半導体ニュース・技術記事｜企業発表・研究・製造技術

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10月OCTOBER 2026192件

10.162026

工程技術解説工程 · MHM（メタルハードマスク方式）

TiNマスクのウィグリングとWdC｜代償は除去工程の作り直し

エッチング 成膜配線形成

SOURCES 標準・公的研究 · 出典リンク 11件

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10.162026

工程技術解説工程 · エッチング

WdCハードマスクの歴史｜メモリの深穴から配線工程へ

エッチング 成膜配線形成

SOURCES 標準・公的研究 · 出典リンク 12件

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10.162026

工程技術解説工程 · PECVD（プラズマCVD）

WdC成膜装置の供給元候補｜Applied・Lam・韓国TES

成膜 エッチング配線形成

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 13件

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10.162026

工程技術解説工程 · MHM（メタルハードマスク方式）

ウィグリングの座屈モデル｜TiNとWdCのマスク応力

エッチング 成膜配線形成

SOURCES 標準・公的研究 · 出典リンク 16件

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10.162026

工程技術解説工程 · 成膜

膜応力とヤング率の基礎｜単位と符号、ウェハの反りまで

成膜 配線形成

SOURCES 標準・公的研究 · 出典リンク 10件

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10.162026

工程技術解説工程 · 成膜

膜応力の由来｜熱膨張差・膜の育ち方・成膜後の変化

成膜 配線形成

SOURCES 標準・公的研究 · 出典リンク 12件

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10.062026

工程技術解説工程 · 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）

3D実装装置の競合、工程ごとに相手が変化｜接合機はAMATのD2WとTELのW2W

装置メーカー比較 洗浄・表面処理先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）ダイシング・薄化ボンディング

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 11件

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10.062026

工程技術解説工程 · 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）

3D積層の熱抵抗、hotspotは別に測定｜imec試験、25 µm薄化dieで温度上昇が拡大

先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット） ダイシング・薄化検査・計測

SOURCES 公式技術記事 · 出典リンク 7件

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10.062026

工程技術解説工程 · 配線形成

BEOL計測の中心はエッチ後の線幅と高さ｜金属CMPを省くimecのRu工程

検査・計測 エッチングCMP（化学機械研磨）配線形成

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 9件

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10.062026

工程技術解説工程 · コンタクト形成（MOL）

CFETの配線を収めるimecのMRW｜セル高さは3.5トラックへ低下

GAA・ナノシート 裏面電源配線形成学会・研究動向

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 7件

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10.062026

工程技術解説工程 · コンタクト形成（MOL）

CFETの裏面コンタクトで上段生存率79%｜表から作る場合は11%とimec試作

GAA・ナノシート 裏面電源配線形成

SOURCES 標準・公的研究 · 出典リンク 5件

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10.062026

工程技術解説工程 · ハイブリッドボンディング

Cu-Cu接合の量産、HBMはまだバンプ｜Sony・Kioxia・AMDとIntelが製品化

ボンディング 3D NANDHBM・DRAMイメージセンサ先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 17件

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10.062026

工程技術解説工程 · アンダーフィル

CUFのボイド、粘度に加え濡れと辺の流れ｜ダイの辺を先行する流れが空気を閉じ込める例

モールド・封止 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）歩留まり・欠陥解析信頼性評価

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 11件

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10.062026

工程技術解説工程 · 成膜

CVDとPVDの違いと成膜方式の選び方｜段差、温度、材料の順に選ぶ

成膜 アニール・熱処理配線形成装置メーカー比較

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 18件

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10.062026

工程技術解説工程 · 塗布・現像

EUVレジストはパターンで使い分け｜imec実証でMORとCARの境は20 nm前後

レジスト・塗布現像 High-NA EUV露光（高開口数EUV露光）フォトマスク・レチクル

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 10件

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10.062026

工程技術解説工程 · プロセスインテグレーション

FinFETからGAAで得る性能と増える工程｜負担はシート解放と内側スペーサから

GAA・ナノシート 成膜エッチング市場・設備投資

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 11件

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10.062026

工程技術解説工程 · プロセスインテグレーション

FinFETとGAAの違い、ゲートが囲む面の数｜プレーナは上面、FinFETは3面

GAA・ナノシート 裏面電源

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 7件

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10.062026

工程技術解説工程 · プロセスインテグレーション

GAAロードマップ、3社ともnanosheet系｜TSMCは2029年のA13まで

GAA・ナノシート 裏面電源学会・研究動向

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 17件

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10.062026

工程技術解説工程 · 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）

HBMの熱、GPU上に積むと2.5Dの約2倍｜imec試算、対策を重ねて70.8°Cまで

先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット） HBM・DRAM

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 6件

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10.062026

工程技術解説工程 · 枚葉洗浄

SCREEN枚葉洗浄、転機はHKMG導入｜2008年に枚葉がバッチを上回る

洗浄・表面処理 市場・設備投資

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 12件

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10.062026

工程技術解説工程 · 配線形成

エアギャップで配線の自己発熱が30%増｜imecのA14世代14層シミュレーション

配線形成 信頼性評価学会・研究動向

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 10件

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10.062026

工程技術解説工程 · エッチング

エッチングの基本と不良の見分け方｜工程の9割以上はドライとSCREEN

エッチング 洗浄・表面処理検査・計測歩留まり・欠陥解析

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10.062026

工程技術解説工程 · セミダマシン配線形成

セミダマシンの仕組み、Ruを削って配線｜第1世代はM0、imecが提案

配線形成 エッチングCMP（化学機械研磨）学会・研究動向

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 10件

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10.062026

工程技術解説工程 · ダマシン法

ダマシン配線の3モデルを3Dで比較｜分類軸は凹部の種類と統合単位

配線形成 成膜CMP（化学機械研磨）検査・計測

SOURCES 公式技術記事 · 出典リンク 6件

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10.062026

工程技術解説工程 · ハイブリッドボンディング

ハイブリッドボンディングの利点と代償｜pitchは10 µm未満、アニール後は不可逆

ボンディング CMP（化学機械研磨）先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）歩留まり・欠陥解析

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 12件

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10.062026

工程技術解説工程 · プロセスインテグレーション

フォークシートをCFET世代でも使うimec案｜A5とA3の周波数維持に外壁型

GAA・ナノシート 学会・研究動向

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 7件

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10.062026

工程技術解説工程 · リソグラフィ

リソグラフィ不良は4ブロックで切り分け｜塗布・露光・現像・計測へ測定値を返す

レジスト・塗布現像 High-NA EUV露光（高開口数EUV露光）検査・計測歩留まり・欠陥解析

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10.062026

工程技術解説工程 · ハイブリッドボンディング

位置ずれで抵抗と絶縁破壊が同時に悪化｜ソニーは1 µmピッチ接合で測定

ボンディング CMP（化学機械研磨）歩留まり・欠陥解析信頼性評価

SOURCES 公式技術記事 · 出典リンク 11件

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10.062026

工程技術解説工程 · プロセスインテグレーション

寄生抵抗が生じるGAAのアクセス領域｜最大成分はimecとUCLAで見解が別

GAA・ナノシート 成膜

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 5件

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10.062026

工程技術解説工程 · High-NA EUV露光（高開口数EUV露光）

焦点深度などHigh-NAに残る3つの課題｜imecは露光機とトラックを連結して検証

High-NA EUV露光（高開口数EUV露光） レジスト・塗布現像検査・計測歩留まり・欠陥解析

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 13件

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10.062026

工程技術解説工程 · ハイブリッドボンディング

接合の位置ずれ、EVGとBesiは測定名が別｜imecの量産条件はずれ100 nm未満

ボンディング 検査・計測歩留まり・欠陥解析装置メーカー比較

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 10件

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10.062026

工程技術解説工程 · ハイブリッドボンディング

接合不良とボイド、損失の99%超で相関｜Adeia試験品、ボイドの中心に粒子

ボンディング CMP（化学機械研磨）洗浄・表面処理先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）歩留まり・欠陥解析

SOURCES 公式技術記事 · 出典リンク 8件

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10.062026

工程技術解説工程 · 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）

先端パッケージの基本、HBM2Eは1,024本｜プリント基板の上限は約384本（Micron）

先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット） HBM・DRAM歩留まり・欠陥解析AI・データセンター

