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講座集 / 信頼性と試験の統計 / 第 22 回

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VOL.05 信頼性と試験の統計 第 22 回 / 全 31 回

試験の短縮と測定遅延:1 週間を 100 秒にすると遅延の上限は 0.83 ms

劣化がべき乗則に従うなら、1 週間の信頼性試験を 100 秒の判定に置き換えられます。ただし縮めた比率はそのまま、ストレスを止めてから測るまでの遅延にも掛かり、従来の 30 ms の測定では 36 倍遅すぎます。

28 分 応用 式 32 出典 8

この回の目次(9 節)
  1. §1 根拠は 1 行の引き算—— が消える
  2. §2 数字で確かめる:、しきい値 6.28%
  3. §3 2 点から時間指数が出る:0.371
  4. §4 古い 20% 基準まで伸ばすと 8.7 日——7,509 倍
  5. §5 絶縁破壊は、対数軸の中点でストレスする
  6. §6 3 つの数字が噛み合うのは 秒のときだけ
  7. §7 節約した 6,048 倍が、そのまま測定遅延の要求になる
  8. §8 30 ms と 400 ns のあいだに、要求 0.83 ms が落ちる
  9. §9 乗法的な過程は、対数正規になる

この回で示すこと

  1. 劣化が なら対数空間の差から時刻が消え、仕様時間の余裕を短時間のしきい値へ移せる。
  2. 試験を 1 週間から 100 秒へ縮めた 6,048 倍がそのまま測定遅延に掛かり、5 秒の遅延は 0.83 ms まで縮める必要がある。
  3. 従来法の 30 ms では 36 倍足りず、400 ns の測定なら 2,075 倍の余裕がある。
100 秒試験で許される測定遅延 0.83 ms
1 週間 ÷ 100 秒 6,048 倍
30 ms の測定の不足 36 倍

1 週間かけていた信頼性試験を、100 秒で終わらせる。10 年もつかどうかを 100 秒で見極めてよい根拠は、どこにあるのか。

根拠は 1 行の引き算に集約されます。その引き算が成り立つ代償も、同じ 1 つの比に集約されます。

根拠は 1 行の引き算—— が消える

劣化がべき乗則に従うとします。 を前係数、 を時間指数として

仕様側の曲線も同じ指数を持ち、前係数だけが大きい()とします。両方の対数を取って引きます。

が引き算で消えます。残るのは から独立な定数だけ。

だから仕様時間 で測った余裕を、試験時間 秒のしきい値へそのまま移せます。移せる理由は「2 本が同じ傾き を持つ」の 1 点です。

逆に が途中で動けば 2 本は平行でなくなり、 は時刻に依存します。手法はそこで崩れます。微視的な確率過程の集まりからべき乗則がどう立ち上がるかを追い、加速寿命外挿への含意までまとめたべき乗則劣化と寿命解釈の総説1は、まさにこの前提の根拠と限界を主題にしています。対数解析には測定の床の近くで対数が不安定になる問題や、当てはまりの良さの陰に隠れる系統的な曲がりがあるという指摘も、そこに並びます。

数字で確かめる:、しきい値 6.28%

具体値を入れます。仕様時間で実測 4.01%、仕様 10%。試験時間 100 秒で実測 2.52%。

しきい値 6.3% と一致します。

この 6.28% と実測 2.52% の比が、そのまま余裕です。

べき乗則の前係数と指数を、測定データからどう取り出すかという手順そのものは2026 年の総説1が並べています。余裕が そのものになります。 で見ても で見ても同じ 2.49 倍。1 週間待つ代わりに読んでいるのは、この 1 つの比です。

2 点から時間指数が出る:0.371

べき乗則を仮定した以上、2 点あれば が求まります。別の機構の例で確かめます。

高エネルギーキャリアによる劣化では、100 秒で 0.73%、3,641 秒で 2.77% という 2 点が並びます。

時間指数 0.371。

この値には比較対象があります。負バイアス温度不安定性の時間指数は、工程を変えても 0.18〜0.19 に落ち着きます。

ちょうど 2 倍です。自己発熱まで含めた小型素子の高エネルギーキャリア劣化のコンパクトモデルを組んだ2025 年の報告2が対象にするとおり、この機構はチャネル端で衝突電離を経た高エネルギーのキャリアが酸化膜へ入る過程です。高エネルギーのキャリアを伴う側の指数が、NBTI の 2 倍。向きが物理と合います。

