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PECVD（プラズマ支援CVD）とは

THEME 02 パターン形成 · 成膜（CVD / ALD / PVD）Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
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PECVD（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition、プラズマ支援CVD）とは、プラズマで原料ガスを分解して反応を促進することにより、低い基板温度で薄膜を作るCVDの一種です。 熱予算に上限がある工程順で使えることが、採用理由の中心にあります。

反応のエネルギーをプラズマから取り、基板温度を下げる

Section titled “反応のエネルギーをプラズマから取り、基板温度を下げる”

PECVDの出発点は、反応を進めるエネルギーを熱以外から取るという発想です。熱CVDでは基板を加熱して原料ガスの反応を進めるため、基板温度が高くなります。PECVDはプラズマが原料ガスを分解して反応種を作るため、より低い基板温度で膜が育ちます。

低温で成膜できる性質は、そのまま工程順の自由度になります。配線を作り込んだあとに絶縁膜やパッシベーション膜を載せる場面では、既にある配線や素子を保護できる温度域が要ります。Oxford Instruments Plasma Technologyは、PECVDを多様な膜種の成膜に使われる確立した手法とし1、多くのデバイスが高品質なパッシベーション膜や高密度マスクの形成にPECVDを要するとしています。

膜厚に加えて、膜の性質も合わせ込みます
まず膜厚を合わせます膜厚PECVDで作る膜ウェーハ膜厚は合わせる項目の1つです同時に合わせ込む膜特性屈折率応力電気特性ウェットエッチレートOxford Instruments Plasma Technology の公式技術ページの記述です
PECVDでは膜厚に加えて、屈折率、応力、電気特性、ウェットエッチレートといった膜の性質も同時に合わせ込みます。
熱CVD と PECVD ─ 反応エネルギーの出どころ
熱CVD基板の熱が反応を進める原料ガスウェーハヒーター（高温）熱予算を圧迫するPECVDプラズマが原料ガスを分解するRF電極プラズマウェーハヒーター（低温で足りる）配線を作り込んだ後でも載せられる
熱CVDは基板の熱で原料ガスを反応させるため、基板温度が高くなります。PECVDはプラズマが原料ガスを分解して反応種を作るため、基板側は低い温度で足ります。この差が、配線を作り込んだあとに膜を載せられるかを決めます。

膜厚と同時に膜質を合わせ込む

Section titled “膜厚と同時に膜質を合わせ込む”

Oxford Instruments Plasma Technologyは、同社のPECVD装置が優れた均一性と高い成膜レートの膜を与え、屈折率、応力、電気特性、ウェットエッチレートといった膜特性を制御できるとしています。装置条件の設計では、膜厚に加えてこれらの膜質パラメータを同時に合わせ込みます。

ダメージをさらに抑えたい膜では、ICPCVDが候補になる

Section titled “ダメージをさらに抑えたい膜では、ICPCVDが候補になる”

プラズマの作り方によって、形式も分かれます。Oxford Instruments Plasma Technologyは、ICPCVD（誘導結合プラズマCVD）2ではイオンエネルギーとイオン電流密度を独立して制御でき、典型的なプロセス圧力は1から10ミリトールで、低温かつ低ダメージで高品質な誘電体膜を成膜できるとしています。そのため、基板へのダメージをさらに抑えたい膜種では、通常のPECVDよりICPCVDが候補になります。

この用語に対応する装置と製造メーカー

Section titled “この用語に対応する装置と製造メーカー”

装置カタログDBから、この用語に一致する製品familyを持つメーカー 9社／9family を引いています。 各行は各社の公式製品ページを出典とします。 DBからの生成日: 2026-08-21

出典は各社の公式製品ページです。 装置カタログDB では、同じ製品familyを工程・メーカー横断で検索できます。

関連するデータ・ツール

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よくある質問（FAQ）

Section titled “よくある質問（FAQ）”
PECVDとは何ですか？

PECVD（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition、プラズマ支援CVD）は、プラズマで原料ガスを分解して反応を促進することにより、低い基板温度で薄膜を作るCVDの一種です。Oxford Instruments Plasma Technologyは、多様な膜種の成膜に使われる確立した手法としています。

PECVDと熱CVDの違いは何ですか？

反応を進めるエネルギーの出どころが異なります。熱CVDは基板の熱で反応させるため基板温度が高くなり、PECVDはプラズマが原料ガスを分解するため、より低い基板温度で成膜できます。既に作り込んだ配線や素子の熱予算に上限がある工程順では、この差が選択を決めます。

PECVDで何を制御しますか？

膜厚に加えて、屈折率、応力、電気特性、ウェットエッチレートといった膜特性です。Oxford Instruments Plasma Technologyは、同社のPECVD装置が優れた均一性と高い成膜レートを与え、これらを制御できるとしています。これらの膜質パラメータが後工程の歩留まりを左右します。

PECVDでどんな膜を作りますか？

高品質なパッシベーション膜や高密度マスクです。誘電体膜のパッシベーションが代表的な適用先で、配線工程のあとに絶縁膜を載せる場面でよく使われます。

ICPCVDとPECVDの違いは何ですか？

プラズマの作り方が異なります。Oxford Instruments Plasma Technologyは、ICPCVD（誘導結合プラズマCVD）ではイオンエネルギーとイオン電流密度を独立して制御でき、典型的なプロセス圧力は1から10ミリトールで、低温かつ低ダメージで高品質な誘電体膜を成膜できるとしています。

PECVD装置のメーカーはどこですか？

ラムリサーチ、Applied Materials、ASM、SAMCO、Piotech、Plasma-Therm、scia Systemsなどです。当サイトの装置カタログDBで、PECVDに一致する製品familyを持つメーカーを公式製品ページ単位で引けます。

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