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 7件

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10.062026

工程技術解説工程 · 選択成膜（領域選択成膜）

選択成膜でコンタクトを底から埋める｜省く下地層は体積の約75%とApplied

成膜 CMP（化学機械研磨）配線形成検査・計測装置メーカー比較

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 6件

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10.062026

工程技術解説工程 · 前工程

中国半導体製造装置、日本勢と重なる3社｜洗浄・塗布現像・CMP、売上は9割超が中国

装置メーカー比較 レジスト・塗布現像CMP（化学機械研磨）洗浄・表面処理市場・設備投資

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 13件

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10.062026

工程技術解説工程 · 検査・計測

電子ビーム検査と計測、役割は製品ごと｜eSL10は欠陥、PROVision 10は寸法

検査・計測 市場・設備投資装置メーカー比較

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 12件

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10.062026

工程技術解説工程 · 検査・計測

半導体検査装置と計測装置の違い｜ハイブリッド接合では接合ずれも測定

検査・計測 ボンディング歩留まり・欠陥解析装置メーカー比較

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 8件

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10.062026

工程技術解説工程 · 前工程

半導体製造装置新製品、6件がGAA向け｜コンタクトではAMATとLamがMo成膜

装置メーカー比較 GAA・ナノシート3D NAND成膜エッチング

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 11件

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10.062026

工程技術解説工程 · 歩留まり・欠陥解析

歩留まりの基本、欠陥マップで原因を絞る｜有効チップに占める良品の割合

歩留まり・欠陥解析 CMP（化学機械研磨）検査・計測

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 12件

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10.062026

工程技術解説工程 · 配線形成

埋め込み電源レールは裏面給電で効果約4倍｜電源レールをトランジスタの下へ移す構造

裏面電源 配線形成ダイシング・薄化ボンディング

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 8件

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10.062026

工程技術解説工程 · BSPDN（裏面電源供給）

裏面電源3方式の違いは着地先｜ソース・ドレイン直結が8.9%速いとimec

裏面電源 配線形成検査・計測

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 8件

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10.062026

工程技術解説工程 · BSPDN（裏面電源供給）

裏面電源の量産条件は表裏の位置合わせ｜許されるずれは10 nm未満

裏面電源 ボンディング検査・計測

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 10件

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10.062026

工程技術解説工程 · ハーフフィールドスティッチング

露光フィールド半減で大型ダイは2枚継ぎ｜継いだ線はimec実験で基準と同等

High-NA EUV露光（高開口数EUV露光） EUVフォトマスク・レチクル

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 11件

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10.062026

工程技術解説工程 · ソース・ドレイン形成

歪みシリコンを担うソースドレインのエピ｜歪みと抵抗が材料と濃度で連動、imec

成膜 GAA・ナノシート洗浄・表面処理

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 10件

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10.052026

工程技術解説工程 · CMP（化学機械研磨）

CMP歩留まりを下げる凹凸と欠陥の2経路｜凹凸は抵抗上昇、傷や残渣は短絡に

CMP（化学機械研磨） 配線形成歩留まり・欠陥解析

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 5件

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10.052026

工程技術解説工程 · 高アスペクト比エッチング

HARエッチの要件、TELとLamで3項目一致｜速さ・まっすぐさ・ばらつき、本記事の分類

エッチング 3D NAND装置メーカー比較

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 4件

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10.052026

工程技術解説工程 · 装置ソフトウェア・シミュレーション

SEMulator3D、3カ国の大学と顧客へ｜Lamが2017年のCoventor買収で取得

装置ソフトウェア・AI 装置メーカー比較

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 13件

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10.052026

工程技術解説工程 · ウェーハ・基板製造

ウェーハ再生回数は研磨方法次第｜再生の上限、RSは20回程度と記載

シリコンウェーハ CMP（化学機械研磨）洗浄・表面処理

SOURCES 公式技術記事 · 出典リンク 9件

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10.052026

工程技術解説工程 · ウェーハ・基板製造

再生ウェーハ、RSと昇陽が世界一を名乗る｜シェアはいずれも各社の自社推計

シリコンウェーハ 市場・設備投資

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 10件

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10.052026

工程技術解説工程 · 工程横断

半導体製造装置の新製品、採用の段階を比較｜最新のLam・IBM提携は5年の共同開発

装置メーカー比較 エッチング

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 8件

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10.052026

工程技術解説工程 · 装置ソフトウェア・シミュレーション

半導体製造装置求人、Lamは顧客現場へ｜TELのソフト職は自社装置の開発向け

装置ソフトウェア・AI 装置メーカー比較

SOURCES 公式技術記事 · 出典リンク 8件

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10.052026

工程技術解説工程 · 歩留まり・欠陥解析

歩留まりと売上、1層分の欠陥増で億ドル差｜TSMC規模で筆者試算、約6.8億ドル

歩留まり・欠陥解析 市場・設備投資

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 3件

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10.052026

工程技術解説工程 · 塗布・現像

TEL九州の求人で最多は電気とデータ解析｜薬液条件を開発する職は1件だけ

レジスト・塗布現像 装置ソフトウェア・AI

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 17件

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10.052026

工程技術解説工程 · 塗布・現像

コータデベロッパ、TELが売上シェア91%｜Gartner集計、High-NAラボもTEL

レジスト・塗布現像 EUVHigh-NA EUV露光（高開口数EUV露光）装置メーカー比較

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 13件

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10.052026

工程技術解説工程 · RDL（再配線層）形成

SCREENとEV Group、チップごとにずれ補正｜後工程露光5機種、反り対応は共通

マスクレス露光（直接描画露光） 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）装置メーカー比較

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 8件

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10.052026

工程技術解説工程 · 逐次3D集積

ソニー2層トランジスタ画素の作り方｜課題は耐熱接合と深いコンタクト

イメージセンサ アニール・熱処理ボンディング

SOURCES 公式技術記事 · 出典リンク 7件

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10.052026

工程技術解説工程 · デバイス・製品開発

ソニー2層トランジスタ画素の初搭載機｜初搭載はXperia 1 Vの主カメラ

イメージセンサ 学会・研究動向

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 9件

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10.052026

工程技術解説工程 · マスクレス露光（直接描画露光）

マスクレス露光でチップごとに固有ID｜SCREENは医療機器の製造記録に

マスクレス露光（直接描画露光） 装置ソフトウェア・AI

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 6件

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10.052026

工程技術解説工程 · 枚葉スピン洗浄

SCREENスピンスクラバー、毎時枚数約2倍｜SS-3200、搬送と制御の改良で

洗浄・表面処理 市場・設備投資

SOURCES 公式技術記事 · 出典リンク 6件

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10.052026

工程技術解説工程 · 工程横断

SCREEN中期経営計画、予想23%減でも達成｜最終年度5,690億円で届く計算

市場・設備投資 HBM・DRAM

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 4件

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10.052026

工程技術解説工程 · アクティニック検査

ACTISの感度、ファブの転写性欠陥を基準に｜3倍速は光学系の作り直し、Lasertec

フォトマスク・レチクル EUV検査・計測

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 14件

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10.052026

工程技術解説工程 · デバイス・製品開発

AIサーバー電源、SiCで損失約33%減｜ROHM試算、第5世代の三相LLC

SiC GaNAI・データセンター

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10.052026

工程技術解説工程 · マスク欠陥検査

EUVマスク検査、ファブ再認定でKLAと競合｜ACTISはLasertec売上の30.6%

フォトマスク・レチクル EUV検査・計測装置メーカー比較

SOURCES 公式技術記事 · 出典リンク 14件

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10.052026

工程技術解説工程 · デバイス・製品開発

ROHMのSiC第5世代、量産出荷を開始｜8インチ品、決算資料で報告

SiC パワー半導体市場・設備投資

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 8件

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10.052026

工程技術解説工程 · RDL（再配線層）形成

マスクレス露光の代償はデータ変換｜キヤノンはマスクで4ショットつなぐ

マスクレス露光（直接描画露光） フォトマスク・レチクル先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 6件

