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シリコンフォトニクスとは

シリコンフォトニクスとは、シリコンの導波路で光を運び、変調や受光まで同じチップで行う集積回路です。 CMOS と同じ製造ラインで作れます。

光の部品は、これまで個別に作って組み立ててきました。シリコンへ載せ替えるのは、同じウェーハの上へ何千もの部品をまとめて作れば、1 つあたりの費用が桁で下がるからです。

SOI の上の Si 層に導波路を刻み、CMOS と同じ口径で作る

Section titled “SOI の上の Si 層に導波路を刻み、CMOS と同じ口径で作る”
断面の構成
光の部品を、CMOS の工程で作ります上部クラッドSi 導波路の層埋め込み酸化膜Si 基板(200 mm / 300 mm)Si 導波路導波路の層酸化膜Si 基板
埋め込み酸化膜の上の Si 層へ導波路を刻み、上下を屈折率の低い酸化膜で挟みます。CMOS と同じ 200 mm と 300 mm のラインで作れます。

土台は SOI の基板です。埋め込み酸化膜の上にある Si の層へ導波路を刻み、上下を屈折率の低い酸化膜で挟みます。光はこの Si の中に閉じ込められて進みます。

imec は 200 mm の iSiPP200 と 300 mm の iSiPP300 という 2 つのプラットフォーム1を提供しており、どちらも CMOS と同じ口径です。TSV・マイクロバンプ・埋め込みマイクロバンプによる集積にも対応し1、電気の回路と組み合わせる道筋まで揃っています。

運ぶ・変える・受けるが、同じ工程の中で揃う

Section titled “運ぶ・変える・受けるが、同じ工程の中で揃う”
主な構成部品
プラットフォームが揃える部品GeSi 電界吸収変調器Ge/Si アバランシェ受光器SiN 導波路III-V レーザー半導体光増幅器LNO 変調器iSiPP200 と iSiPP300 の 2 口径
imec は 200 mm の iSiPP200 と 300 mm の iSiPP300 で、変調器・受光器・導波路・レーザー・増幅器を同じ工程へ揃えています。

プラットフォームの部品は、SiN 導波路、III-V レーザー、LNO 変調器、半導体光増幅器、GeSi 電界吸収変調器、Ge/Si アバランシェ受光器です1。imec は、C 帯で 110 GHz を超える GeSi 電界吸収変調器と1、100 GHz の Ge/Si アバランシェ受光器、正味 400 Gbps のデータ受信を示しました。LPCVD の導波路は、極めて低い損失を示すとしています1。運ぶ・変える・受けるの 3 つが、同じ工程の中で揃います。

光を放つレーザーだけは、外から持ち込む

Section titled “光を放つレーザーだけは、外から持ち込む”

Si は間接遷移の半導体なので、電流を光へ変える効率が低い材料です。レーザーは別の材料から持ち込むことになります。

レーザーの集積手段は1、ウェーハ規模のフリップチップ接合、マイクロトランスファープリンティング、電気励起のナノリッジレーザーの 3 つです。前の 2 つは別に作ったレーザーを運んで載せる手、最後は Si の上で直接育てる手で、どこまで工程へ取り込むかで選択肢が異なります。

用途はデータセンターの配線で、回線は 400 Gb/s を目標とする

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将来のデータセンター回線は、400 Gb/s の容量を目標とします2。imec は 2 並列の GeSi 電界吸収変調器による 106 Gb/s の送信器を PAM-4 変調で実現し、その消費は 1.5 pJ/ビットでした。PAM-4 で 53 GBd の単一レーン伝送を 500 m にわたって行い、TSV 送受信機の帯域密度は 1 Tbps/mm² でした。

Si は安く作れるかわりに、レーザーだけは別の材料に頼る

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Si は大口径で安く作れ、CMOS の設備をそのまま使えます。その代わり光を放つ効率が低く、レーザーだけは別の材料を持ち込むことになります。貼り合わせれば結晶を合わせる工程が消えますが、1 個ずつ載せる手間が増えます。直接育てれば工程へ取り込めるものの、格子の差から出る欠陥を抑え込む工夫が要ります。

シリコンフォトニクスとは何ですか?

シリコンの導波路で光を運び、変調や受光まで同じチップで行う集積回路です。CMOS と同じ製造ラインで作れます。

どんなウェーハで作りますか?

imec は、200 mm の iSiPP200 と 300 mm の iSiPP300 という 2 つのプラットフォームを提供しています。

どんな部品が揃いますか?

SiN 導波路、III-V レーザー、LNO 変調器、半導体光増幅器、GeSi 電界吸収変調器、Ge/Si アバランシェ受光器です。

速度はどのくらいですか?

imec は、C 帯で 110 GHz を超える GeSi 電界吸収変調器と、100 GHz の Ge/Si アバランシェ受光器を示しました。

なぜシリコンを使いますか?

大口径のウェーハで安く作れること、既存の CMOS の設備と工程をそのまま使えることです。

苦手なことは何ですか?

光を放つことです。Si は間接遷移の半導体なので、レーザーには III-V の材料を持ち込みます。

電気の回路とどうつなぎますか?

TSV・マイクロバンプ・埋め込みマイクロバンプによる集積に対応します。

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