が大きいほど、短時間の試験から長時間を外挿する倍率が小さくて済みます。

指数が なので、 なら 2.70 乗、 なら 5.56 乗。同じ劣化比を作るのに要る時間比が、2 乗以上違います。外挿の危うさは が小さい側に集中します。

古い 20% 基準まで伸ばすと 8.7 日——7,509 倍

同じ劣化曲線を、古典的な合否の線まで伸ばします。駆動電流の 20% 低下を寿命と定める流儀があります。

100 秒と 8.7 日。7,509 倍です。

2 つの流儀は、外挿する軸が直交しています。

振る量要るデータ
古典的な流儀基板電流を何水準も水準ごとに 20% まで壊した曲線の族
短時間の流儀ストレスを 1 条件に固定1 本の曲線の 100 秒の 1 点

自己発熱まで織り込んだ2025 年のコンパクトモデル2が電流と温度を同時に動かすとおり、加速の摘みは 2 本以上あります。どちらもべき乗則の外挿ですが、伸ばす向きが別です。片方は電流の軸、もう片方は時間の軸。試験量の 7,509 倍という差は、ここから出ています。

絶縁破壊は、対数軸の中点でストレスする

同じ考え方が、絶縁破壊では別の形を取ります。ストレス時間を、仕様時間 と 0.1% 分位点 の対数スケールでの中点に取ります。

幾何平均です。合否の取り方は単純で、 までに 1 つも故障しなければ仕様を満たすとみなす。

ガードバンドの大きさが、この形から出ます。

対数空間での隔たりを、ちょうど半分だけ進んだ位置です。実例では 秒、 秒なので

仕様時間の 1.71 倍まで耐えれば合格、という設定になります。

ワイブル形状パラメータが 、当てはまりは 。 を先に見極める理由は明快です。

故障率が時間に対して横ばいの母集団では、「 まで生き延びた」という事実が将来について沈黙します。銅と低誘電率膜の配線で絶縁破壊の機構と寿命モデルをまとめた2012 年の報告3や、面積依存性の統計を正面から主題にした2026 年の報告4があるとおり、分布の形そのものが合否の前提です。

幾何平均は経験則です。月次・四半期の裏取り試験と顧客からの反応で、いくつかの技術にわたってうまく機能してきた値です。理論から導かれた位置ではありません。

3 つの数字が噛み合うのは 秒のときだけ

引用する前に、算術で確かめます。分布の当てはめから分位点を取り出す手順そのものは2012 年の報告3の範囲にあり、ここで確かめるのは、その出力どうしが噛み合うかどうかです。公開されている 3 つの数字は 秒、 秒、そして です。

秒を再現するのは 秒のほうです。0.59 秒なら 3.19 秒になります。

桁が 1 つ割れているので、この組を引くときは自分のデータで を計算し直してください。幾何平均の式そのものは、3 つの数字のうち 2 つから 3 つめが定まります。噛み合う組だけが、そこを通ります。

節約した 6,048 倍が、そのまま測定遅延の要求になる

ここが本題です。時間を縮めた分の請求書が、どこへ回るのか。

負バイアス温度不安定性の劣化は、ストレスを切ると回復します。ストレスを止めてから測定値を取り込むまでの遅れの間に、劣化は戻っていきます。読み取った値は、試験終了時点の値より小さく出ます。

利いてくるのは遅延の絶対値の外側——試験時間に対する比のほうです。

5 秒の測定遅延を、両方に当てます。

試験時間遅延 5 秒の比率
1 週間
100 秒

時間を縮めた比と、遅延の重みが増す比が、同じ 6,048 です。当然で、どちらも同じ 2 つの時間の比だからです。

同じ偏りに保つなら、測定も同じ比で速くする必要があります。

5 秒が 0.83 ms へ。これが請求書の額です。

時間は、測定側へ移りました。実際、時刻ゼロの遅れが、いわゆる遅延なしの測定どうしの食い違いまで左右する要因になることは2007 年の短時間 NBTI 測定の批判的解析5が主題にしています。「遅延なし」を名乗る測定の間でも、この項が残ったままです。