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10.052026

工程技術解説工程 · RDL（再配線層）形成

後工程露光装置の境目は2 µm未満の配線｜HBMのRDLは1.5 µm機の範囲

マスクレス露光（直接描画露光） 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）装置メーカー比較

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 8件

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10.052026

工程技術解説工程 · 炉アニール（バッチ式熱処理）

200mm縦型炉の更新、2機種とも旧機互換｜KOKUSAIとTEL、部品打ち切りに備え

アニール・熱処理 パワー半導体装置メーカー比較

SOURCES 公式技術記事 · 出典リンク 4件

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10.052026

工程技術解説工程 · デバイス・製品開発

800V DCラック、GaNは2か所に搭載｜整流器とLLC一次側、Renesasの白書

GaN パワー半導体AI・データセンター

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 6件

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10.052026

工程技術解説工程 · デバイス・製品開発

800V DC変換器、GaNよりMOSFETが多い｜MOSFETは8個、Renesas白書

AI・データセンター パワー半導体GaN

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 12件

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10.052026

工程技術解説工程 · オーバーレイ計測（重ね合わせ計測）

オーバーレイ計測、現像後ならやり直し可能｜エッチング後の値は露光補正に返す

検査・計測 装置メーカー比較

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 6件

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10.052026

工程技術解説工程 · 成膜

バッチ成膜装置シェア、TELとKOKUSAIで88%｜2024年、KOKUSAIがGartner値で算出

成膜 アニール・熱処理市場・設備投資装置メーカー比較

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 8件

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10.052026

工程技術解説工程 · 極低温エッチング（クライオエッチング）

極低温エッチング、TELは2027年量産へ｜Lamは2019年から量産で使用

エッチング 3D NANDガス・薬液装置メーカー比較

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 7件

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10.052026

工程技術解説工程 · 極低温エッチング（クライオエッチング）

極低温エッチングで電力40%減、Lam試算｜TELは電力43%減とIR Dayで提示

エッチング 3D NANDガス・薬液装置メーカー比較

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 6件

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10.052026

工程技術解説工程 · 検査・計測

検査装置シェア、KLAが過半の56.5%｜KLA自社資料、Gartnerの2024年集計

検査・計測 市場・設備投資装置メーカー比較

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 10件

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10.052026

工程技術解説工程 · 前工程

NAURAとAMECのエッチング売上198億元超｜世界市場の12%超、本記事の計算

装置メーカー比較 成膜エッチング市場・設備投資

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 9件

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10.052026

工程技術解説工程 · CMP（化学機械研磨）

フォーカス補正後も残る局所段差｜GlobalFoundriesの実験で1か所が悪化

CMP（化学機械研磨） 配線形成

SOURCES 標準・公的研究 · 出典リンク 4件

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10.052026

工程技術解説工程 · 欠陥レビュー

欠陥検査を歩留まりに返すreview分類｜AMATは0.001%のreviewで全候補分類

検査・計測 歩留まり・欠陥解析装置ソフトウェア・AI装置メーカー比較

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 4件

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10.052026

工程技術解説工程 · 工程横断

中国半導体製造装置の研究開発人員約37%増｜増加分の59%がNAURA、年次報告

装置メーカー比較 市場・設備投資

SOURCES 公式技術記事 · 出典リンク 11件

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10.052026

工程技術解説工程 · ステルスダイシング

DFL7363は加工と検査の並行で生産性約50%増｜2つのチャックテーブルと高出力エンジン

ダイシング・薄化 検査・計測

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 8件

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10.052026

工程技術解説工程 · コンタクトプラグ形成

Moコンタクト、EM故障は上のCu配線｜imecの試験構造、viaは約50 Ω

配線形成 成膜信頼性評価装置メーカー比較

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 4件

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10.052026

工程技術解説工程 · セミダマシン配線形成

Ru配線の16 nmピッチ実証は抵抗だけ｜歩留まりと信頼性は広いピッチ、imec

配線形成 信頼性評価

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 6件

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10.052026

工程技術解説工程 · レーザーダイシング

ディスコ新製品は7563から順次発売｜最後のDFL7162まで15か月

ダイシング・薄化 市場・設備投資

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 11件

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10.052026

工程技術解説工程 · オーバーレイ計測（重ね合わせ計測）

オーバーレイ計測を電子ビームで補正｜先端CMOS量産の例、2023年SPIE論文

検査・計測 学会・研究動向装置メーカー比較

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 10件

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10.052026

工程技術解説工程 · IAP（インクジェット適応平坦化）

キヤノンIAP、量産へ残る気泡と離型の課題｜平坦度はIntelが測定済み

CMP（化学機械研磨） 歩留まり・欠陥解析

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 8件

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10.052026

工程技術解説工程 · IAP（インクジェット適応平坦化）

キヤノンIAPの滴配置は高さ地図から逆算｜全面の凹凸5 nm以下とCanonが報告

CMP（化学機械研磨） 検査・計測

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 9件

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10.052026

工程技術解説工程 · 計測

電子ビーム計測の測定数が10倍に｜AMAT公称、PROVision 3Eから4年で

検査・計測 装置メーカー比較

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10.052026

工程技術解説工程 · 歩留まり・欠陥解析

GAA不良解析、症状ごとに原因候補2つ｜リークは基板の寄生チャネルも疑う

GAA・ナノシート 成膜歩留まり・欠陥解析

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10.052026

工程技術解説工程 · ドライエッチング

エッチング装置3社、得意工程を数値で比較｜TELは絶縁膜で世界シェア5割超

エッチング GAA・ナノシート3D NAND装置メーカー比較

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10.052026

工程技術解説工程 · ドライエッチング

パワー向けエッチング装置の選び方｜TELとAMATはウェーハ径で製品を分ける

エッチング パワー半導体SiC装置メーカー比較

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10.052026

工程技術解説工程 · ALD（原子層堆積）

メタルゲートALD、AMATは工程連結で差｜ASMとTELは同種の反応室を最大4室

成膜 GAA・ナノシート装置メーカー比較

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10.052026

工程技術解説工程 · ソース・ドレイン形成

GAA接触抵抗の原因を2系統で切り分け｜溝の中のvoidと成長前の表面

成膜 GAA・ナノシート洗浄・表面処理検査・計測歩留まり・欠陥解析

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10.052026

工程技術解説工程 · ウェーハ接合

ウェーハエッジトリミング、2社で別方式｜Lamは膜を足し、TELは縁削りを減らす

ボンディング 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）ダイシング・薄化装置メーカー比較

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10.052026

工程技術解説工程 · エピタキシャル成長

エピタキシャル装置は前洗浄と組で販売｜ASMは先端エピのシェアを25%に

成膜 GAA・ナノシート洗浄・表面処理市場・設備投資装置メーカー比較

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10.052026

工程技術解説工程 · ハイブリッドボンディング

ハイブリッドボンダー、AMATは2社と協業｜D2WはBesi、W2WはEV Group

ボンディング 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）市場・設備投資装置メーカー比較

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10.052026

工程技術解説工程 · テスト

APOSの節電見積もり、4項の掛け算｜1枚の削減電力だけ実測、本記事の式

テスト 装置ソフトウェア・AI

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10.052026

工程技術解説工程 · テスト

APOSはテストカード単位で電源を制御｜V93000の選択カードを自動で切替

テスト 装置ソフトウェア・AI特許・知財

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10.052026

工程技術解説工程 · ウェーハ・基板製造

ウェーハ出荷面積5.8%増でも売上減｜面積単価は約7%低下、SEMI値から計算

シリコンウェーハ AI・データセンター市場・設備投資

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10.052026

工程技術解説工程 · ウェーハ表面検査

ウェーハ表面検査の粒径はPSL換算値｜同じLSE径でも実寸は材料と形次第

