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I-V・C-V特性評価とは

I-V・C-V特性評価(I-V and C-V Characterization)とは、電圧と電流、電圧と容量の関係を測り、半導体素子の電気的な性質を調べる評価です。I-Vでは導通と漏れなど、C-Vでは電圧によって変わる容量を観測します。

電気的な変化を測れます。一方、配線やプローブの寄生と測定条件が結果へ入るため、装置と試料の影響を分ける必要があります。

構造と工程の関係
与える電圧と測る応答を分けるSMU / CMUプローブと配線素子へバイアスを与える対象材料・信号周辺材料
I-Vでは電流、C-Vでは交流を重ねた容量応答を測ります。配線の寄生と接触を補正します。

SMUなどで電圧または電流を与えて応答を測ります。C-Vでは直流バイアスへ交流の測定信号を重ね、周波数と振幅を設定して容量を求めます。1

四探針法は抵抗の測定方法で、I-V・C-V評価の全体とは区別します。耐圧を測るときは、電流の制限と測定後の試料変化も確認します。

構造と工程の関係
掃引の向きと待ち時間も結果へ影響する電流 / 容量電圧形の例:定量データではない対象材料・信号周辺材料
同じ電圧でも履歴、周波数と時間で応答が変わることがあります。測定条件を記録し、曲線の差を材料特性だけと決めつけません。

試料へ接続し、配線の補正と測定条件を設定します。電圧を掃引して応答を記録し、必要に応じて温度や周波数、掃引方向を変えます。1

同じ試料でI-VとC-Vを行う場合は、切替え配線と補正条件をそろえます。掃引履歴や充電の待ち時間による変化も記録します。

電圧範囲、電流制限、掃引速度、待ち時間、温度、周波数、配線補正を管理します。

低い漏れ電流では配線と接触の状態が重要です。C-Vでは寄生容量と直列抵抗、測定周波数への依存を確認し、単一条件だけで物性を断定しません。

広い条件を測ると原因を分けやすくなりますが、時間と試料への負荷が増えます。知りたい特性を決め、測定条件と抽出モデルを合わせます。

I-V・C-V特性評価は何をする工程ですか?

電圧と電流、電圧と容量の関係を測り、半導体素子の電気的な性質を調べる評価です。I-Vでは導通と漏れなど、C-Vでは電圧によって変わる容量を観測します。

どの段階で行いますか?

試料へ接続し、配線の補正と測定条件を設定します。電圧を掃引して応答を記録し、必要に応じて温度や周波数、掃引方向を変えます。

何を管理しますか?

電圧範囲、電流制限、掃引速度、待ち時間、温度、周波数、配線補正を管理します。

  • 四探針法── 前後の工程と仕組みを調べる
  • 耐圧── 前後の工程と仕組みを調べる
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    I-V・C-V特性評価の公式資料keysight.com ・ 2026年10月12日閲覧 ab