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ベベル洗浄・エッチングとは

ベベル洗浄・エッチング(Wafer Bevel Cleaning / Etching)とは、ウェーハの丸い外周部や端面へ付いた膜・汚染を局所的に除く工程です。外周の膜が剥がれ、表面や搬送部へ粒子として移るのを防ぎます。

外周を広く処理すれば汚染源を減らせますが、回路領域や薄い基板を損傷するおそれがあります。除去対象の膜と中央を保護する範囲を具体的に決めます。

ベベル洗浄・エッチングの仕組み

Section titled “ベベル洗浄・エッチングの仕組み”
工程の仕組み
デバイス面を保護し、外周だけを処理する中央のデバイス面外周へ処理種ウェーハ除去する外周膜処理の供給
ウェーハ中央のデバイス領域を保護し、外周とベベルの不要な膜を局所的に除きます。処理範囲を回路へ侵入させないことが必要です。

ベベル洗浄・エッチングの工程では1、ウェーハの丸い外周部や端面へ付いた膜・汚染を局所的に除く工程です。外周の膜が剥がれ、表面や搬送部へ粒子として移るのを防ぎます。

成膜や加工で外周に付いた膜を、外周へ限定した薬液・プラズマなどで除去します。表面中央の回路を保護し、裏面や端面まで必要な範囲を清浄にします。

工程の仕組み
外周の膜を除き、中央の膜を残す端面に膜が残る中央の膜を保つウェーハ除去する外周膜処理の供給
外周へ付いた膜を除きます。中央の回路と膜を保ち、外周の残膜や剥がれを確認します。

処理幅、膜の種類、基板の位置と外周の状態を管理します。レジスト外周を溶かすEBRに加え、無機膜や金属膜を含めた外周の清浄化では材料ごとの反応が必要です。

ベベル洗浄・エッチング後に確認すること

Section titled “ベベル洗浄・エッチング後に確認すること”

処理後は、ウェーハ外周の処理幅、残膜・残渣、粗さ、欠け、デバイス面への侵入を確認します。外周を強く処理すると粒子源は減りますが、有効領域や端面強度を損ねます。中心面の測定だけで合格にせず、全周を見て偏心や局所むらを戻します。

ベベル洗浄・エッチングは何をする工程ですか?

ウェーハの丸い外周部や端面へ付いた膜・汚染を局所的に除く工程です。外周の膜が剥がれ、表面や搬送部へ粒子として移るのを防ぎます。

どの段階で行いますか?

成膜や加工で外周に付いた膜を、外周へ限定した薬液・プラズマなどで除去します。表面中央の回路を保護し、裏面や端面まで必要な範囲を清浄にします。

どこを管理しますか?

処理幅、膜の種類、基板の位置と外周の状態を管理します。レジスト外周を溶かすEBRに加え、無機膜や金属膜を含めた外周の清浄化では材料ごとの反応が必要です。

  • 洗浄── 関連する工程・材料の説明
  • 枚葉式洗浄── 関連する工程・材料の説明
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  1. 1
    Lam Researchlamresearch.com/…/strip-clean ・ 2026年10月12日閲覧 ↩
  2. 2
    Lam Researchlamresearch.com/…/plasma-bevel-etch-and-deposition ・ 2026年10月12日閲覧