検査・計測 シリコンウェーハ歩留まり・欠陥解析

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10.052026

工程技術解説工程 · フォトマスク・レチクル

EUVマスク5工程の供給元マップ｜ブランクはHOYAの推定で2社が供給

フォトマスク・レチクル EUV市場・設備投資装置メーカー比較

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10.052026

工程技術解説工程 · プロセスインテグレーション

GAA製品はSamsungとIntelが自社チップ｜TSMCのN2系はAMDとMediaTek

GAA・ナノシート 市場・設備投資

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10.052026

工程技術解説工程 · フォトマスク製造

High-NAマスクは4倍の方向が厳しい｜ASMLが2016年の発表で指摘

High-NA EUV露光（高開口数EUV露光） EUVフォトマスク・レチクル

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10.052026

工程技術解説工程 · セミダマシン配線形成

Ruセミダマシンの不良はエッチとviaに集中｜imec研究ラインで全面歩留まり90%以上

配線形成 エッチング歩留まり・欠陥解析学会・研究動向

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10.052026

工程技術解説工程 · サブトラクティブ配線（金属直接エッチ）

Ru配線の装置、Cu延命側は出荷済み｜Ru側はTELがPECVDの用途を提示

配線形成 成膜エッチング装置メーカー比較

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10.052026

工程技術解説工程 · プロセスインテグレーション

SRAMセルはGAAでシート幅を選べる｜Intel 18AのセルはFinFET設計の0.77倍

GAA・ナノシート 学会・研究動向

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10.052026

工程技術解説工程 · リソグラフィ

CDシフトはADIとエッチバイアスで切り分け｜レジスト線はCD-SEM測定で1.6 nm縮小

レジスト・塗布現像 エッチング検査・計測

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10.052026

工程技術解説工程 · 塗布・現像

Lamのドライレジスト、DRAM量産で採用｜前駆体はEntegris・Gelestと協業

レジスト・塗布現像 成膜ガス・薬液特許・知財

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10.052026

工程技術解説工程 · 塗布・現像

金属酸化物レジストは露光後の空気でCD変化｜imecはベーク中の酸素増で感度向上を報告

レジスト・塗布現像 EUV

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10.052026

工程技術解説工程 · 塗布・現像

半導体のPFAS除去、imecはCARを優先｜CARのPFASは主に光酸発生剤に

レジスト・塗布現像 EUV

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10.052026

工程技術解説工程 · ALD（原子層堆積）

ALDの段差被覆、前駆体と反応ガスで変化｜東ソーの1回の測定、差は上面の厚さ

成膜 ガス・薬液

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10.052026

工程技術解説工程 · ALD（原子層堆積）

Mo ALD、ロジックで2社とも先行を主張｜Lamは3D NANDで量産、AppliedはWを置換

配線形成 3D NAND成膜装置メーカー比較

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10.052026

工程技術解説工程 · コンタクトプラグ形成

Moコンタクトの装置選定を計測が後押し｜Appliedの電子ビーム計測は1時間足らず

検査・計測 CMP（化学機械研磨）配線形成装置メーカー比較

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10.052026

工程技術解説工程 · 成膜

前駆体の純度保証は受入時点まで｜Matheson特許、残量減で水分約125 ppm

ガス・薬液 成膜

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10.052026

工程技術解説工程 · High-NA EUV露光（高開口数EUV露光）

High-NA EUVの供給元はブロックごとに別｜塗布現像はTELがほぼ100%と自社ブログ

High-NA EUV露光（高開口数EUV露光） フォトマスク・レチクルレジスト・塗布現像装置メーカー比較

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10.052026

工程技術解説工程 · High-NA EUV露光（高開口数EUV露光）

High-NAのコスト優位は3回露光の層から｜IBMのデータをSemiAnalysisが分析

High-NA EUV露光（高開口数EUV露光） EUV市場・設備投資学会・研究動向

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10.052026

工程技術解説工程 · High-NA EUV露光（高開口数EUV露光）

Intel、High-NAで露光3回の層を単一露光に｜TSMCはA14まで0.33 NAで対応

High-NA EUV露光（高開口数EUV露光） EUV歩留まり・欠陥解析

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10.052026

工程技術解説工程 · イオン注入

SiCイオン注入は500℃程度の加熱が主流｜高濃度Al注入では必須、日新イオン機器

イオン注入 パワー半導体SiC装置メーカー比較

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10.052026

工程技術解説工程 · エアギャップ形成

エアギャップの信頼性、TDDB寿命は10年｜狭ピッチではviaのリークが課題（imec）

信頼性評価 配線形成歩留まり・欠陥解析学会・研究動向

SOURCES 標準・公的研究 · 出典リンク 7件

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10.052026

工程技術解説工程 · エアギャップ形成

エアギャップ配線は7A世代、TEL推定｜Ruのエッチング配線と最小ピッチで併用

配線形成 成膜市場・設備投資

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10.052026

工程技術解説工程 · 塗布・現像

コータデベロッパのEUV向け100%は自社推定｜Gartner集計ではトラック全体で91%

レジスト・塗布現像 High-NA EUV露光（高開口数EUV露光）市場・設備投資

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10.052026

工程技術解説工程 · 四探針法（シート抵抗測定）

超浅接合のRs測定、マイクロ四探針で再現性｜通常の四探針はほぼ全試料で失敗

検査・計測 イオン注入

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10.052026

工程技術解説工程 · フォトマスク・レチクル

EUVペリクルとは別に進むマスク劣化｜保管中のカーボン付着とRu酸化でCD変動

フォトマスク・レチクル EUV検査・計測歩留まり・欠陥解析

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10.052026

工程技術解説工程 · プロセスインテグレーション

GAA求人の必須条件は工程の経験年数｜GAA経験が必須の求人は2件

GAA・ナノシート 歩留まり・欠陥解析

SOURCES 公式技術記事 · 出典リンク 12件

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10.052026

工程技術解説工程 · プロセスインテグレーション

GAA世代の3社、差は裏面電源の導入時期｜TSMC N2はウェーハ売上の3%

GAA・ナノシート 裏面電源市場・設備投資

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 9件

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10.052026

工程技術解説工程 · High-NA EUV露光（高開口数EUV露光）

High-NAのコンタクト、imecはCARを本命に｜MORとブライトフィールドは露光量6%減

High-NA EUV露光（高開口数EUV露光） フォトマスク・レチクルレジスト・塗布現像歩留まり・欠陥解析

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10.052026

工程技術解説工程 · EUV露光（極端紫外線露光）

EUVミラーとマスクで光は約8%に｜ウェーハが受ける光は時間平均1.3 W

EUV フォトマスク・レチクル

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10.052026

工程技術解説工程 · チャネルリリース

GAA装置の新工程はSiGeの選択エッチ｜Appliedの狙える市場は約70億ドルへ

GAA・ナノシート 成膜エッチング市場・設備投資

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10.052026

工程技術解説工程 · High-NA EUV露光（高開口数EUV露光）

High-NAのスループット差は半分より小さい｜露光量50 mJにそろえた換算

High-NA EUV露光（高開口数EUV露光） EUV

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10.052026

工程技術解説工程 · プロセスインテグレーション

imecはCFETを4.5トラック以下のセルに｜A7世代は2033年とTom's Hardware

GAA・ナノシート 学会・研究動向

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10.052026

工程技術解説工程 · プロセスインテグレーション

TSMC N2の粗利押し下げはN3と同じ幅｜18A歩留まりの業界水準は2027年とIntel

GAA・ナノシート 歩留まり・欠陥解析市場・設備投資

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10.052026

工程技術解説工程 · インナースペーサ形成

インナースペーサの難所は横穴の埋め込み｜TELは幅45 nm未満でseamを課題に

GAA・ナノシート 成膜エッチング

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10.052026

工程技術解説工程 · コンタクトプラグ形成

コンタクト抵抗、Mo化でさらに約15%低減｜Applied Materialsの試験構造で選択W比

配線形成 GAA・ナノシート成膜

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10.052026

工程技術解説工程 · プロセスインテグレーション

外壁フォークシート、壁を約15 nmへ拡幅｜壁をセル端へ移すimecの設計案

GAA・ナノシート 学会・研究動向

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10.052026

工程技術解説工程 · 成膜

NF3の遠隔プラズマだけがPFCを95%以上削減｜Motorolaの2002年の報告

ガス・薬液 洗浄・表面処理

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10.052026

工程技術解説工程 · アンダーフィル

NUFの推奨搭載速度は毎秒5 mm未満｜濡れと硬化の反応もボイド要因、FCIP研究

モールド・封止 歩留まり・欠陥解析

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10.052026

工程技術解説工程 · アンダーフィル

アンダーフィルのTg、測り方で43 °C差｜HenkelのNCP 5209、TMAとDMAで比較

モールド・封止 信頼性評価

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10.052026

工程技術解説工程 · ウェットエッチング

ウェットエッチングが残る犠牲膜の除去｜熱リン酸で窒化膜を横に溶かすYMTC特許

エッチング 3D NANDガス・薬液

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10.052026

工程技術解説工程 · ドライエッチング

プラズマダメージを電気特性で検出｜アンテナ比を変えたTSMC特許のテスト構造