30 ms と 400 ns のあいだに、要求 0.83 ms が落ちる

導いた 0.83 ms は、実現可能な値なのか。公開されている 2 つの数字で挟めます。

小さな単一トランジスタのリーク電流を通常の方法で測ると、測定遅延は約 30 ms。10 個の被試験素子と 2 個の補助素子を 1 単位として並列化し、電流計への突入電流を抑える補助回路を組むことで 400 ns を達成した2011 年の 65 nm CMOS における NBTI 回復センサ6があります。

遅延要求 0.83 ms に対して
通常の測定30 ms36 倍の不足
高速センサ400 ns2,075 倍の余裕

導いた要求が、2 つの実測値のちょうど間に落ちます。通常の方法では届かず、専用の測定系なら大きく上回る。100 秒の試験を動かすのに測定系の作り直しが要る、という判断が、この 1 行から出ます。

さらに回復の時間依存が、この差の意味を決めます。同じ報告は、50 ℃ から 125 ℃ で 回復が 400 ns から 3,000 秒まで に従うことを確かめています。

30 ms と 400 ns のあいだには、対数で 4.88 桁あります。回復が なら、桁数がそのまま回復量の差です。通常の測定は、高速センサより 4.88 桁ぶん進んだ回復を読んでいます。

対数の形は、遅延を 10 分の 1 にして回復量が 1 桁ぶん戻る、という換算でもあります。線形なら 10 分の 1 で済む改善に、対数では桁を積む努力が要ります。

乗法的な過程は、対数正規になる

配線の断線寿命も、同じ「対数を取る」筋の上にあります。経験式の形は

が故障時間の中央値、 が電流密度、 が活性化エネルギー、 がボルツマン定数です。

右辺は 3 つの因子の積です。対数を取ると和になります。

和の形なので、中心極限定理が の側で働きます。つまり そのものは対数正規になります。

指数の中の が正規分布していれば、それだけで寿命は対数正規です。拡散と電流駆動の移動を同時に考えて電流指数 2 を導いた1986 年の断線モデル7があるとおり、 の値そのものが機構の指紋になります。核生成側の機構を取ると は別の値を取り、その変動則を正面から解析した2017 年の報告8もあります。

活性化エネルギーの取り出し方は、アレニウスの傾きから決まります。

逆温度 K⁻¹ あたり 1 桁の傾きが、0.198 eV にあたります。2 桁なら 0.397 eV。桁の傾きと eV が、この 1 つの係数で結ばれます。

出典

  1. 1 Power-Law Degradation and Lifetime Interpretation in Microelectronics Reliability (2026) doi:10.3390/app16115387
  2. 2 Self-Heating Effect Coupled Compact Model to Predict Hot Carrier Injection Degradation in Nanoscale Devices (2025) doi:10.3390/app15052351
  3. 3 Time Dependent Dielectric Breakdown in Copper Low-k Interconnects - Mechanisms and Reliability Models (2012) doi:10.3390/ma5091602
  4. 4 Statistics and physics of area-dependent dielectric breakdown - an overlooked yet inevitable natural law (2026) doi:10.3389/fnano.2026.1885901
  5. 5 Critical analysis of short-term negative bias temperature instability measurements - Explaining the effect of time-zero delay for on-the-fly measurements (2007) doi:10.1063/1.2695998
  6. 6 A 65 nm CMOS 400 ns Measurement Delay Negative-Bias-Temperature-Instability Recovery Sensor with Minimum Assist Circuit (2011) doi:10.1143/jjap.50.04de06
  7. 7 A model for conductor failure considering diffusion concurrently with electromigration resulting in a current exponent of 2 (1986) doi:10.1063/1.336731
  8. 8 A theoretical analysis to current exponent variation regularity and electromigration-induced failure (2017) doi:10.1063/1.4975348