CMP後洗浄前工程 › 洗浄・表面処理
CMP後洗浄は、CMP（化学機械研磨）を終えた直後のウェーハ表面から、砥粒や研磨屑、金属不純物、有機残渣を除く工程である。CMP後の表面には他の工程より多くの種類の異物が付き、乾くとスラリーが固着するため、ウェーハが乾く前に汚れを剥がす。剥がした汚れは純水リンスの間に再び付きやすいので、除去と再付着の防止を同時に満たす洗浄液とブラシなどの物理作用を組み合わせる。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”洗浄・表面処理の下にある工程で、同じ分類にはほかに21工程がある。
- CMP用洗浄装置
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”枚葉洗浄、ベベル洗浄・エッチング、低温エアロゾル洗浄、CVC洗浄（化学気相洗浄）、DDC（オゾン水・フッ酸交互洗浄）、DHF（希フッ酸）洗浄、表面改質（表面修飾）、IMECクリーン、IPA乾燥（イソプロピルアルコール乾燥）、メガソニック洗浄、オゾン水洗浄、PERR（エッチング後残渣除去）、成膜前プリクリーン、RCA洗浄、室温四工程洗浄、スピン乾燥、SPM（硫酸過水洗浄）、超臨界CO₂乾燥、二流体洗浄、UVオゾン洗浄、リンス（純水による薬液置換）