エッチング 信頼性評価

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10.052026

工程技術解説工程 · 特殊ガス・薬液供給

薬液純度のグレードは出荷時の値｜洗浄装置の出口で粒子が何桁も増加、PMS

ガス・薬液 洗浄・表面処理歩留まり・欠陥解析

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10.052026

工程技術解説工程 · アンダーフィル

MUFのボイド、上下の流れの合流点に｜隙間をそろえると減少、UTACの解析

モールド・封止 歩留まり・欠陥解析

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10.052026

工程技術解説工程 · テスト

チップレットのテストはダイ追加ごと｜Amkorは部分実装品をその都度測定

テスト 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）歩留まり・欠陥解析

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10.052026

工程技術解説工程 · TBDB（一時接合と剥離）

極薄ウェーハ15 µmをシリコンで支持｜赤外レーザー剥離と併用、Brewer Science

ダイシング・薄化 ボンディング

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10.052026

工程技術解説工程 · TBDB（一時接合と剥離）

剥離後の洗浄、リンスで粒子数が約100倍差｜Veeco・Brewer Scienceの実験

洗浄・表面処理 ボンディング歩留まり・欠陥解析

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10.052026

工程技術解説工程 · テスト

半導体テスタ市場の約77%がSoC用｜SoC用は約68%増、Advantest推定

テスト AI・データセンター市場・設備投資

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10.052026

工程技術解説工程 · モールド・封止

封止材メーカーの発表は液状とSiC向け｜住友ベークライトのEME-G785はTg 230 °C

モールド・封止 SiC

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10.052026

工程技術解説工程 · ビルドアップ基板

ABFの増産、2030年までは群馬工場など｜味の素、可児の拠点は2032年操業

パッケージ基板・インターポーザ 市場・設備投資

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10.052026

工程技術解説工程 · 後工程

OSATの受託は試作から出荷代行まで｜Amkorは売上の55%が材料費

市場・設備投資 テスト

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10.052026

工程技術解説工程 · ハイブリッドボンディング

TSMC、ロジックのhybrid bondingを量産｜Intelの初搭載はXeon 6+で実現

ボンディング 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）

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10.052026

工程技術解説工程 · ハイブリッドボンディング

W2WとD2Wの違い、不良ダイを外せるか｜D2Wは位置ずれと切断の粒子を抱える

ボンディング 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）歩留まり・欠陥解析

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10.052026

工程技術解説工程 · WLP（ウェーハレベルパッケージ）

WLPの後工程、ダイシング前にバンプとRDL｜TSMCはSoICを前工程の3D積層に分類

先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット） ダイシング・薄化

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10.052026

工程技術解説工程 · ハイブリッドボンディング

ハイブリッドボンディングを選ぶ2条件｜ウェーハ接合は両側の良品率が掛け算

ボンディング 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）歩留まり・欠陥解析

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10.052026

工程技術解説工程 · ハイブリッドボンディング

認定試験の合否、量産発表とは別の文書｜寿命の根拠は合否表と学会論文

ボンディング 信頼性評価

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10.052026

工程技術解説工程 · ビルドアップ基板

誘電正接Dfの比べ方、周波数と試験法｜線路損失は銅箔の粗さで最大5割差

パッケージ基板・インターポーザ 検査・計測

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10.052026

工程技術解説工程 · ハイブリッドボンディング

HBM積層のhybrid bonding、まだ見本段階｜SK hynixはHBM4EもMR-MUFで

HBM・DRAM モールド・封止ボンディング

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10.052026

工程技術解説工程 · ハイブリッドボンディング

Intelの求人は接合の前後を1人に｜位置合わせ要求値とボイド対策を同じ職で

ボンディング 検査・計測歩留まり・欠陥解析

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10.052026

工程技術解説工程 · ガラスコア基板

ガラスコア基板のパネル、規格は2寸法｜大判の600 mm角もSEMIとLPKFが対応

ガラスコア基板 パッケージ基板・インターポーザPLP（パネルレベルパッケージ）

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10.052026

工程技術解説工程 · ガラスコア基板

ガラスコア基板の割れは端面の傷から｜靱性の差は±10%ほど（AGCの技術者）

ガラスコア基板 信頼性評価

SOURCES 公式技術記事 · 出典リンク 4件

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10.052026

工程技術解説工程 · ハイブリッドボンディング

ダマシンで作るhybrid bondingの接合面｜TELは前工程の洗浄・プラズマ設計を採用

ボンディング CMP（化学機械研磨）洗浄・表面処理

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10.052026

工程技術解説工程 · ハイブリッドボンディング

接合ボイドの検査、装置は4種類に分担｜接合前に粒子、接合後にボイドとずれ

検査・計測 ボンディング歩留まり・欠陥解析

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 10件

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10.052026

工程技術解説工程 · デバイス・製品開発

ダイヤモンド半導体の最初の市場は原発と通信｜EV用でSiCと競うのは2030年代

パワー半導体 SiC

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10.052026

企業技術動向工程 · デバイス・製品開発

パワー半導体の世界シェアは日本4社を足しても16%｜首位Infineonは1社で24%

パワー半導体 SiC市場・設備投資

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 12件

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10.052026

企業技術動向工程 · 塗布・現像

フォトレジストのメーカーと世界シェア｜EUVでも首位は日本勢、崩れるなら中国のKrF

レジスト・塗布現像 EUV市場・設備投資

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 16件

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10.052026

工程技術解説工程 · 工程横断

次世代半導体の本命は2nmロジック｜政府支援の決定額2.6兆円がラピダス1社に集中

市場・設備投資 AI・データセンター

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 16件

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10.052026

工程技術解説工程 · 半導体材料

半導体の材料一覧｜日本企業は23品目中16品目で過半、金属シリコンは中国が87%

消耗材・部材 シリコンウェーハ市場・設備投資

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 27件

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10.052026

工程技術解説工程 · 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）

3D ICの熱は積み方で33.5°C低減｜imecのHBM-on-GPUモデルで試算

先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット） HBM・DRAM

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 3件

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10.052026

工程技術解説工程 · ハイブリッドボンディング

3D実装エンジニアの求人、薄化や洗浄も要件｜Intel・Micron・AMATの求人4件を比較

ボンディング CMP（化学機械研磨）洗浄・表面処理ダイシング・薄化

SOURCES 公式技術記事 · 出典リンク 7件

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10.052026

工程技術解説工程 · ハイブリッドボンディング

3D実装の装置、3社の担当工程｜AMATはBesiと接合機、TELは薄化まで

先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット） ボンディング装置メーカー比較

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 7件

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10.052026

工程技術解説工程 · 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）

CoWoS-Lへ移行、NVIDIAのBlackwell｜局所bridgeはIntelのEMIBが2017年から

先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット） HBM・DRAM

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 5件

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10.052026

工程技術解説工程 · 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）

HBM-on-GPUの損得、面積あたりで2.5D超え｜周波数半減で学習は28%遅く（imec）

HBM・DRAM 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）AI・データセンター

SOURCES 標準・公的研究 · 出典リンク 2件

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10.052026

工程技術解説工程 · 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）

先端パッケージの職種、量産の4関門で分類｜Rapidusは設計職を3分野で募集

先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット） 歩留まり・欠陥解析信頼性評価

SOURCES 公式技術記事 · 出典リンク 11件

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10.052026

工程技術解説工程 · 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）

