ウェーハレベル気密封止とは
ウェーハレベル気密封止（Wafer-Level Hermetic Sealing）とは、ウェーハ上の多数のデバイスへ同時に蓋を接合し、内部空間を外気から隔離する工程です。MEMSの可動部分を保護し、内部のガスや圧力を必要な状態に保ちます。
多数のデバイスをまとめて保護できますが、接合不良や内部汚染が広い範囲へ影響します。接合温度と可動構造の耐性、必要な内部雰囲気を両立させます。
ウェーハレベル気密封止の仕組み
Section titled “ウェーハレベル気密封止の仕組み”ウェーハレベル気密封止の工程では1、ウェーハ上の多数のデバイスへ同時に蓋を接合し、内部空間を外気から隔離する工程です。MEMSの可動部分を保護し、内部のガスや圧力を必要な状態に保ちます。
前後の工程と処理順
Section titled “前後の工程と処理順”デバイス面とキャップ面を準備し、接合リングを位置合わせします。指定の雰囲気や真空で接合し、気密性と内部状態を検査して個片化へ進みます。
管理する条件
Section titled “管理する条件”接合面の粒子、リングの連続性、ボイド、漏れ、内部圧力を管理します。接合できた面積だけでは密封を証明できず、外部から内部へつながる経路がないことを確かめます。
ウェーハレベル気密封止後に確認すること
Section titled “ウェーハレベル気密封止後に確認すること”接合後は、界面ボイド、位置ずれ、接合強度、反り、電気接続または気密性を確認します。接合温度や圧力だけでなく、接合前の清浄度、粗さ、材料組合せが結果を決めます。不良位置が粒子、面内温度、荷重分布のどれと対応するかを調べます。
よくある質問（FAQ）
Section titled “よくある質問（FAQ）”ウェーハレベル気密封止は何をする工程ですか？
ウェーハ上の多数のデバイスへ同時に蓋を接合し、内部空間を外気から隔離する工程です。MEMSの可動部分を保護し、内部のガスや圧力を必要な状態に保ちます。
どの段階で行いますか？
デバイス面とキャップ面を準備し、接合リングを位置合わせします。指定の雰囲気や真空で接合し、気密性と内部状態を検査して個片化へ進みます。
どこを管理しますか？
接合面の粒子、リングの連続性、ボイド、漏れ、内部圧力を管理します。接合できた面積だけでは密封を証明できず、外部から内部へつながる経路がないことを確かめます。
比較・違いを学ぶ
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- 1Bosch Semiconductorbosch-semiconductors.com ・ 2026年10月12日閲覧 ↩