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PERR(エッチング残渣除去)とは

PERR(エッチング残渣除去)(Post Etch Residue Removal)とは、エッチング後に側壁や開口底へ残る反応物を取り除く工程です。BEOLでは残渣を除きながら、low-k絶縁膜、露出金属と下地を損傷しない条件を決めます。

残渣があると後の金属の密着と接続を妨げます。一方、強い洗浄でlow-k膜が削れたり金属が腐食したりすれば、寸法と絶縁、信頼性が悪化します。

PERR(エッチング残渣除去)の仕組み

Section titled “PERR(エッチング残渣除去)の仕組み”
構造と工程の関係
側壁の残渣を除いて金属形成へ渡す加工後の複合残渣残す膜を保って洗浄残渣low-k膜
側壁と底面の残渣は後の膜の密着と接続を妨げます。露出する金属とlow-k膜の適合性を同時に確認します。

フルオロカーボン系プラズマで絶縁膜を加工すると、側壁などにフッ素を含む複合残渣ができます。PERRはこれを除き、必要に応じてTiNハードマスクも除去または保持します。1

低誘電率膜と金属が同時に露出するため、洗浄の薬液を残渣だけに合わせることはできません。露出するCuやW、バリアとライナー、膜質によって適合する組成とpHが変わります。

構造と工程の関係
残渣除去とlow-k損失は別に評価する膜損失材料を保持過剰な処理で膜が減るlow-k膜
多孔質のlow-k膜では膜厚だけでなく表面化学と電気特性も確認します。図は材料損失の概念図です。

絶縁膜の加工と必要なレジスト除去を行い、残渣とハードマスクへ合わせた薬液で処理します。リンスと乾燥を済ませ、清浄な開口をバリア・ライナーと金属形成へ渡します。2

TiNを除く構成では開口の実効的な深さと埋込み条件も変わります。マスクを残す構成と同じレシピを使うとは限りません。薬液の材料適合を個別に確認します。

残渣、low-kと金属の膜厚損失、ハードマスクの除去量、温度と時間、流れ、電気特性を管理します。

SEMで残渣と形状を観察し、膜厚、表面化学、接触抵抗、リークなどを比較します。低い残渣量だけで合格とせず、絶縁膜の変質と金属腐食も確認します。

残渣の完全除去と材料の保護は競合します。濃度、温度、時間と液の交換を分けて評価し、膜損失と電気特性まで許容される工程窓を決めます。

PERR(エッチング残渣除去)は何をする工程ですか?

エッチング後に側壁や開口底へ残る反応物を取り除く工程です。BEOLでは残渣を除きながら、low-k絶縁膜、露出金属と下地を損傷しない条件を決めます。

どの段階で行いますか?

絶縁膜の加工と必要なレジスト除去を行い、残渣とハードマスクへ合わせた薬液で処理します。リンスと乾燥を済ませ、清浄な開口をバリア・ライナーと金属形成へ渡します。

何を管理しますか?

残渣、low-kと金属の膜厚損失、ハードマスクの除去量、温度と時間、流れ、電気特性を管理します。

  • 低誘電率膜── 前後の工程と仕組みを調べる
  • 洗浄── 前後の工程と仕組みを調べる
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  1. 1
    Entegris・imec low-kとTiNのPERR評価entegris.com ・ 2026年10月12日閲覧 ↩
  2. 2
    ECS・imec BEOLのWet洗浄統合ecs.confex.com ・ 2026年10月12日閲覧 ↩
  3. 3
    Entegris Post Etch Cleaning Solutionsentegris.com ・ 2026年10月12日閲覧