熱テストチップ、TSV列で予測と実測が逆｜imecは断面観察で熱modelを修正

先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット） 検査・計測

SOURCES 公式技術記事 · 出典リンク 8件

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10.052026

工程技術解説工程 · 計測

熱伝導率の測定方法、3D積層での選び方｜kは3ω法、界面GはTDTRとFDTR

検査・計測 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）

SOURCES 公式技術記事 · 出典リンク 10件

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10.052026

工程技術解説工程 · BSPDN（裏面電源供給）

3社の裏面電源は着地先が違う｜Intelは18Aでnano-TSV、14AとTSMC A16は裏面直接コンタクト

裏面電源 配線形成

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 12件

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10.052026

工程技術解説工程 · コンタクト形成（MOL）

7 nm以降のコンタクト抵抗は金属とSiの界面で決まる｜TELとAppliedは酸化膜除去と金属成膜を真空でつなぐ装置を出した

成膜 配線形成装置メーカー比較

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 15件

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10.052026

工程技術解説工程 · CMP（化学機械研磨）

CMPの終点検出と閉ループ制御は過研磨と膜厚ばらつきを減らす｜Applied Materialsは一式で載せ、Novaの統合計測はGAAのCMP向けに選ばれた

CMP（化学機械研磨） 検査・計測装置メーカー比較

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10.052026

工程技術解説工程 · BSPDN（裏面電源供給）

imecのBPR方式で残る難所は裏からのnTSV着地｜重ね合わせは10 nmより良く、スリット状nTSVで前面から合わせる案も試作した

裏面電源 配線形成

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10.052026

工程技術解説工程 · CMP（化学機械研磨）

MRRが落ちたら、スラリーより先にパッドを測る｜コンディショニングを止めた50枚は平均で6割遅かった

CMP（化学機械研磨） 消耗材・部材

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10.052026

工程技術解説工程 · CMP（化学機械研磨）

Ruは酸化を速め、Moは静的エッチを抑え、CoはCuとの電位差を詰める｜配線金属を替えるたびにCMPの処方を作り直す

CMP（化学機械研磨） 配線形成消耗材・部材

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10.052026

工程技術解説工程 · 枚葉洗浄

枚葉洗浄は処理能力でバッチ機に近づいた｜SCREEN SU-3400は24チャンバーで毎時1,200枚、市場の8割強が枚葉式

洗浄・表面処理 市場・設備投資装置メーカー比較

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10.052026

工程技術解説工程 · BSPDN（裏面電源供給）

裏面電源の接続方式はセルが低いほど差が開く｜imecの試算で5トラックは直結が8.9%速く、7トラックでは方式差が小さい

裏面電源 GAA・ナノシート配線形成

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10.052026

製造課題解説工程 · ハイブリッドボンディング

Adeiaの試作では不良の99%超がボイドで、中心に粒子があった｜25 µmの粒子は直径約700 µmの未接合を作る

ボンディング 洗浄・表面処理歩留まり・欠陥解析

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10.052026

工程技術解説工程 · プロセスインテグレーション

CFETのM0 power railはA7では任意、A5とA3では外壁フォークシートと組で入る｜imecの図でA3の周波数は0.81から1.06へ戻る

GAA・ナノシート 裏面電源

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10.052026

工程技術解説工程 · EUV露光（極端紫外線露光）

CFETの裏面EUVはimecの試作で3 nm未満に重なった｜届かせたのはウェーハごとの高次補正で、次に要るのは素子の位置での計測

EUV 裏面電源検査・計測

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10.052026

工程技術解説工程 · ダマシン法

Cuはライナーの薄膜化と新しいlow-kで24 nmピッチまで持つ｜18 nmピッチのM0はimecの計画でRuへ移る

配線形成 成膜

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10.052026

企業技術動向工程 · CMP（化学機械研磨）

EntegrisのCMP一式は、傷の原因を1社で引き受ける守りの堀｜2億ドルの売上相乗効果では実質49億ドルの買収を回収できない

CMP（化学機械研磨） 消耗材・部材市場・設備投資

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10.052026

工程技術解説工程 · 成膜

Moは3D NANDのワード線から量産に入り、ロジックはコンタクトから続く｜前駆体は固体の塩化物

配線形成 3D NAND成膜

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10.052026

企業技術動向工程 · アニール・熱処理

アニール装置は加熱時間の桁ごとに供給元が分かれる｜高速熱処理装置はApplied Materialsが7割、ナノ秒はVeecoが量産出荷

アニール・熱処理 市場・設備投資装置メーカー比較

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10.052026

工程技術解説工程 · 洗浄・表面処理

パターン倒壊は乾燥の最後の液面で決まる｜IPAで水の3分の1、疎水化でほぼゼロ、超臨界で液面ごと消す

洗浄・表面処理 歩留まり・欠陥解析ガス・薬液

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10.052026

工程技術解説工程 · アニール・熱処理

先端ロジックのアニールがナノ秒まで縮んだのは、熱を表層だけに閉じ込めるため｜次の限界はパターンで揺れる温度と500℃の天井

アニール・熱処理 GAA・ナノシート

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10.052026

製造課題解説工程 · BSPDN（裏面電源供給）

表裏の重ね合わせ誤差は出どころごとに補正先が違う｜大きな形は露光機が追い、中心・端・輪の局所ゆがみは貼り合わせ装置で抑える

裏面電源 ボンディング検査・計測

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10.052026

工程技術解説工程 · オーバーレイ計測（重ね合わせ計測）

裏面電源の表裏ずれを素子の上で測る候補は電子ビームが先行｜律速は測定点数、赤外線は目印を、CD-SAXSは周期構造の平均を読む

検査・計測 裏面電源

SOURCES 公式IR資料 · 出典リンク 13件

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10.052026

工程技術解説工程 · BSPDN（裏面電源供給）

裏面電源の表裏合わせの要求は着地先で決まる｜BPRへのnTSVは10 nm未満、ゲートへの直結は3 nm程度

裏面電源 ボンディング

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10.042026

製造課題解説工程 · NIL（ナノインプリントリソグラフィ）

ナノインプリントの標的は液浸多重露光｜ASMLから削れる売上は約3%、本記事試算

装置メーカー比較 EUV市場・設備投資

COMPANIES インテルASMLキヤノンキオクシア大日本印刷

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9月SEPTEMBER 202617件

09.242026

工程技術解説工程 · TBDB（一時接合と剥離）

400 °C超の仮接着、赤外剥離と組み合わせ｜EV Groupの無機剥離層は1000 °Cまで

ボンディング 洗浄・表面処理ダイシング・薄化検査・計測歩留まり・欠陥解析

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09.242026

装置・製品解説工程 · 成膜

AMATのGAA成膜装置、STIとゲート金属向け｜2 nm以下で大手ロジックが採用開始

成膜 GAA・ナノシート歩留まり・欠陥解析

COMPANIES アプライド マテリアルズ

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09.242026

工程技術解説工程 · CMP（化学機械研磨）

CMP歩留まりを落とすディッシング｜欠陥密度が良好なウェーハにも残る凹み

CMP（化学機械研磨） 配線形成検査・計測歩留まり・欠陥解析消耗材・部材

COMPANIES Novaアプライド マテリアルズフジミインコーポレーテッド荏原製作所

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09.242026

装置・製品解説工程 · レーザーダイシング

DISCOのレーザソー3機種、ブレードを補完｜避ける損傷ごとに機種が異なる

ダイシング・薄化 歩留まり・欠陥解析

COMPANIES ディスコ

EQUIPMENT レーザーダイシング装置

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09.242026

装置・製品解説工程 · アクティニック検査

EUVマスク検査、ACTISを3倍速でファブへ｜COOの高さを解消へ、Lasertec

フォトマスク・レチクル EUV検査・計測

COMPANIES レーザーテック

EQUIPMENT マスク欠陥検査装置

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09.242026

装置・製品解説工程 · 計測

PROVision 10、素子上のずれを直接計測｜光学との差が約2 nm仕様を超す例、AMAT

検査・計測 GAA・ナノシート裏面電源HBM・DRAM

COMPANIES アプライド マテリアルズ

EQUIPMENT 検査評価装置（ウェーハプロセス）

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09.242026

工程技術解説工程 · アニール・熱処理

アニールとサーマルバジェットの基本｜熱の上限は工程が進むほど低下

アニール・熱処理 イオン注入配線形成

COMPANIES SCREENセミコンダクターソリューションズアプライド マテリアルズ東京エレクトロンimec

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09.242026

工程技術解説工程 · イオン注入

イオン注入は4つの設定で深さ分布を制御｜Rsはキャリア、SIMSは原子の数を測る

イオン注入 SiCアニール・熱処理検査・計測ガス・薬液

COMPANIES JSRアプライド マテリアルズインテグリスステラケミファ住友精化日新イオン機器

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09.242026

製造課題解説工程 · IAP（インクジェット適応平坦化）

インクジェット平坦化の仕組み｜削るCMPと逆に膜を足すCanonのIAP

CMP（化学機械研磨） 歩留まり・欠陥解析

COMPANIES キヤノン

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09.242026

市場背景工程 · ドライエッチング

エッチング装置の選び方、起点は削る膜｜LamとTELはRIE、AMATは制御技術

エッチング 3D NAND装置メーカー比較

COMPANIES アプライド マテリアルズラムリサーチ東京エレクトロン

EQUIPMENT エッチング装置

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09.242026

装置・製品解説工程 · ファンアウトRDL形成

ファンアウトのずれ対策にマスクレス露光｜SCREEN DW-3100はチップごとに露光

マスクレス露光（直接描画露光） 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）PLP（パネルレベルパッケージ）

