックの量産への道筋を作ることに置く。

この提携に並ぶ装置のうち、Akaraは1年前の発表文で量産装置に選ばれたとされ、ALTUS Haloについては同じ月の発表でMicronが、HaloによってNANDでMoを量産に入れたと述べていた。提携で両社が組むのは、これらの装置をつないだ工程の流れだ。

発表文が量産装置への選定を書くのはAkaraで、AMATの3機種は採用が進んでいると書く

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Lamは2025年2月、導電膜のエッチング装置Akaraを発表した。発表文は、Akaraがプレーナ型DRAMとファウンドリーのGAAの複数の工程で量産装置に選ばれ2、顧客から追加の注文を受けていると書く。

AMATが2026年2月に発表した3機種について、発表文の見出しは、新しい装置が複数の大手ファウンドリー・ロジックメーカーで使われている3と書く。VivaとSpectralについては、2 nm前後のロジックで大手メーカーに採用されつつあると書く。2 nmロジックで量産装置に選ばれ、250室超が稼働しているのは、Sym3 Z Magnumの前の機種群であるSym3 Zだ。Magnumについて発表文は、用途の広さによって大手メーカーで採用が速く進んでいると書く。

Lamが同じ日に発表したALTUS Haloの発表文は、Haloが大手メーカーすべてで認定と立ち上げの途中にあるとし4、韓国とシンガポールの3D NAND工場と先端ロジック工場で初期の採用が始まり、DRAMの顧客とは開発を続けていると書く。本記事はHaloをこの記述から認定と立ち上げの段に置く。用途ごとの段階はMo ALDのApplied対Lamで比べた。

DICEとCryo 3.0の発表は、改善の数値と用途を挙げ、発売と提供開始を書く

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TELが2025年12月に発売したLITHIUS Pro DICEの発表は、旧機種と比べて塗布不良による欠陥を50%以上減らし、生産性と環境性能を25%以上上げるとする5。2つの数字はどちらもTELの試算で、欠陥の数字は欠陥の性能と薬液の使用量、生産性の数字は処理能力・床面積・排気量を旧機種と比べたものだ。用途にはHigh-NA EUVとDUVの工程、ロジック・DRAM・NANDを挙げる。本記事はこの発表を発売・提供開始の段に置く。

Lamが2024年7月に出したCryo 3.0の発表は、深さ最大10 µmの穴を従来の絶縁膜エッチングの2.5倍の速さで掘るとし6、大手メモリーメーカーへの提供を始めたと書く。同じ発表は、前の世代までの極低温エッチングが2019年から量産に入り、NANDの量産で約1,000室が動いているとする。Cryo 3.0の後の広がりは、3D NANDの極低温エッチ、Lam対TELで決算説明から追った。

TELのEpisode 1は、2025年2月のIR Dayで2024年7月に発売した7と示され、コンタクトの形成とinner spacerの埋め込みの工程例が載った。

顧客の発言は、Intelが採用、Samsungが評価、Micronが量産と段階を分けて書く

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AMATの2024年2月の発表では8、Intelの副社長が、オングストローム世代の工程にSculptaを採用し、初期の段階ながら処理能力と歩留まりの改善が出ていると述べた。同じ発表で、Samsungの担当者は4 nmの工程でSculptaを評価していると述べた。Lamの2025年2月のALTUS Haloの発表では、Micronが、HaloによってNANDでMoを量産に入れたと述べた。

3つの発言は、採用、評価、量産と、それぞれ別の段階を自社の工程や製品の名前とともに書いている。工程ごとに各社が数字で示す量産実績は、3社のエッチング装置の得意工程に並べた。

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出典

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