デバイス評価テスト
デバイス評価とは、試作や量産のトランジスタ・ダイオードなどの素子について、電流・電圧・容量・抵抗といった電気的特性を詳しく測り、設計どおりの性能があるかを調べる工程である。良否の選別を目的とする量産テストと違い、素子の性質そのものを理解し、設計や製造条件へ返すことを目的とする。代表的な手法にI-V・C-V特性評価があり、GaNパワー素子ではスイッチング直後のオン抵抗（動的オン抵抗）のように実動作に近い条件での特性も評価する。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”テストの下にある工程で、同じ分類にはほかに14工程がある。
- I-V・C-V特性評価：I-V・C-V特性評価とは、半導体素子に電圧をかけて流れる電流（I-V）や、電圧に応じて変わる容量（C-V）を測り、素子の電気的な性質を調べる評価である。
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”ウェーハテスト、ファイナルテスト、バーンイン、SLT（システムレベルテスト）、ビン分け（ビニング）、コンカレントテスト（同時並列テスト）、外部ループバックテスト、ファンクションテスト、IDDQテスト（静止時電流試験）、メモリ冗長救済（リペア）、OTA試験（無線空間伝搬試験）、パラメトリックテスト、PAT（パートアベレージテスト）、スキャンテスト