COMPANIES SCREEN

EQUIPMENT レーザー直接描画装置（マスクレス露光装置）

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09.242026

工程技術解説工程 · 検査・計測

モニターウェーハ、前後の差で工程を監視｜測れる量は表面の状態次第

シリコンウェーハ 検査・計測テスト

COMPANIES アドバンテストアプライド マテリアルズ三益半導体工業信越化学工業

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09.242026

装置・製品解説工程 · 極低温エッチング（クライオエッチング）

極低温エッチング、径の差を10 nm未満に｜Lam、3D NANDの深さ10 µmの穴

3D NAND エッチング

COMPANIES ラムリサーチ

EQUIPMENT 極低温エッチング装置

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09.242026

工程技術解説工程 · 後工程

半導体の後工程、損失はダイ数の掛け算｜多ダイ品ほど組立前テストに費用

先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット） テスト

COMPANIES TSMCアムコー・テクノロジーインテルサムスン電子日本半導体製造装置協会

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09.242026

工程技術解説工程 · 洗浄・表面処理

半導体洗浄はSamsungで全工程の約3割｜接合のボイドは待ち時間の管理しだい

洗浄・表面処理 ボンディング歩留まり・欠陥解析

COMPANIES EVグループSCREENセミコンダクターソリューションズアプライド マテリアルズ東京エレクトロン

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09.202026

市場背景工程 · 装置ソフトウェア・シミュレーション

東京エレクトロンのソフト、自社装置向け｜工程フローの仮想試作はLamだけ

装置メーカー比較 装置ソフトウェア・AI市場・設備投資

COMPANIES アプライド マテリアルズラムリサーチ東京エレクトロン

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09.142026

学会技術動向工程 · 工程横断

VLSI 2025–2026トレンド分析：急伸した技術、勢いを失った技術

学会・研究動向 GAA・ナノシート裏面電源HBM・DRAM配線形成

SOURCES 標準・公的研究 · 出典リンク 9件

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8月AUGUST 202612件

08.212026

研究・標準解説工程 · 工程横断

半導体特許の書き方：工程・構造・装置クレームを分け、侵害立証まで設計する

特許・知財 エッチング

SOURCES 標準・公的研究 · 出典リンク 9件

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08.092026

工程技術解説工程 · EUV露光（極端紫外線露光）

EUV露光で断線を生む光子のばらつき｜光子のエネルギーはArF液浸の約14倍

EUV High-NA EUV露光（高開口数EUV露光）フォトマスク・レチクルレジスト・塗布現像検査・計測

COMPANIES AGCASMLTOPPANウシオ電機レーザーテック三井化学 ほか1社

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 46件

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08.052026

工程技術解説工程 · モールド・封止

封止材の反り、Tg以下のCTEが最大要因｜Tgを動かしても1.2%以内（国立中山大学）

モールド・封止 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）歩留まり・欠陥解析信頼性評価

COMPANIES ナミックスレゾナック住友ベークライト

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08.052026

工程技術解説工程 · ビルドアップ基板

パッケージ基板の反り、コア材の低CTEで｜低CTE化の代償は冷却時の割れ（レゾナック）

パッケージ基板・インターポーザ 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）信頼性評価

COMPANIES イビデンレゾナック三菱ガス化学京セラ住友ベークライト新光電気工業

SOURCES 公式プレスリリース · 出典リンク 41件

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08.052026

工程技術解説工程 · フォトマスク・レチクル

フォトマスクの基本、DUVは透過でEUVは反射｜ペリクル往復の透過は81%と計算

フォトマスク・レチクル EUVHigh-NA EUV露光（高開口数EUV露光）検査・計測

COMPANIES AGCエレクトロニクスASMLHOYAレーザーテック三井化学信越化学工業 ほか1社

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08.042026

工程技術解説工程 · ウェーハ・基板製造

シリコンウェーハの作り方と受入検査｜量産の径は最大300 mm、SEMI

シリコンウェーハ 検査・計測歩留まり・欠陥解析

COMPANIES SUMCO信越化学工業

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08.032026

工程技術解説工程 · 成膜

成膜方式6系統、段差被覆と温度の違い｜GAAではALDの比重が上がる

成膜 アニール・熱処理検査・計測歩留まり・欠陥解析ガス・薬液

COMPANIES JSRJX金属

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08.032026

工程技術解説工程 · 配線形成

Ru配線の抵抗、細線でCuを下回り始める｜根拠の大半はブランケット膜の測定

配線形成 裏面電源成膜エッチングCMP（化学機械研磨）信頼性評価

COMPANIES JX金属インテグリス

SOURCES 公式ニュース · 出典リンク 43件

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08.032026

工程技術解説工程 · CMP（化学機械研磨）

CMPスクラッチは粗大粒子の数に沿って増加｜パッドくずとダイヤモンドも傷の源

CMP（化学機械研磨） 検査・計測歩留まり・欠陥解析消耗材・部材

COMPANIES JSRインテグリス関東化学

SOURCES 公式製品ページ · 出典リンク 43件

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08.032026

工程技術解説工程 · 半導体材料

エッチングガスの用途は製品仕様で決まる｜洗浄液は落とす汚れごとに使い分け

ガス・薬液 エッチング洗浄・表面処理歩留まり・欠陥解析

COMPANIES ステラケミファ

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08.032026

工程技術解説工程 · 塗布・現像

フォトレジストの基本と性能指標RLS｜imecはEUVで不良を4番目の指標に

レジスト・塗布現像 EUVHigh-NA EUV露光（高開口数EUV露光）検査・計測

COMPANIES JSR富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ

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08.032026

工程技術解説工程 · ガラスコア基板

ガラス基板はCTE高めではんだひずみ半減｜Lauらの解析、PCBに近いCTEを推奨

ガラスコア基板 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）パッケージ基板・インターポーザ検査・計測歩留まり・欠陥解析信頼性評価

SOURCES 公式ニュース · 出典リンク 35件

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7月JULY 20265件

07.172026

装置・製品解説工程 · RDL（再配線層）形成

デジタル露光の9倍はパッケージ数の比｜Nikon DSP-100、毎時の枚数とは別の数字

マスクレス露光（直接描画露光） 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）PLP（パネルレベルパッケージ）

COMPANIES ニコン

EQUIPMENT レーザー直接描画装置（マスクレス露光装置）

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07.052026

企業技術動向工程 · デバイス・製品開発

800V DC化でも48V母線を残す設計｜12V直降圧はRenesas試算で96.7%

GaN パワー半導体AI・データセンター

COMPANIES NVIDIAルネサス エレクトロニクス

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07.052026

企業技術動向工程 · デバイス・製品開発

SiC MOSFETの約30%減は高温時のオン抵抗｜ROHM発表、接合温度175°Cで比較

SiC パワー半導体AI・データセンター

COMPANIES ローム

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07.042026

工程技術解説工程 · ALD（原子層堆積）

バッチALD、遅さを数十枚の一括成膜で補う｜KOKUSAIはミニとラージの2系統

成膜 アニール・熱処理

COMPANIES KOKUSAI ELECTRIC

EQUIPMENT CVD装置

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07.012026

工程技術解説工程 · SLT（システムレベルテスト）

SLTだけが拾う不良、原因は3種類｜最終テスト合格品でも実機動作で不良

テスト 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）歩留まり・欠陥解析信頼性評価

COMPANIES FormFactorアドバンテストアムコー・テクノロジーテキサス・インスツルメンツテラダイン

SOURCES 公式技術記事 · 出典リンク 7件

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6月JUNE 20263件

06.172026

工程技術解説工程 · デバイス・製品開発

ソニーイメージセンサ、飽和信号量が約2倍｜2層トランジスタ画素で暗所ノイズも低減

イメージセンサ 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）

COMPANIES ソニーセミコンダクタソリューションズ

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06.162026

装置・製品解説工程 · テスト

アドバンテスト排出の大半は顧客の使用電力｜APOSの節電はまず顧客の電気代に

テスト 装置ソフトウェア・AI

COMPANIES アドバンテスト

EQUIPMENT SoC・ロジックテスタ

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06.152026

装置・製品解説工程 · 塗布・現像

コータデベロッパ、EUV塗布欠陥50%以上減｜TEL試算、LITHIUS Pro DICEで

レジスト・塗布現像 EUVHigh-NA EUV露光（高開口数EUV露光）歩留まり・欠陥解析

COMPANIES 東京エレクトロン

EQUIPMENT コーター・デベロッパ（塗布現像装置）

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記事の元になる一次情報

SOURCES & RELATED DB

公式発表の要点 サンプル出荷・量産開始・市場予測・実績値を発表元と公開日つきで12件 · 2025-10-07 〜 2026-07-03

メモリ・NAND

2026-07-03

サンプル出荷発表 · Kioxia

Kioxia 10th-gen BiCS 1Tb TLC sample shipment ↗

1Tb TLC 3D flash memory sample shipment。Kitakami Fab2設備、CBA、OPS、332 layers、4.8Gb/s NAND interface、bit density +59%を分けて記録する。

