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UBMエッチングとは

UBMエッチング(Under-Bump Metallization Etch)とは、バンプ形成とレジスト剥離の後、端子間に露出した下地金属を除き、バンプ同士を絶縁する工程です。バンプ直下の必要な下地は残します。

端子間の金属を完全に除く必要があります。一方、長く除去するとバンプ下へ回り込み、支持と接合の面積を削ることがあります。

構造と工程の関係
バンプ間の下地金属を除く下地が端子間をつなぐ下地を除いて絶縁対象材料・信号周辺材料
露出した下地を除きます。端子間の残留と、端子直下の必要な金属を別々に確認します。

バンプ間の薄い下地金属をエッチングし、厚く形成したバンプとその下地を残します。複数の金属層がある場合は、材料ごとの除去条件を組み合わせます。1

ウェットエッチングなどの除去法を金属構成へ合わせます。カッパーピラーバンプの銅柱だけでなく、その下の接着、拡散防止、導電下地のどこを残すかが重要です。

構造と工程の関係
回り込みで端子下の支持が減る必要な支持面積横からの過剰な除去対象材料・信号周辺材料
除去を進めすぎると端子下へ薬液が回り込みます。残留の除去と接合面の保持を両立させます。

下地とレジスト開口を形成してバンプをめっきし、レジストを剥がします。露出したUBMを除去し、洗浄して残留とバンプ下の状態を確認します。1

Applied MaterialsのHBM工程列は、PVD、レジスト剥離、Under Bump Etchを別工程として示します。下地の形成と不要部の除去は分けて考えます。

端子間の残留金属、絶縁、バンプ下への回り込み、腐食、バンプの寸法と密着を管理します。

断面と導通・絶縁試験を合わせます。表面が清浄でもバンプ下のえぐれは隠れるため、必要な支持面積が残ることを確認します。

残留を減らす条件とバンプ下の金属を保つ条件は競合します。初期膜厚、積層材、除去の選択性を合わせて工程を決めます。

UBMエッチングは何をする工程ですか?

バンプ形成とレジスト剥離の後、端子間に露出した下地金属を除き、バンプ同士を絶縁する工程です。バンプ直下の必要な下地は残します。

どの段階で行いますか?

下地とレジスト開口を形成してバンプをめっきし、レジストを剥がします。露出したUBMを除去し、洗浄して残留とバンプ下の状態を確認します。

何を管理しますか?

端子間の残留金属、絶縁、バンプ下への回り込み、腐食、バンプの寸法と密着を管理します。

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    UBMエッチングの公式資料ir.appliedmaterials.com ・ 2026年10月12日閲覧 ab