memory / reliability / failure analysis

2026-07-03

生産開始発表 · Kioxia / Sandisk

Kioxia and Sandisk 10th-gen 3D flash production start at Fab2 ↗

Kitakami Plant Fab2で10th-gen 3D flash生産開始を発表。sample shipmentとは別recordに分け、Fab2、joint venture、3D flash世代をタグ化する。

memory / reliability / failure analysis

市場動向

2026-06-03

市場予測 · WSTS

WSTS Spring 2026 forecast ↗

2026年半導体市場をUSD 1.51T、前年比+90%とするforecast。memoryは約+250%、USD 800B超として市場前提に使う。

市場動向

2026-06-05

月次売上実績 · SIA

SIA April 2026 global semiconductor sales ↗

2026年4月のglobal semiconductor salesはUSD 110.5B、前月比+11.0%、前年比+93.9%。forecastとは別にactual salesとして記録する。

市場動向

装置投資

2026-04-01

装置投資予測 · SEMI

SEMI 300mm fab equipment spending forecast ↗

300mm fab equipment spendingを2026年USD 133B、2027年USD 151Bとするforecast。logic/microとmemoryの投資前提を分ける。

市場動向

2026-06-29

メモリ装置投資予測 · SEMI

SEMI 300mm memory equipment investment forecast ↗

2026年の300mm memory equipment investmentをUSD 52B、2027年をUSD 57Bとするforecast。DRAMと3D NANDを分ける。

市場動向

装置売上

2026-06-04

装置売上実績 · SEMI

SEMI Q1 2026 equipment billings ↗

2026年Q1 global semiconductor equipment billingsはUSD 36.55B、前年比+14%、前期比+1%。actual billingsとして記録し、forecastは別recordに分ける。

市場動向

HBM・AIパッケージ

2026-05-29

サンプル出荷発表 · Samsung Electronics

Samsung HBM4E 12H sample shipment ↗

12-layer HBM4E samples、48GB、14Gbps stable、最大16Gbps scalable、3.6TB/s per stack、4nm logic base dieを記録する。

HBM / AI package scaling

2026-03-16

量産開始発表 · Micron

Micron HBM4 high-volume production for NVIDIA Vera Rubin ↗

36GB 12H HBM4のhigh-volume productionとNVIDIA Vera Rubin platform向けvolume shipmentを記録する。48GB 16H samplesとは別に残す。

HBM / AI package scaling

2026-04-23

技術方針発表 · TSMC

TSMC 2026 Technology Symposium CoWoS scaling ↗

5.5-reticle CoWoS production、2028年14-reticle CoWoS計画、約10 large compute diesと20 HBM stacksのpackage scalingを記録する。

HBM / AI package scaling

High-NA・計測

2026-03-18

研究開発段階の計画 · imec

imec EXE:5200 High-NA EUV qualification plan ↗

ASML EXE:5200 High-NA EUV systemをimec cleanroomへ導入。Q4 2026までのqualification planとして記録する。

High-NA EUV / resist / metrology

2025-10-07

製品・装置発表 · Applied Materials

Applied Materials PROVision 10 launch date correction ↗

PROVision 10は2025-10-07発表。GAA、backside power、next-gen DRAM、3D NAND、HBM integration向けthrough-layer eBeam metrologyとして記録する。

High-NA EUV / resist / metrology

技術テーマ別の記事棚 GAA / CFET / BSPDN・High-NA EUV / resist / metrology・BEOL / MOL / new conductor・chiplet / hybrid bonding / thermalなど7テーマを、学会・求人・研究室・装置ページとつなぐ

GAA / CFET / BSPDN

先端ロジックの構造変更、MOL、背面電源配線をまとめて比較するテーマです。

foundry / IDMのロードマップ、量産技術、製品世代の発表日と対象技術を分ける

GAAロードマップフォークシートとCFETBackside Power Delivery 求人DB

High-NA EUV / resist / metrology

露光装置だけでなく、mask、resist、etch、metrology の連結条件を追跡するテーマです。

装置spec、R&D導入、量産適用層を分ける

High-NA EUVの量産ボトルネックHigh-NA EUVレジスト比較検査・計測・オーバーレイ装置 求人DB

BEOL / MOL / new conductor

配線抵抗、barrier / liner、低k材料、backside contact の上限要因を同じ表で比較するテーマです。

材料、成膜、CMP、検査装置の発表日と対象工程を分ける

BEOLメタライゼーションRu配線の量産条件Mo contact と selective deposition 求人DB

chiplet / hybrid bonding / thermal

chiplet、hybrid bonding、temporary bond / debond、thermal reliability をまとめて比較するテーマです。

OSAT、材料、装置、IDMの先端パッケージ投資や技術発表を分ける

先端パッケージングとは何かHybrid Bondingの基礎Temporary Bond / Debond 求人DB

HBM / AI package scaling

HBM stack、CoWoS面積、logic base die、through-layer metrology、memory capex を分けて比較するテーマです。

Samsung、Micron、TSMC、SEMI、WSTSの量産、sample、capex、forecastを分ける

AMAT PROVision 10とHBM計測先端パッケージングとは何かHybrid Bondingの基礎 求人DB

SiC / GaN / Ga2O3 / diamond power

材料、デバイス構造、module packaging、converter適用を分けて比較するテーマです。

素材、デバイス、モジュール、設備投資の発表日と対象技術を分ける

工程別の装置と材料検査・計測・オーバーレイ装置歩留まりと欠陥管理 求人DB

memory / reliability / failure analysis

memory architecture、aging、qualification、failure analysis、test をまとめて比較するテーマです。

メモリ、テスト、品質、解析サービスの発表日と対象技術を分ける

歩留まりと欠陥管理テストと選別後工程とパッケージング 求人DB

関連する公開DB 企業DB・学会DB・求人DB・研究室DBなど8件への入口

半導体企業分析DB半導体企業製品群DB装置カタログ工程別装置share半導体求人DB日本の半導体研究室DB半導体学会・締切DB

関連ページ

• Sony 2-Layer Transistor Pixel、CMOS画素を上下に分けて低ノイズと広ダイナミックレンジを狙う
• SCREEN DW-3100、先端パッケージのダイレクトイメージングで反りとチップずれを補正する
• Advantest APOS、V93000テストセルの電力最適化を工程データで制御する
• AMAT PROVision 10、HBMと裏面電源の埋もれた層を電子ビームで測る
• AMATのGAA世代向け成膜装置、STIの保護とメタルゲートの形成を担う
• Lam Cryo 3.0、1000層級3D NANDの高アスペクト比エッチングを極低温で制御する
• 半導体学会・締切DB
• 半導体企業分析DB
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References

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• IEDM official site
• VLSI Symposium official site
• SEMI ASMC official page
• ECTC official site
• ISPSD 2026 official site
• IRPS official site
• Kioxia 10th-gen BiCS sample shipment
• Kioxia and Sandisk 10th-gen 3D flash production start
• WSTS Spring 2026 forecast
• SIA April 2026 semiconductor sales
• SEMI 300mm fab equipment spending forecast
• SEMI 300mm memory equipment investment forecast
• SEMI Q1 2026 equipment billings
• Samsung HBM4E sample shipment
• Micron HBM4 high-volume production
• TSMC 2026 North America Technology Symposium
• imec EXE:5200 High-NA EUV system
• Applied Materials Kinex, Xtera, PROVision 10 release